【課題】高アスペクトなパターンの形成が可能となる近接場露光によるレジストパターンの形成方法、及び該レジストパターンの形成方法を用いた基板の加工方法、デバイスの作製方法を提供する。
【解決手段】近接場露光用マスクを基板上に形成したレジスト層に近接させ、該マスクの面側に光を照射した際に該マスクの微小開口から滲み出る近接場光を用いて露光し、前記レジスト層にマスクパターンを転写する近接場露光によるレジストパターンの形成方法において、前記基板上に、近接場光のしみ出し深さ以上の厚さのネガ型レジスト層を形成する工程と、前記ネガ型レジスト層を、前記近接場光を用いて露光する露光工程と、前記露光されたネガ型レジスト層を現像液で現像し、該ネガ型レジスト層の厚さよりも浅い領域にパターンを形成する現像工程と、を少なくとも有する構成とする。 （もっと読む）

本発明は、加工部材上にパターンを生成する際に、光学的近接およびその他の影響を修正するためにプロセス制御の下で、コーナー・フィーチャ（内側および外側）を装飾する方法およびシステムに関する。加工部材は、リソグラフィ・マスクおよび直接書き込みにより形成した集積回路を含む。本発明の特定のいくつかの態様については特許請求の範囲、明細書および図面に示してある。
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【課題】 基板上に塗布された化学増幅型レジストに対する電子線露光によって、光記録媒体製造用のスタンパー原盤を、凹凸パターンの幅寸法の均一性を確保して製造する。
【解決手段】 局所真空電子線露光装置１において、電子線露光の照射電流量を例えば一定として製造したスタンパー原盤に形成されるピット及びグルーブ等の凹凸パターンに関して、アミンによって生じる寸法例えば幅の変動及び不均一性を予め検討し、この検討結果に基づいて、スタンパー原盤を構成する基板４上に塗布された化学増幅型レジストに対する露光の開始位置と終了位置の電子線露光の照射電流量及びその変化を選定する。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成材料上に結像させる像の歪みを抑制することにより、配線パターン等の永久パターンを高精細に、効率よく形成可能であり、しかもテント性と解像度とを高度に両立したパターン形成方法の提供。
【解決手段】 少なくとも感光層を有するパターン形成材料における該感光層を被処理基体上に積層した後、露光が、該感光層の任意の２以上の領域に対して、それぞれ異なるエネルギー量の光を照射することにより行われ
前記露光が、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をｎ個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通して行われることを特徴とするパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的はマルチマイクロコラムの制御を容易で効率よく具現することができるように、マルチマイクロコラムにおいて、それぞれの単位マイクロコラムの電子放出源から電子を放出させて電子ビームを形成し、この電子ビームを効率よく制御する方法を提供することにある。
【解決手段】電子放出源、レンズ部、及びデフレクターを備えた単位マイクロコラムをｎ×ｍ行列に含むマルチマイクロコラムにおける電子ビームの制御方法を開示する。それぞれの電子放出源またはそれぞれのエクストラクターには同一または相異なる電圧が印加される。電子ビームを偏向させるために、それぞれのデフレクターの制御分割区域の座標上の区域に同一または相異なる制御電圧が印加される。単位マイクロコラムの電子ビームを効率よく制御するために、エクストラクターに相当しないレンズ層が集団でまたは個別的に制御される。また、この方法を使用するマルチマイクロコラムを提供する。 （もっと読む）

【課題】マスク交換が不要で、しかもスループットが低下しない露光装置、露光方法およびそれに用いるフォトマスクを提供する。
【解決手段】この発明の露光装置は、所定波長の光を出射する光源１と、少なくとも二種類のパターンが所定のピッチで交互に配置されたパターンを有し、光源からの光が透過されるフォトマスク３と、フォトマスクと被露光対象との間に設けられ、フォトマスクのパターンを被露光対象に結像する光学系５と、フォトマスクのパターンが第一の位置で被露光対象に露光された時点でフォトマスクを第一の位置に対して所定のピッチだけ移動させるマスク移動機構４を含む。 （もっと読む）

【課題】ラジカル重合反応により硬化する感光層（膜）を有する印刷版原版の、酸素を遮断し他状態で露光した後の経過時間による重合率の変化に配慮し、製版作業の能率を低下させることなしに、良好な性能の印刷版を作製可能とした印刷版の作製方法および装置を提供すること。
【解決手段】酸素遮断層を有さない印刷版に、光重合によって潜像形成を行う印刷版の作製方法であって、酸素を遮断して行う露光時に、印刷版上での走査露光順序に応じて予め定められた露光パワーにより、印刷版上の各位置の露光を行うことを特徴とする印刷版の作製方法、並びにこれを具体化した装置。 （もっと読む）

本発明は、強度の時間的変動を有する少なくとも一つの光源（ＬＳ）から、少なくとも二つの光感応点（ＬＳＰ）に、実質的に等しい量のエネルギーの伝送を可能にする方法であって、前記伝送が、少なくとも一つの照明の構成（１）を手段として制御され、かつ前記方法が、前記強度の変動と前記照明の構成の少なくとも一つの特徴の間の相関の設定を含む方法に関する。本発明はまた、少なくとも二つの光感応点（ＬＳＰ）へのエネルギーの伝送を制御するための照明の構成（１）であって、前記伝送の制御は、前記少なくとも二つの光感応点（ＬＳＰ）の各々への、実質的に等しい量のエネルギーの伝送を可能にする、照明の構成に関する。
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【課題】円筒状支持体又はシート状支持体上に感光性樹脂組成物層を形成する工程、及び形成された感光性樹脂組成物層に光を照射し厚さ５０μｍ以上５０ｍｍ以下の感光性樹脂硬化物層を形成する工程を含み、該感光性樹脂組成物層に照射する光が２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の光を含み、かつ該感光性樹脂組成物層の表面での光の照度が、ＵＶメーター（オーク製作所社製、商標「ＵＶ−Ｍ０２」）とフィルター（オーク製作所社製、商標「ＵＶ−３５−ＡＰＲフィルター」）を用いて測定した場合、２０ｍＷ／ｃｍ^２以上２Ｗ／ｃｍ^２以下であり、かつ前記ＵＶメーターとフィルター（オーク製作所社製、商標「ＵＶ−２５フィルター」）を用いて測定した場合、３ｍＷ／ｃｍ^２以上２Ｗ／ｃｍ^２以下である、レーザー彫刻可能な印刷基材の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、画像平面に配置された、少なくとも一部が電磁放射線に感応する層で覆われた被処理品をパターン形成するための液浸リソグラフィ装置に関する。同装置は、対象物平面に電磁放射線を放出する放射源と、前記電磁放射線を前記対象物平面で受け取って変調するようになされ、かつ、前記被処理品に向けて前記電磁放射線を中継するようになされたマスクと、前記リソグラフィ装置の最終レンズの少なくとも一部および前記被処理品の一部と接触する液浸媒体とを含み、毛細管力によって前記接触領域が制限される。また、本発明は、被処理品にパターン付与する方法および液浸レンズに関する。
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本発明は、限界寸法変化を低減し、レチクル、マスク又はウェハなどの基板にパターン形成し、ＣＤ均一性を改善する方法に関する。具体的には、本発明は、マルチ・パス描画方式のパスにおいて加える線量を、基板に施されるレジスト又は放射感応層の測定可能な特性値に調整することに関する。具体的な描画処理を説明する。本発明の態様は、特許請求の範囲、明細書及び図面に記載する。
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【課題】 本発明は、振動に起因する描画の誤差による基材の良品不良製品を識別することの可能な描画システム、情報処理装置、電子ビーム描画装置、基材の検査方法、その方法を実行するためのプログラム、プログラムを記録した記録媒体、描画方法、及び基材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の描画システムは、ビームにより基材に対して描画を行う描画装置（３）と、描画装置による振動ないしは外部からの振動を計測する振動計測装置（５００）と、振動計測装置にて計測された振動と、前記基材に対するドーズ量に応じた前記振動による描画位置ずれの影響度に基づいて、前記基材の描画の品質を判定するように制御する品質判定制御装置（６００）と、含む。 （もっと読む）

【課題】 レンズの光吸収による各投影光学ユニットの光学特性の変動を実質的に抑制することのできる露光装置。
【解決手段】 照明系（ＩＬ）と、複数の投影光学ユニット（ＰＬ１〜ＰＬ５）を有する投影光学系（ＰＬ）とを備え、照明系は各投影光学ユニットの瞳面と光学的にほぼ共役な位置に二次光源を形成し、マスクパターンを投影光学系を介して感光性基板（Ｐ）上へ投影露光する露光装置。照明系は、光照射による各投影光学ユニットの光学特性の変動を実質的に制御するために、二次光源の光強度分布を、中心よりも周辺において実質的に強度の高い光強度分布に設定するための強度分布設定手段（９）を備えている。 （もっと読む）

【課題】 電子線リソグラフィーを用いて、良好な形状を有する数十ナノメートル径のホールパターンを形成する。
【解決手段】 下地表面上に、ポジ型の電子線レジストを含有するレジスト層を形成し、前記レジスト層に電子線を照射した後、現像することにより、前記レジスト層にホールを形成する工程を有し、前記ホールの平均径をＷ（単位：nm）とし、Ｗが８０のときの最適な電子線照射量をＤ₈₀としたとき、４０≦Ｗ≦７０であるホールを形成する際に、電子線照射量Ｄ_Wが０．８５×６０／（Ｗ−２０）≦Ｄ_W／Ｄ₈₀≦１．１×６０／（Ｗ−２０）
を満足するように電子線を照射するレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）