【課題】ツールを用いて仕上げロボットにより隅角部や段部を仕上げる場合ツールを対象表面と複数点で接触させて、その反力の合力の大きさ、方向に変動が生じた場合でも適正に接触させるように制御することが出来る、仕上げロボットの倣い装置および倣い方法を提供する。
【解決手段】回転ブラシ５を用いてワーク隅角部の両壁面の仕上げ作業を行う仕上げロボット１の倣い装置であって、回転ブラシ５を、前記両壁面との２点での接触状態を維持しつつ、所定の軌跡に沿って移動させ得るロボットハンド２と、２つの接触点の各々で回転ブラシ５に作用する摩擦反力の合力の方向を検出するセンサ機構部３と、該センサ機構部３での検出結果に基づいて、前記合力の方向が予め設定された所定方向となるように、ロボットハンド２による回転ブラシ５の移動方向を制御する制御ユニット８と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程中に加工変質層の有無を把握でき、ＣＭＰ工程の継続か終了を容易に判断できるＳｉＣ単結晶基板の研磨方法を提供する
【解決手段】第１の不純物濃度を持つ第１の領域と前記第１の不純物濃度よりも大きい第２の不純物濃度を持つ第２の領域とを持つＳｉＣ単結晶から成るモニター基板と前記第１の不純物濃度と同一の不純物濃度を持つＳｉＣ単結晶基板とを共に機械研磨加工する機械研磨工程と、前記機械研磨工程を経た前記モニター基板と前記ＳｉＣ単結晶基板とを共にＣＭＰ加工するＣＭＰ工程と、前記ＣＭＰ工程を経た前記モニター基板の前記第１の領域と前記第２の領域との段差を測定する段差測定工程と、前記測定された段差が所定の範囲で有れば研磨終了と判断する研磨終了判定工程と、からなるＳｉＣ単結晶基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶ウェハの結晶軸に対する切断角度を所望の角度に調整することが可能な単結晶ウェハの製造方法に関する。
【解決手段】水晶ランバードから水晶の結晶軸に対して所望の切断角度を狙って切り出され、初期研磨が施された水晶ウェハの初期切断角度測定を行う（ステップＳ４）。初期切断角度測定により水晶ウェハの切断角度が規格値の許容範囲外であった場合（ステップＳ５でＮｏ）には、ステップＳ８に示すように、予め確認された段差の形状と切断角度補正研磨前後の切断角度のシフト量との関係を示すデータに基づいて、初期切断角度測定で測定された水晶ウェハの切断角度の規格値との差を補正し得る段差形状を決定し、次に、ステップＳ９に示すように、ステップＳ８で決定された形状の段差を水晶ウェハに形成する。そして、段差が形成された水晶ウェハを所定量研磨する切断角度補正研磨を行う（ステップＳ１０）。 （もっと読む）

【課題】平面加工による加工精度を向上させることができる保持装置を提供する。
【解決手段】ウェハ保持装置５０は、ウェハ３０に隣接して設けられ被研磨面３１に研磨部材４２を当接させてウェハ３０の研磨を行うときに研磨部材４２の被研磨面３１からのはみ出し部分の少なくとも一部を支持するガイド装置７０を備えている。そして、ガイド装置７０は、周面のうちの研磨部材４２側に位置する上端部が上記はみ出し部分の少なくとも一部を支持するように被研磨面３１と同一面上に位置する回転自在の複数のガイドローラ８０を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】簡便に、精度の高い加工を行うことができる加工装置、加工方法、欠陥修正装置、及び欠陥修正方法それを用いたパターン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】一態様にかかる加工装置は、対象物体３上に研磨ヘッド２１を配置して、対象物体３に対して加工を行う加工装置であって、研磨ヘッド２１に設けられたホルダ１０６と、ホルダ１０６に設けられ、対象物体３に対して気体を噴出する複数の噴出口と、研磨ヘッド用センサからの測定信号に基づいて、昇降機構を制御する処理装置と、複数の噴出口の間において、ホルダ１０６の下側に配置された研磨チップ１０２と、噴出口から噴出される気体によって対象物体３に対する研磨チップ１０２の傾きが変化するように、ホルダ１０６に対してチップを回転自在に取り付けるジョイント１０７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】正確にかつ簡便に半導体基板の表面処理工程をモニターできる方法を提供する。
【解決手段】本半導体基板の表面処理のモニター方法は、半導体基板の表面にマーカ１０を形成する工程と、マーカ１０が形成された表面を処理する工程とを備え、表面を処理する工程における表面のマーカ１０の形態の変化により表面を処理する工程をモニターする。 （もっと読む）

【課題】基板に対して研磨加工が施された場合に、当該箇所に、基板の周辺の面に対して傾きを持たせないようにする。
【解決手段】研磨装置１では、初期設定として、基準ベース板４の傾きが調整され、そして、研磨ヘッド１２の先端面の傾きが調整される。そして、研磨装置１では、ガラス基板１００の研磨を指示されると、当該ガラス基板１００に対する研磨ヘッド１２の先端面の傾きが調整された後、当該ガラス基板１００の研磨が実行される。 （もっと読む）

【課題】単純な作業手順で研磨条件を決定し、研磨対象物の被研磨面を均一に平坦化することができるとともに、効率よく被研磨面を所望の面形状に仕上げることができる研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＯ₂膜が形成された半導体ウェハ２ｂの被研磨面と研磨パッド１５とを当接させた状態で両者を相対移動させ、半導体ウェハ２ｂの被研磨面を研磨した時の研磨レート（研磨除去量の変化）を求めるステップと、求められた研磨レート（研磨除去量の変化）からＳｉＯ₂からなるガラス板２ａを研磨する時の研磨条件を求めるステップと、求められた研磨条件に基づいてガラス板２ａの研磨を行うステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドのリバウンド部によるウェーハの外周縁部の過剰研磨を防止すると共に、研磨後のウェーハの品質性能のばらつきを抑制する。
【解決手段】ウェーハＷを研磨パッド１６に押し付けて研磨する研磨ヘッド１１の分割加圧型リテーナリング１９であって、リテーナリング１９を径寸法の異なる複数のリング分割体１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃに分割する。各リング分割体１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃは互いに独立に上下移動可能に設けられ、各リング分割体１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃの加圧値はエアー加圧機構２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃにより各別に設定制御される。各リング分割体１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃの加圧値を独立に制御することで、研磨パッド１６のリバウンド部３０の高さ、位置等が最適に制御される。 （もっと読む）

【課題】研磨工程において実際に使用されている状態における研磨パッドの表面形状及び粘弾性特性を示す値の両者が測定可能な測定手段を有した研磨装置を提供する。
【解決手段】ウェハを研磨パッド２７の研磨面２７ｓに当接した状態で両者を相対移動させてウェハを研磨するＣＭＰ装置であって、研磨パッド２７の研磨面２７ｓと基準表面６２ｓとの間の距離を測定するメインセンサ６５及びサブセンサ６６を有し、研磨パッド２７の研磨面２７ｓの表面形状を測定するパッド形状測定装置と、研磨パッド２７の研磨面２７ｓに押圧して圧力負荷をかける圧力負荷装置とを備え、圧力負荷装置の圧力負荷によって研磨パッド２７の研磨面２７ｓに生じた変形量をメインセンサ６５及びサブセンサ６６を用いて測定し、測定された変形量が基準範囲内にあるか否かを判断するように構成される。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成によることなく、本体部下面の傾斜角、すなわちロウバーの短手方向の傾斜角を、微小な角度範囲で調整することが可能な治具を提供し、それにより、磁気ヘッドに形成されるロウバーにおけるライト素子の磁極高さの精密な制御を実現し、ライトコア幅の安定化を可能にする治具を提供する。
【解決手段】治具１は、被研磨物１４を研磨する研磨装置に取り付けられ、該被研磨物１４を本体部２の下面２ｅで保持して、被研磨物１４の被研磨面１４ａを研磨装置の研磨定盤に押圧する治具１であって、本体部２の一側面に、側面を加熱するヒータ５０を備える。 （もっと読む）

本発明は、ユニバーサル支持体に同軸に取付けられ、円周に環状電気コレクター（３５）を有する固定環状プレート（３０）と、回転可動し且つ固定環状プレート（３０）に同軸に取付けられた環状プレート（５０）を備えるタイプの回転金属壁の研磨用環状装置（２０）に関する。可動環状プレート（５０）は、電気コレクター（３５）と相互に作用する一組の集電器（５５）と、可動環状プレート（５０）を回転駆動するための手段（６０）と、金属壁を研磨するための手段（７０）と、研磨手段（７０）を金属壁に押し付け且つ保持するための空気供給手段（８０）とを支持する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハの周縁部の広い領域に効果的に圧力を加えて研磨を行うことが可能な半導体ウェハの研磨方法を提供する。
【解決手段】 周縁部に研磨対象面を有する半導体ウェハ１０を円周方向に回転させながら、複数の押圧部３２により半導体ウェハの円周に沿って研磨部材４１を研磨対象面に押し付けて、研磨対象面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】研磨終点の検出を確実に行える半導体ウェーハの研磨方法及び半導体ウェーハの研磨装置を提供する。
【解決手段】被研磨層の研磨終点に周期性を有するパターン５０が形成された半導体ウェーハＷを保持したスピンドル６と、表面に研磨パッド４が設けられた回転テーブル２と、をそれぞれ回転させながら、被研磨層を研磨パッド４に接触させて研磨する研磨方法であって、スピンドル６及び回転テーブル２の回転に伴って生じる振動に、パターン５０が研磨パッド４に達したことに伴う振動が加わると共振するように、パターン５０の周期を設定した。 （もっと読む）

【課題】 基板周縁部等に発生する表面荒れや基板周縁部等に付着し汚染源となる膜を効果的に除去することができる基板処理装置及びその基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、半導体ウェハ等の被処理基板１０を保持する基板保持機構２０と、水平方向に移動可能な研磨ヘッド３０と、研磨ヘッド３０に装着され、被処理基板の周縁部の研磨に供される研磨テープ４０と、被処理基板１０上に純水を供給するための純水供給ノズル５０とを備えている。研磨ヘッド３０は、被処理基板１０のベベル部及びデバイス面側のエッジ部に対して、接触・加圧・角度調整を行うことができる。研磨ヘッド３０には、被処理基板１０と接触・加圧させる部分に突出部を有する研磨パッド６０が設けられている。 （もっと読む）

ねじ切り用の工具、ねじ切りドリル若しくはねじ切りタップの切れ刃の逃げ面研削若しくは食い付き部の逃げ面研削のために、研削ディスクに、回転する制御ディスクの測定結果に依存して生ぜしめられる付加的な半径方向内向運動を与えることは公知である。このために、制御ディスク（１１）は制御カム（１２）を有していて、１つの軸Ａを中心として回転させられる。制御カム（１２）は、ねじ切り用の工具の研削すべき切れ刃の逃げ面輪郭の数に相応した複数のカムから成るカムユニットを形成している。所定の切れ刃に所定の逃げ面輪郭を形成するために、制御カム（１２）に限定的な所定の回転角αを選ぶ。該領域、つまり回転角は、検出装置によって機械式、光学式若しくは電子式に検出される。このために制御ディスク（１１）は、制御カム（１２）の前記選ばれた領域にわたってのみ往復の回転運動若しくは旋回運動を生ぜしめるようになっている。１回の往復運動によって、切れ刃は逃げ面研削されて、研削ディスクは出発位置へ戻される。検出の結果は、信号通路（１４）を介して電子式の制御装置に伝達される。
（もっと読む）

【課題】本発明は、コンピュータ制御装置を用いなくてもボールエンドミルの刃先部の外刃と裏刃を簡単かつ正確に再研磨することができるボールエンドミル刃先部研磨機を提供する。
【解決手段】このボールエンドミル刃先部研磨機１０の基台１１の左側部にはボールエンドミル１の刃先部３の裏刃２Ｂを専門に再研磨するボールエンドミル裏刃研磨装置１２が設けられている。前記基台１１の右側部にはボールエンドミル１の刃先部３の外刃２Ａを専門に再研磨するボールエンドミル外刃研磨装置１３が設けられている。また、前記基台１１の右側部後側にはボールエンドミル１の刃先部３の先端部を専門に再研磨するボールエンドミル刃先部先端研磨装置１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】たとえ６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線構造を有する半導体デバイスであっても、基板の表面に形成した余剰な金属膜やバリア膜を、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨できるようにする。
【解決手段】基板表面の絶縁膜内に設けた配線用凹部以外に形成された金属膜及び／またはバリア膜を研磨除去する研磨装置５４の研磨パッド６６を初期コンディショニングするにあたり、研磨パッド６６にドレッサー３８を０．６ｐｓｉ以下の押付圧力で押付けながら第１のコンディショニングを行い、基板研磨時よりも大きい研磨圧力でダミー基板を研磨して第２のコンディショニングを行う。 （もっと読む）

【課題】スラリー残マップ検出装置に関し、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】回転自在である研磨パッド１に対し保持したウェーハを接離する為に上昇下降自在である研磨ヘッド２と、ウェーハの研磨が完了した直後に研磨ヘッド２が上昇し保持されているウェーハと研磨パッド１との間に生成される空間に挿入され研磨ヘッド２が保持しているウェーハと接触してスラリー付着状態を検出するウェーハ接触面４、基部３をもつスラリー検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】 切削工具を連続加工することができる切削工具の加工方法及び加工装置を提供すること。
【解決手段】 研削手段を用い、回転切削工具の回転軸と平行な回転軸を有する保持手段で保持された被研削体を研削して切刃を有する切削工具を形成する切削工具の加工方法において、記録手段に記録された研削後の被研削体の形状の測定データを基に設計値に対する補正量を算出する補正量算出工程と、前記設計値及び前記補正量を用いて前記被研削体を研削する研削工程と、前記研削された被研削体の形状を前記保持手段で保持した状態で測定する測定工程と、該測定工程による測定データを前記記録手段に記録する記録工程とを備える。 （もっと読む）