【課題】 ガイドリングを無駄に捨てることなくほぼ使用限界まで使用できる、ＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、及び、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＭＰ装置１１は、半導体ウエハ４４を吸着して保持するトップリング４６と、半導体ウエハ４４の側面をガイドするリテーナリング４５と、半導体ウエハ４４を研磨する研磨パッド４１と、ＣＣＤカメラ４２とを有する。半導体ウエハ４４を研磨処理するとき、半導体ウエハ４４とともに、半導体ウエハ４４をガイドしているリテーナリング４５の研磨を行う。リテーナリング４５には、半導体ウエハ４４を研磨したときに発生する研磨粉を排出する溝が設けられている。溝は、ＣＣＤカメラ４２によって溝の画像が取り込まれ、この画像を画像処理部で処理することにより深さが求められる。この深さを随時確認することで、リテーナリング４５の使用限界管理をする。 （もっと読む）

【課題】溶接ビード周辺を滑らかな自由曲面にする仕上げ処理を、自動化してロボットに任せられる溶接ビード仕上げシステムは、これまで完成していなかった。長年、ロボットによる自由曲面仕上げの実現が待望されていた。
【解決手段】溶接ビード周辺の三次元形状測定をし、目標形状の設定から目標研削体積を算出し、さらに単位時間研削量も求め、ロボットの動作軌道の計算をして、制御するロボットコントローラーを組み込み、かつ位置情報と送り速度情報により軌道追従制御機能を持たせて実現した。すなわち、理想的なグラインダーの動きを自動制御し、研削量に応じて、グラインダーの送り速度を自動調節する機能を持たせた。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板のように極めて高い表面平滑性と表面精度が要求されるガラス基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さＲｍｓが０．１５ｎｍ以下になるように研磨する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの研磨の間、定盤の重量が変化した場合であっても、常に安定した荷重状態でウエハの研磨を行う研磨装置及び研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨装置１には、上定盤２１と下定盤２２とから構成された一対の定盤２と、上定盤２１を昇降させる昇降機構３とが、設けられている。昇降機構３は、上定盤２１を支える支持部４と、上定盤２１を昇降させるモータ５と、モータ５の昇降機能を制御するためのストッパー部６と、ウエハＷの研磨の間、経時的に変化する上定盤２１の重量に基づき上定盤側の荷重を加減する逆圧制御機構７と、から構成される。逆圧制御機構７では、測定部７１による上定盤２１の重量の測定値に基づいて、ウエハＷの研磨の間の上定盤側の荷重が算出され、この荷重に変動があった場合にその過不足分の荷重が上定盤側の荷重に加減される。 （もっと読む）

【課題】被研磨材間あるいは１つの被研磨材における厚さの不均一性を改善し、かつ研磨の終点制御を容易にすることができる研磨装置及び方法を提供する。
【解決手段】被研磨物を研磨するための研磨室３６と制御装置３４とを有する研磨装置であって、前記研磨室には、前記研磨室内の雰囲気の温度を測定する温度センサ４８と、研磨面１０を有する研磨テーブル１２と、前記研磨面に研磨液を供給するノズル１６とが設けられ、前記制御装置に入力された被研磨物と研磨面との接触面の温度に対する研磨目標温度の値と前記温度センサ４８により測定された値に基づいて前記研磨液の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体の基板表面のテクスチャ加工において、テクスチャ加工の前後ばかりでなく、テクスチャ加工状態における基板の面振れの異常も検出することができるテクスチャ加工装置を提供する。
【解決手段】 テクスチャ加工される基板２２の被加工面と研磨テープ３４との間の水の圧力を検出する圧力センサ４６Ａおよび４６Ｂが設けられるもとで、制御ユニット５０が圧力センサ４６Ａおよび４６Ｂからの検出出力に基づいて基板２２の面振れの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 定盤の研磨面に埋め込まれた砥粒の面密度を適切に評価することの可能な研磨装置を得ること。
【解決手段】 本装置は、研磨時に研磨対象物を載せる定盤２１と、前記定盤の研磨面に平行な面を有する部材４１と、砥粒を含むスラリーを前記研磨面に供給するスラリー供給手段１０９と前記研磨面に光を照射する手段１０４，１０３と、前記研磨面からのラマン散乱光の強度変化を分析する手段１０４とを有する研磨装置である。研磨装置に使用される定盤に砥粒を含むスラリーを滴下し、定盤の研磨面に平行な面を有する部材と定盤とを相対的に運動させる。研磨面に光を照射し、研磨面からのラマン散乱光の強度変化に応じて、スラリーの滴下量等を調整する。これにより、所定の面密度で砥粒が研磨面に埋め込まれた定盤を作成することができる。 （もっと読む）

取り外し可能に接続された工具の動作速度を概して自動的に調整することができる電気的に付勢される装置が提供される。該装置は、該装置に取り外し可能に接続された工具に対する工具の摩耗を評価し、該工具の摩耗に基づいて工具の摩耗信号を生成し、そして工具の摩耗信号に基づいて工具の動作速度を調整する回路を含む。該装置は、さらに、特定の工具を識別することにより、かつ工具の摩耗を考慮するよう後で調整され得る初期の動作速度を設定することにより、装置に取り外し可能に接続された特定の工具の初期の動作速度を自動的に設定することが可能であり得る。
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【課題】基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨する。
【解決手段】基板研磨装置では、膜厚測定部にて基板の表面に形成された膜の厚さを測定して第１膜厚が取得され（ステップＳ１２）、研磨部にて基板が所定の初期研磨時間だけ研磨される（ステップＳ１３）。初期研磨時間の研磨が終了すると、基板の膜の第２膜厚が取得され（ステップＳ１４）、第１膜厚、第２膜厚および初期研磨時間から研磨レートが導かれる（ステップＳ１５）。研磨レートは補正係数を用いて補正され（ステップＳ１６）、第２膜厚と目標膜厚との差と、補正後の研磨レートとに基づいて追加研磨時間が求められる（ステップＳ１７）。そして、追加研磨時間だけ基板がさらに研磨される（ステップＳ１８）。これにより、基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨することができる。 （もっと読む）

【課題】平坦度が０．２５μｍ以内の高平坦度を有するマスクブランク用基板、マスクブランクおよびこの基板を用いたときのパターン位置精度や、転写精度が良好な転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアの保持孔に保持されたマスクブランク用基板を、該基板の上下両面に研磨パッドを貼った上下定盤に挟持させ、前記上下定盤を基板の被加工面と垂直な軸にそれぞれ回転させ、キャリアに保持された基板が、研磨パッド間で自転しながら公転する摺動運動をすることにより、前記基板を両面研磨して、前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下になるようにした後、前記基板の少なくとも一主表面の平坦度を測定し、測定したデータに基づき基板の平坦度が所望の値となるように、前記一主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域についてエッチング作用を利用して局所的に形状修正する。 （もっと読む）

研磨装置は、研磨面（４０）を有する研磨テーブル（１８）と、基板上の複数の領域（Ｃ１−Ｃ４）に対する押圧力を独立に制御しつつ基板を研磨面（４０）に押圧するトップリング（２０）とを備える。研磨装置は、複数の基板の計測点の基板状態を監視するセンサ（５２）と、センサ（５２）からの信号に所定の演算処理をしてモニタ信号を生成するモニタ装置（５３）と、それぞれの計測点におけるモニタ信号と基準信号とを比較し、計測点におけるモニタ信号が基準信号に収束するように、トップリング（２０）による押圧力を制御する制御部（５４）とを備える。
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研磨工程及びその他の物質除去工程をインサイチューに監視するための技法は、ウェハーキャリアに埋め込まれた水晶振動子ナノバランス（２２５）を採用する。ウェハーから除去された物質は水晶体の表面に沈積する。その結果の水晶体の周波数のシフトは除去された物質の量を示し、瞬間除去速度並びに工程終点を決定できるようにする。水晶結晶板ナノバランス（２２５）への沈積は、与えられるバイアスによって制御することができる。複数の水晶振動子ナノバランスを使用することができる。本発明のさらなる実施態様においては、研磨工程中にスクラッチなど欠陥原因事象を検出するために水晶振動子ナノバランスが使用される。
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ワイヤソーとウェハの安定化システムが、ソーイング工程中の振動及び好ましくない移動に対してウェハの区画（１１２）を一様に保持するために提供されている。安定化手段（１１４）は、ウェハの部分がシリコン材料のインゴットまたはブロックから部分的に切り出されるときの初期段階で、部分的に形成されたウェハの区画の端部に適用される。安定化手段は、後続のソーイング工程中の振動、揺動、又は好ましくない接触に対してウェハの区画を安定化するように働く。また、安定化手段は、スライスが完了した後のウェハの処理を加速し、洗浄工程を容易化し、カセットの中へのウェハのより迅速な、若しくは自動化された収容を可能とする。安定化システムによって生産されたウェハは、最小化された全体的な厚みのばらつき、実質的に均一な平面度、及び実質的に曲がりまたは撓みがないことによって特徴付けられる。
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メインセンサ１５は、パッド２ａの表面までの距離Ｌｍを測定し、サブセンサ１６は基準ブロック１２の表面までの距離Ｌｓを測定する。実際に測定値とされるのは（Ｌｍ＋Ｌｓ）の値である。基準ブロック１２は、パッド２ａの表面位置を測定するための基準位置を与えるために使用されており、このため、例えば案内保持板７や案内８の変形により可動子９の位置が変動しても、正しい
測定が行われるようになっている。モータ１１を回転させるとポールスクリュー１０が回転し、可動子９が左右に移動して、パッド２ａまでの距離を測定する。この距離の測定データより、パッド２ａの円錐頂角、溝深さ、厚さ等を求める。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
ＣＭＰシステムのプロセス制御を提供するシステム及び方法は、ウエハ研磨パッドを調整するための真空補助装置を使用して、調整プロセスからの廃液（すなわち、ウエハデブリス、研磨スラリ、化学的又はその他の副生成物）は、廃棄物の流れから逸れて、その代わりに更なるプロセシングのための分析モジュールに導入される。この分析モジュールは、廃液中の少なくとも一のパラメータを決定し、分析に基づいてプロセス制御信号を発生するように機能する。次いで、このプロセス制御信号は、平坦化プロセスにフィードバックされ、研磨スラリ組成物、温度、流速等の各種のパラメータの制御を可能にする。また、このプロセス制御信号を用いて、調整プロセス及び／又は平坦化プロセス自体の終点を決定することが出来る。 （もっと読む）

本発明は、工具（６）の駆動部に使用されるモータ（８）を備えた手持ち式電動工具に関する。該手持ち式電動工具（１）は、被加工品（７）に対して及ぼされる工具（６）の押圧を検出するセンサユニット（９）が信号発生器（１０）と共働することを特徴とする。
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ウェーハ上に配置された層の厚さの変化を該層の研磨中に測定する方法である。研磨パッドに配置された光学センサから光をウェーハの表面に向ける。研磨パッド上に配置された光検出器により反射光の強度を測定する。反射光の強度は層が除去されるにつれて層の厚さの懸架に対して正弦的に変化する。正弦曲線の沿った２又はそれ以上の点の絶対的な厚さを測定することによって、該曲線の波長の一部が層の厚さの変化に対応するように、正弦曲線を較正する。
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ボア（２）の表面（３）に荒ホーニングを行う方法において、ホーニングツール（５）をボア（２）に挿入する。その際ボア（２）の縦軸（Ｍ_B）は、加工終了したボア（２）に対してオフセット（Ｓ）を持つ。このオフセット（Ｓ）は、荒ホーニングを行っている間に補償される。
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渦電流モニタリングシステムは、細長いコアを含んでもよい。１つ以上のコイルを、ウェハ上の１つ以上の導電性領域に結合できる振動磁界を発生するために、該細長いコアに結合することができる。該コアは、改善された分解能を実現できると共に、十分な信号強度を維持するように、該ウェハに対して移動させることができる。渦電流モニタリングシステムは、共振周波数で振動磁界を発生するＤＣ結合マージナル発振器を含んでもよく、この場合、該共振周波数は、１つ以上の導電性領域に対する変化の結果として変化させてもよい。渦電流モニタリングシステムは、リアルタイム・プロファイル制御を可能にするために用いることができる。 （もっと読む）

基板の研磨を監視するための技術を実施する方法及び装置。２つ以上のデータ点が取得され、各データ点は、センサの感知領域内の特徴部により影響される値を有すると共に、感知領域が基板を横断していくときに基板(10)とセンサとの相対的位置に対応する。基準点のセットを使用して、取得したデータ点を変更する。この変更は、基板を横断する感知領域により生じる取得したデータ点の歪を補償する。変更されたデータ点に基づき、基板の局部的特性を評価して、研磨を監視する。 （もっと読む）