【課題】研磨作業が煩雑化することがなく、低コストで生産性に優れ、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程（Ｓ１）と、接合体の活性層用ウェーハ側を加工して、第１の厚さの活性層を形成する工程（Ｓ２）と、活性層を形成した接合体を研磨用プレートに複数枚貼り付け、活性層を第２の厚さまで研磨する工程（Ｓ３）と、研磨した接合体を研磨用プレートに貼り付けた状態で、第２の厚さを光学的に測定する工程（Ｓ４）と、測定した第２の厚さに基づいて、活性層を第３の厚さまで再研磨する工程（Ｓ５）と、を備える。 （もっと読む）

一態様では、研磨方法は、基板を研磨するステップと、研磨中に監視すべき選択されたスペクトル特徴の識別情報および選択されたスペクトル特徴の特性を受け取るステップとを含む。この方法は、基板が研磨されている間に基板から反射された光の一連のスペクトルを測定するステップを含み、研磨中に材料が除去されるため、その一連のスペクトルの少なくとも一部は異なる。研磨方法は、一連のスペクトル内のそれぞれのスペクトルに対する選択されたスペクトル特徴の特性の値を判定して、その特性に対する一連の値を生成するステップと、一連の値に関数を適合させるステップと、関数に基づいて研磨終点または研磨速度に対する調整を判定するステップとを含む。
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本発明は平坦なワークピースを両面加工する装置に関し、この装置は、上部作業ディスクと下部作業ディスクとを備え、両作業ディスクは、互いに向き合うそれらの作業表面の間に、ワークピースを加工するための作業空隙を形成し、また作業ディスクの少なくとも一方は、液状作業媒体を作業空隙へと供給するため作業表面まで貫通する複数の穴を有し、穴はいくつかの群にまとめられ、各穴群は作業媒体のための個別の加圧供給ラインに接続され、また供給ライン内の作業媒体の圧力を互いに個別に調節することを可能とする少なくとも１つの圧力制御装置が配備される。 （もっと読む）

【課題】迅速にワイヤの断線を検出可能なワイヤソー切断装置を得ること。
【解決手段】ワイヤ２が複数回掛け回されるガイドローラ１と、ガイドローラ１を回転させてワイヤ２を走行させるモータ９と、ワイヤ２の表面に通電性を有するアルカリ性スラリー４を付着させるスラリーノズル７と、を有し、アルカリ性スラリー４が表面に付着したワイヤ２によってシリコンインゴット６を切断するワイヤソー切断装置であって、アルカリ性スラリー４が表面に付着した走行中のワイヤ２がシリコンインゴット６を切削している際の切削抵抗を測定し、切削抵抗の検出結果に基づいてワイヤ２の断線の有無を判断する演算機１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】砥石に向けて切削水を吐出するノズルの位置調節を高精度な位置調節機構を用いることなく粗く行なった場合でも、加工装置の加工精度を高い状態に維持することができる。
【解決手段】加工装置において、回転して被加工物Ｗを切断もしくは被加工物Ｗに対して溝入れする円板状の砥石１と、砥石１の外周部に設けられた切削部５に砥石１の径方向から対向するとともに切削部５の幅方向に位置調節可能に設けられ、砥石１に向けて切削水Ｌを吐出するノズル７と、を備え、ノズル７の断面形状は、切削部５の幅方向に沿った方向の寸法“ａ”が、切削部５の周方向に沿った方向の寸法“ｂ”より大きい矩形状、もしくは楕円形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】研磨対象物である基板が外れてしまうことを防止し、安定した研磨を実現することができるようにする。
【解決手段】研磨面を有する研磨パッド１０１と、基板Ｗを保持して研磨面に基板を押圧して該基板を研磨するトップリング本体２と、基板Ｗの外周部を保持して研磨面を押圧するリテーナリング３とを有する研磨装置であって、リテーナリング３の少なくとも２つの位置での高さを検出するセンサ５０６と、センサ５０６により検出された高さからリテーナリング３の傾きを算出する演算部５０８とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ワークの切断に用いられるマルチワイヤソーのワイヤの断線の予兆を検知するようにしたマルチワイヤソーのワイヤ断線予防装置を得る。
【解決手段】スラリ供給弁４からスラリが供給され、シリコンインゴッドのワーク３を切断中のワイヤ１の反射光をビジョンセンサ５によって撮像し、この撮像された画像をワイヤ異常検知部１２により、グレイレベル化し、このグレイレベル化された画像を解析し、平均値と標準偏差が設定閾値内であり、かつグレイレベルの強度が閾値を超えたとき、ワイヤの乱れ線として検出するとともに、この検出された乱れ線を時系列に蓄積して出現頻度が閾値を超えたとき、断線の予兆と判断して、ワイヤによる切断作業を制御する加工制御装置２０へ制御信号を出力して、断線を予防するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨を監視するための技術を実施する方法及び装置。
【解決手段】２つ以上のデータ点が取得され、各データ点は、センサの感知領域内の特徴部により影響される値を有すると共に、感知領域が基板を横断していくときに基板(10)とセンサとの相対的位置に対応する。基準点のセットを使用して、取得したデータ点を変更する。この変更は、基板を横断する感知領域により生じる取得したデータ点の歪を補償する。変更されたデータ点に基づき、基板の局部的特性を評価して、研磨を監視する。 （もっと読む）

本発明は、両面機械加工ツールの内で平坦なワークを機械加工する方法に関し、上下定盤を有し、少なくとも１個の定盤が回転駆動され、当該定盤のそれぞれは円形の加工面を有し、それら加工面は、円形の加工間隔を制限し、少なくとも１個のキャリアが当該加工間隔内に位置決めされ、当該キャリアは、少なくとも１個のワークが加工面の間で両面機械加工されるよう加工間隔に少なくとも１個のワークを案内する。本発明によれば、定盤間の距離は、加工間隔の少なくとも２つの半径方向に離間された測定位置で測定され、測定された当該距離から、前記定盤間の距離が、加工間隔で機械加工される少なくとも１個のワーク厚みを示す加工間隔の位置を測定位置から次第に半径方向に離間された位置として求め、当該加工間隔内で機械加工された少なくとも１個のワーク厚みが、この方法で求められた距離から求められる。 （もっと読む）

【課題】事前に多数の研磨試験などを行うことなく、より精密な研磨プロファイル制御を行うことができるようにする。
【解決手段】研磨面５２ａを有する研磨テーブル２２と、研磨対象物Ｗを保持し研磨面５２ａに押圧するトップリング２４と、研磨面５２ａに研磨液を供給する研磨液供給ノズル２６と、研磨液供給ノズル２６の研磨液供給位置２６ａを研磨面５２ａの略半径方向に沿って移動させる移動機構７０と、移動機構７０を制御するコントローラ６６と、研磨液供給ノズル２６の研磨液供給位置２６ａと研磨プロファイルとの関係を予測しシミュレーションを行ってコントローラに出力するシミュレータ７２とを備えた。 （もっと読む）

研磨システムは、研磨パッドのすべての層を貫通して延びるアパーチャを具備する研磨パッドおよび光学モニタリングシステムの光発生素子または光案内素子の上面上に設置された光透過性膜を含む。
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【課題】比較的高い研磨レートを維持したまま、研磨液の消費量をより削減することができるようにする。
【解決手段】研磨面５２ａを有する研磨テーブル２２と、研磨対象物Ｗを保持し該研磨対象物Ｗを研磨面５２ａに押圧するトップリング２４と、研磨液供給ライン７２に接続されて研磨面５２ａに研磨液Ｑを供給する研磨液供給ノズル２６と、研磨面５２ａ上の研磨液量を研磨中に監視する研磨液量監視手段６０と、研磨液量監視手段６０の出力に応じて研磨液供給ノズル２６から研磨面５２ａに供給する研磨液Ｑの液量を調整する液量調整部７４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 研磨レートの推定精度を高める。
【解決手段】 研磨中における研磨部分の温度の情報と、前記温度以外の、研磨レートと関係のある所定の物理量の情報とを利用して、研磨レートを推定する研磨レート推定部Ｋを設ける。前記温度の情報は、研磨中における少なくとも２つの異なる所定の時間範囲内でそれぞれ検出した研磨部分の温度に基づいた前記各時間範囲毎の研磨部分温度情報である。 （もっと読む）

【課題】研磨工程の結果を短時間で予測・評価し、もってレイアウト修正を高速化して短時間で歩留まりを向上すること。
【解決手段】研磨予測評価装置２０は、回路レイアウトをメッシュ分割部２１がメッシュ分割した後、ＥＣＰ演算部２２が各メッシュの堆積高をシミュレーションする。危険度評価部２３は、周辺のメッシュの堆積高との差が大きいメッシュについて、危険度が高いと判定する。メッシュ毎最大危険度抽出部２４は、同一メッシュ座標に積層するメッシュの危険度の最大値を当該メッシュ座標の最大危険度値とし、最適化処理部２６は、最大危険度が閾値以上のメッシュ座標に蓄積する各メッシュの危険度の配分を最適化する。最適化は、各層調節範囲算出部２５が算出した、ダミーメタルの変更で調節可能な危険度の範囲内で行なう。 （もっと読む）

【課題】リテーナリングの摩耗量を高精度に管理することによって、リテーナリングの交換頻度の最適化を図ることができるＣＭＰ装置を提供する。
【解決手段】任意のタイミングにおけるウェーハＷと研磨パッド７との当接位置と、研磨パッド７及びリテーナリング９の交換直後におけるウェーハＷと研磨パッド７との当接位置との関係から研磨ヘッド３の移動距離を算出する。任意のタイミングにおけるドレッサ装置４と研磨パッド７との当接位置と、研磨パッド７の交換直後におけるドレッサ装置４と研磨パッド７との当接位置との関係からドレッサ装置４の移動距離を算出する。研磨パッド３及びドレッサ装置４の移動距離からリテーナリング１０の摩耗量を算出する。 （もっと読む）

本明細書に記載する実施形態は、基板表面を研磨するための方法を提供する。本方法は、一般に、処理中に複数の貯蔵ユニット内に処理用成分を貯蔵するステップと、スラリを作り出すために処理用成分を混ぜ合わせながら、研磨用パッドに処理用成分を流すステップとを含む。基板はスラリを使用して研磨され、基板上に配置された材料層の厚さが決定される。次いで、基板上に配置された材料層の除去速度に影響を及ぼすように、１つまたは複数の処理用成分の流量が調節される。
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【課題】基板上に形成した金属層あるいは絶縁層の膜厚を制御して効率的にかつ正確に研磨加工を行うことができる研磨加工装置及び研磨加工方法を提供する。
【解決手段】ヘッド本体２１及びリテーナリング２３を備える研磨ヘッド２０と、研磨パッド１０が設けられた定盤１２とを備え、前記リテーナリング２３には、前記研磨パッド１０に接する第１の電極２６が設けられ、前記ヘッド本体２１には、基板４０の裏面と電気的に導通する第２の電極２７が設けられ、前記研磨ヘッド２０により前記基板４０を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極２６と前記第２の電極２７との間における、前記基板４０上に該基板４０に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部４３と前記基板４０を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板４０上に形成された成膜層４２の膜厚を制御する制御部３２が設けられている。 （もっと読む）

現在のスペクトルの系列を、その場光学モニタリングシステムを用いて入手し、各現在のスペクトルを、複数の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルと比較する。現在のスペクトルの系列に対してベストフィットを与えるライブラリを決定し、研磨終点を、現在のスペクトルの系列および現在のスペクトルの系列に対してベストフィットを与えるライブラリに基づいて決定する。反射光の現在のスペクトルの第１の系列および第２の系列を、基板の第１のゾーンおよび第２のゾーンから受け取ることができる。ベストマッチ参照スペクトルの第１の系列および第２の系列を生成するために、現在のスペクトルの第１の系列および第２の系列からの各現在のスペクトルを、それぞれ、第１の参照スペクトルライブラリおよび第２の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルと比較する。第２の参照スペクトルライブラリは、第１の参照スペクトルライブラリとは異なる。
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【課題】研磨効率を維持しつつワークを研磨しながら同時に加工状態を検出することができるようにする。
【解決手段】研磨面５１ａをワークＷの被研磨面Ｗｂに回転接触させた状態で、研磨面５１ａが被研磨面Ｗｂの全面を覆う位置と被研磨面Ｗｂの一部が露出する位置との間で研磨パッド５１を保持手段７に対して保持面７１に平行な方向に往復移動させるとともに、被研磨面Ｗｂの一部が露出した位置で被研磨面Ｗｂの加工状態を測定手段１８により測定させるようにした。 （もっと読む）

基板が研磨されている間に、基板はまた光源からの光で照射される。基板の表面から反射した光の現在のスペクトルが測定される。第１のパラメータ値を有する選択されたピークが、現在のスペクトル内で識別される。プロセッサを用いて、第１のパラメータに関連する第２のパラメータの値が、ルックアップテーブルから決定される。第２のパラメータの値に応じて、基板の研磨が変更される。基板を研磨する前に、基板から反射した光の最初のスペクトルを測定してもよく、最初のスペクトルの選択されたピークに対応する波長を決定してもよい。
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