説明

Fターム[3B116BB01]の内容

清浄化一般 (18,637) | 流体的清浄手段 (5,067) | 浸漬 (396)

Fターム[3B116BB01]の下位に属するFターム

洗浄槽 (202)
給排水手段 (112)

Fターム[3B116BB01]に分類される特許

81 - 82 / 82


(a)高密度化二酸化炭素連続相と、(b)前記二酸化炭素連続相内の極性の不連続相と、(c)前記不連続相内の金属(すなわち、基板から除去される金属または基板に塗布すべき金属)と、(d)前記連続相、前記不連続相、または前記連続と前記不連続相の両方の中のリガンド少なくとも1種とを含み、基板から金属を除去するためまたは基板上に金属を塗布するために有用な組成物を記載する。 (もっと読む)


エッチングチャンバ、レジスト剥離チャンバ等の、半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面のウェット洗浄方法は、石英表面を、少なくとも一つの有機溶媒、塩基溶液及び複数の異なる酸溶液と接触させて、石英表面から有機汚染物質及び金属汚染物質を除去する工程を含む。石英表面は、好ましくは、少なくとも2回酸溶液の一つと接触させられる。 (もっと読む)


81 - 82 / 82