【課題】被加工物の被加工面に多数の微細凹部を形成した後、微細凹部の周囲に生じた盛上り部分を研削加工により除去するに際し、最終的に得られる微細凹部の深さのばらつきを極力小さくし、加工効率の向上を実現する仕上げ加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物Ｗ１における円周面である被加工面Ｓ１に多数の微細凹部Ａを形成した後、微細凹部Ａの周囲に生じた盛上り部分Ｂを研削加工により除去するに際し、被加工面Ｓ１に研削工具であるホーニング砥石１を押付けた状態にし、ホーニングツールを回転させて盛上り部分Ｂを除去しながら、研削抵抗及び押付け圧力の少なくとも一方を検出し、その検出値に基いて加工完了を判断することにより、微細凹部の深さのばらつきを極力小さくして加工効率の向上を実現した。 （もっと読む）

【課題】研磨終了を確実に検出することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明による研磨方法は、回転するチャック（１０９）上に保持した研磨対象物（１１１）に、研磨部材（２０１）を設けた研磨ヘッド（１０１）を押圧して回転させながら揺動させて、前記研磨対象物を研磨する研磨方法であって、前記研磨ヘッドにかかるトルクの、揺動によって生じる振幅を求め、前記揺動によって生じる振幅の変化によって研磨の終了点を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スラリーを使用する研磨装置と一緒に使用するための連続スラリー供給システムを提供する。
【解決手段】上記連続スラリー供給システムは、混合チャンバ、スラリー成分タンク、化学的パラメータ・センサ・システム、および制御システムを備える。各スラリー成分タンクは、異なるスラリー成分を含み、混合チャンバに、必要な流量で、異なるスラリー成分を供給するために、混合チャンバと流体で連絡している。化学的パラメータ・センサ・システムは、混合チャンバに接続していて、スラリーの化学的特性を感知するように構成されている。制御システムは、化学的パラメータ・センサ・システムに接続していて、スラリー成分の中の少なくとも一つを混合チャンバに所与の流量で導入するように構成されている。 （もっと読む）

材料をツールへ送達するためのシステムおよび方法が開示される。材料送達システムは、ツールへ到達される材料の２または３以上の源を利用する。ツールの１または２以上の源は、バッチミキサーであってよい。材料送達システムはまた、材料をツールへ供給する少なくとも２つの材料送達再循環ラインを含む。材料送達システムは手動または自動で制御して、材料の供給を１つの源から他の源へと切り替える、および／または１つの材料送達再循環ラインから他のラインへと切り替えることができる。
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本開示は、化学機械研磨（ＣＭＰ）に有用な研磨物品に関し、この物品は、対向する主表面を有する基材と、主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、基材の近くに位置付けられた、ＣＭＰ情報を提供するための手段と、基材の近くに位置付けられかつＣＭＰ情報をリモートレシーバに送信するように適合されたトランスミッタとを包含する。本開示はまた、ＣＭＰ情報を通信するための手段を有するＣＭＰパッドコンディショナー、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム、及びＣＭＰパッドをコンディショニングするための方法に関する。
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【課題】 ユースポイントに供給する研磨液の流量調整を正確かつ簡単に行うことを可能にする。
【解決手段】 ユースポイントＵＰ（研磨パッド４２の下面）に所要流量の研磨液を供給する研磨液供給装置７０が、研磨液圧送源７１より圧送された研磨液をユースポイントＵＰに導く研磨液通路７２と、この研磨液通路７２の中間部における研磨液の通過流量を計測する流量計７３と、流量計７３の下流側に設けられ、開度に応じた流量の研磨液を通過させる流量調整弁７４と、流量計７３において計測された研磨液の通過流量に応じて流量調整弁７４の開度調整を行い、上記ユースポイントＵＰから流出する研磨液の流量を所望の値に制御する研磨液流量制御装置７５とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】適正な光量で研磨終了点の検出を行うことが可能なＣＭＰ装置における研磨終了点検出方法を提供する。
【解決手段】回転する被研磨体保持装置２１上に被研磨体８を保持し、その上に研磨液２５を供給しながら、前記被研磨体８の上方から研磨体２３を前記被研磨体８に接触させ、前記研磨体２３を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体８の研磨を行うＣＭＰ装置において、前記被研磨体８表面に光源１から照射光を照射し、光検出器２７で検出された反射光の特性から研磨終了点を検出する方法であって、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体２３のｎ（ｎは１以上の整数）揺動周期分の前記反射光の強度の測定値の平均を算出し、当該平均値が所定値になるように、前記照射光の強度を調整する工程を有することを特徴とするＣＭＰ装置における研磨終了点検出方法。 （もっと読む）

【課題】パターン上への膜堆積・エッチングなどのプロセスによる形状変化や、デバイス上に混在する異なる段差のパターンを考慮した具体的なＣＭＰシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの表面をＣＭＰにより研磨した後の表面形状を予測するシミュレーション方法において、デバイスの設計ＣＡＤパターンからパターン密度を計算する際に、パターンＣＡＤデータを予め加工するかもしくは計算したパターン密度データを加工することにより、表面形状をより正確に考慮したＣＭＰシミュレーションを実施する。これにより、パターン形成後のプロセス（膜堆積、エッチングなど）によって変化したデバイス表面上の凹凸形状を考慮でき、また、複数の高さの異なる段差を含むデバイスについてＣＭＰシミュレーションが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 研磨廃液の飛散による研磨基板および次研磨基板での研磨円形欠陥の発生を完全に排除すること。簡素化した駆動制御を行い、基板の歩留りを改善して生産効率、生産コストの向上を図ること。
【解決手段】 基板ローダユニット１０１と、上定盤と下定盤とを有する１台又は複数台の研磨機１とを備えたシステムにおいて、第１の遮蔽板１０４を、基板ローダユニットと該ユニットに隣接する研磨機との間の第１の遮蔽位置へ移動する制御と、第２の遮蔽板１０５を、各研磨機の上定盤と下定盤との間の第２の遮蔽位置へ移動する制御とを連動させて行う。 （もっと読む）

基板研磨装置（１０）は、基板（２０）を平坦かつ鏡面に研磨する。基板研磨装置（１０）は、基板（２０）が押圧される研磨テーブル（１２）と、基板（２０）の膜測定のために、研磨テーブル（１２）から基板（２０）に測定光を投光し、基板（２０）から反射光を受光する投受光装置（２４）と、研磨テーブル（１２）の投受光箇所に設けられる流体室（６８）へ、測定光及び反射光が透過する測定用流体を供給する流体供給路（４２）と、流体室（６８）への測定用流体の供給を制御する流体供給制御装置（５６，５８）とを有する。
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【課題】研磨面に凹凸があっても、これを容易且つ確実に平坦化させて、効率的に研磨面の再生を行うことができるようにする。
【解決手段】被研磨材の被研磨面に相対摺動して該被研磨面を平坦且つ鏡面状に研磨する研磨テーブル１０の研磨面１６ａをドレッシングするドレッサ３６を有するドレッシング装置であって、研磨面１６ａとドレッサ３６とを互いに摺接させて該研磨面１６ａをドレッシングしている時に研磨面１６ａとドレッサ３６との間に作用する摩擦負荷を直接または間接に検知するセンサ４４ａ，４４ｂと、該センサ４４ａ，４４ｂの出力に応じてドレッシング進行状況を判定する判定手段４６，４８を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ工程で使用されるドレッサにおいて、個体ばらつきを低減させ、長寿命化を実現するドレッサとその品質管理方法、また、研磨特性の安定性、再現性を向上させるＣＭＰ装置、さらに、ＣＭＰ装置を用いた高精度、高品位な半導体装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハのＣＭＰ平坦化工程で使用されるドレッサの品質管理方法において、シート式の圧力センサ１を定盤２上に設置して、圧力センサ１上にドレッサ６の砥粒面を接触させ、圧力センサ１からの信号をコンピュータ５に取り込んで接触荷重値もしくは接触面積を演算処理し、その値をドレッサ６の品質管理値とする。これにより、ドレッサ６の切れ味を定量化し、個体ばらつきの低減や長寿命化を実現する。 （もっと読む）

【課題】 クラッチ部の結合が弱い状態でバレル研磨装置を動作させることを防止し、複数のバレルの作業バラツキを極力抑制するとともに、装置の故障をなくしたバレル研磨装置を提供する。
【解決手段】 駆動部３と、当該駆動部から駆動伝達部にて回転主軸１１０で回転駆動されるドラム１と、前記回転主軸にクラッチ部１１２を介して固定されたドラムプーリー１１１と、前記ドラム外周近傍に自転可能な状態に取着され、かつ前記ドラムプーリーと駆動伝達部により回転駆動されるバレル２１，２２とからなるバレル研磨装置であって、軸受けＦ２に対してドラムプーリーが回転するのを感知するセンサー部Ｓと、当該センサー部により、軸受けに対してドラムプーリーが回転するのを感知すると、警告報知してなる報知部とを設けた。 （もっと読む）

正確かつ再現性良く最適位置にノズルを設定できる加工装置を提供すること。
【課題】砥石に切削水を供給するノズルを加工に最適な位置に再現性良く、かつ正確に行える加工装置を提供すること。
【解決手段】高速回転して被加工物Ｗを切断もしくは被加工物Ｗに対して溝入れする砥石１と、上記砥石１に切削水Ｌを供給するノズル５と、上記ノズル５を移動可能かつ回転可能に支持する支持部材１２と、上記ノズル５に固定され、上記砥石１に向けて光を照射する光源７と、上記砥石１を挟んで上記光源７の反対側に配置され、上記光源７から照射された光を検出する光センサー８と、上記光センサー８の検出結果に基づいて、上記砥石１と上記ノズル５との相対位置を検出する制御装置９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 研磨中のスラリのイオン濃度を精度よく測定できるようにする。
【解決手段】 研磨装置は、中心軸の周りを回転可能なターンテーブル１上に配設されるパッド２と、このパッド２の上方に配設されるスラリ３を供給するノズル４ａと、同じくパッド２の上方に配設される酸化剤５を供給するノズル４ｂと、パッド２上に被研磨対象物６を押圧して研磨するキャリア７とを備えている。パッド２の上層パッド１０に孔１１を形成して、この孔１１の内部にｐＨ試験紙１２を配置し、スラリ３をパッド２上に供給して研磨を行っている間に孔１１に流れ込んだスラリ３によるｐＨ試験紙１２の色の変化を検出するため、研磨中のスラリ３のｐＨ値をリアルタイムに分析でき、スラリ３の成分に異常がないかどうかを迅速に把握できる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
ＣＭＰシステムのプロセス制御を提供するシステム及び方法は、ウエハ研磨パッドを調整するための真空補助装置を使用して、調整プロセスからの廃液（すなわち、ウエハデブリス、研磨スラリ、化学的又はその他の副生成物）は、廃棄物の流れから逸れて、その代わりに更なるプロセシングのための分析モジュールに導入される。この分析モジュールは、廃液中の少なくとも一のパラメータを決定し、分析に基づいてプロセス制御信号を発生するように機能する。次いで、このプロセス制御信号は、平坦化プロセスにフィードバックされ、研磨スラリ組成物、温度、流速等の各種のパラメータの制御を可能にする。また、このプロセス制御信号を用いて、調整プロセス及び／又は平坦化プロセス自体の終点を決定することが出来る。 （もっと読む）