【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法であって、配線３を覆うように絶縁膜４、レジスト５、および、感光性シリコンを含有するレジスト６を配置する工程と、クロムマスク２０を用いてレジスト５および６を同時に露光する工程と、レジスト６の露光された部分をシリル化する工程と、現像液を用いてレジスト５の感光部５ｂを除去する工程と、レジスト６のシリル化部６ａおよび６ｂをマスクとして絶縁膜４およびレジスト５の少なくとも一部を除去することにより、絶縁膜４に接続孔７と配線溝８とを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ポジ型のフォトレジスト適用下で、ランダム配置のホールパターンを、高裕度で形成することができるパターンの形成方法、電子デバイスの製造方法および電子デバイスを提供する。
【解決手段】被加工膜２上に、密集ホールパターンを有する第１のポジ型フォトレジスト３が形成される。複数のホールパターン３ａの各々を埋め込むように第１のフォトレジスト３上に第２のポジ型フォトレジスト４が形成される。第２のフォトレジスト４に高透過ハーフトーン位相シフトマスク３０の明暗反転像である暗点像が投影露光される。第２のフォトレジスト４の現像により、暗点像部に形成される第２のフォトレジスト４のドットパターンが複数のホールパターンのいずれかの内部に残される。第１、第２のフォトレジスト３、４をマスクとして、被加工膜２がパターニングされる。 （もっと読む）

【課題】
エッチャントとして特定のガスを使用して、その添加量を厳密に制御することなく、膜の加工両端部を基板から離間するにつれて両端部間の距離が短くなるようなテーパー形状とし、当該テーパーの角度を所望の角度とすることが可能な膜のパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る一の態様の膜のパターン形成方法は、基板上に膜４、５を形成し、膜４、５の上層に、第１マスキング層１０とその上層の第２マスキング層１１とを、当該第２マスキング層１１が第１マスキング層１０端から突出する庇部を有するようにパターン形成し、膜４、５の上層に第１マスキング層１０及び第２マスキング層１１のパターンが形成されている状態において、膜４、５をエッチングしてパターニングする。
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【課題】 下層に密パターンを形成し、上層に疎パターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるネガ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記（ｉ）〜（ii）の工程；（ｉ）基板上に第１のレジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、該第１のレジスト層に密パターンを形成する選択的露光を施す工程；（ii）該第１のレジスト層の上に第２のレジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、該第２のレジスト層にパターンを形成する選択的露光を施す工程；を含むレジストパターンの形成において、前記第１又は第２のレジスト層に用いられるネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物から形成されるレジスト層と接触する前記第１又は第２のレジスト層を溶解しない有機溶剤（Ｄ）として、アルコール系有機溶剤に溶解したことを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）