【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、３０〜５０ｒｐｍの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ポジ型の化学増幅型レジストからなる多重レジストパターンの形成方法、及びその多重レジストパターンを用いた機能性材料層の加工方法、並びに多重レジストパターン構造体を提供すること。
【解決手段】 光酸発生剤と、酸の作用で溶解性が変化する樹脂成分とを含有するポジ型化学増幅型レジストからなる、第１のレジストパターン４を形成する。次に、その表面に、パターン内に浸透し、酸の作用下でレジスト樹脂成分と架橋反応を行い得る架橋剤と、その浸透を促進する浸透促進剤とを含有する改質材水溶液６を被着させる。次に、架橋剤が浸透した第１のレジストパターン４に紫外光を照射して酸を発生させ、加熱して、樹脂成分と架橋剤とを反応させ、少なくともその表層部７に、硬化層９を形成する。次に、第１のレジストパターン間を埋めるように第２のレジスト層１１を形成し、選択的に露光、現像して、第２のレジストパターン１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い解像度と改善されたエッジラフネスとを備えるとともに、アルカリ現像可能な感光性組成物用の化合物、並びにそれを用いた感光性組成物、パターン形成方法を提供する。
【解決手段】１、２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホニル基又は１、２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニル基を有する１、３、５−トリス（パラ−（パラ−ヒドロキシフェニル）フェニル）ベンゼン誘導体化合物、該感光性化合物と溶媒を含有する感光性組成物、並びに該感光性組成物を含む感光性層を形成する工程等を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】
薄膜でありながら高い遮光性と耐傷性を有する感熱マスク層を持つ感光性フレキソ印刷原版を提供する。
【解決手段】
少なくとも（Ａ）支持体、（Ｂ）感光性樹脂層、（Ｃ）保護層、（Ｄ）感熱マスク層が順次積層されてなる感光性フレキソ印刷原版であって、（Ｄ）感熱マスク層が、カーボンブラックと、その分散バインダーとしてブチラール樹脂及び極性基含有ポリアミドとを含有することを特徴とする感光性フレキソ印刷原版。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基を持つ繰り返し単位を有し、アルカリ現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物を塗布し、プリベークしてレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に高エネルギー線を照射し、露光後加熱し、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせた後、アルカリ現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光もしくは加熱して上記樹脂の酸不安定基を脱離させてアルカリ溶解性を向上させ、かつ該樹脂に架橋を形成させて、反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物を用いて反転用膜を形成する工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型レジストパターンにダメージを与えることなく、その間隙に反転用膜材料を埋め込むことができ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】解像度以下の線幅の形成が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】受ける光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、低光量及び高光量の露光で現像液に対して不溶（可溶）となり、中間光量の露光で現像液に対して可溶（不溶）となるレジストに対して露光及び現像を行い、レジストにおいて中間光量の露光を受けた部分のみを除去する（残す）。 （もっと読む）

【課題】二重露光によるパターンニングにおいて、第一層目に形成されるパターンを不活性化させ、第二層目のパターン形成時における露光の際に、第一層目のパターンが感光してアルカリ可溶性とならず、第一層目のパターンを保持したまま第二層目のパターンを形成可能なパターン形成方法等を提供する。
【解決手段】本パターン形成方法は、第一レジスト層形成用の樹脂組成物を用いて、基板上に第一レジスト層を形成し、第一レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光した後、現像により第一レジストパターンを形成する工程と、第一レジストパターンを光に対して不活性化させる工程と、第二レジスト層形成用の樹脂組成物を用いて、第一レジストパターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、第二レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光する工程と、現像により第一レジストパターンのスペース部分に、第二レジストパターンを形成する工程とを備える。 （もっと読む）