基板の処理中の原位置監視は、半導体処理装置内で、基板上の導電膜を処理すること、および処理中に、渦電流センサからの信号を生成することを含む。この信号は、渦電流センサが基板に隣接しているときに生成された第１の部分と、渦電流センサが金属ボディには隣接しているが、基板には隣接していないときに生成された第２の部分と、渦電流センサが金属ボディにも基板にも隣接していないときに生成された第３の部分とを含む。信号の第２の部分を信号の第３の部分と比較し、少なくともこの比較の結果に基づいて利得を決定し、信号の第１の部分にこの利得を乗じて、調整された信号を生成する。
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本明細書において説明する実施形態は、基板プロセシングシステム内での流体の配送のための応用例を提供する。より詳しくは、本明細書において説明する実施形態は、基板プロセシングシステム内でのプロセシング化学薬品の配送のための応用例を提供する。一実施形態では、流体配送システムを提供する。流体配送システムは、流体を供給するための大容量流体源と、大容量流体源から流れ出る流体の比率を制御し監視するための流体配送モジュールと、流体配送モジュールから下流に設置された第１のストリーム配管と、第１のストリーム配管に沿って設置された第１のスイッチと、流体配送モジュールから下流に設置された第２のストリーム配管と、第２のストリーム配管に沿って設置された第２のスイッチとを備え、流体配送モジュールが、予め定められた比率に従って第１のストリーム配管および第２のストリーム配管を通って流れる２つのストリームへと大容量流体源からの流体を分ける。
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【課題】製品ウエハの研磨レートをウエハ単位に予測し研磨精度を向上させ、テストウエハの研磨処理を少なくする。
【解決手段】装置データ測定手段１０は、研磨パッドの温度データとコンディショナーのトルクデータを収集する。消耗品データ管理手段１１は、研磨パッドと研磨ヘッドのウエハ保持部材とコンディショナーのコンディショナーディスクの交換後の累積使用時間を管理する。膜厚測定手段１２は研磨前後のテストウエハの膜厚を測定し、推定モデル演算手段１４によって実際の研磨レートを演算する。推定モデル演算手段１４ではこの研磨レートと装置データ測定手段１０の装置データと消耗品データ管理手段１１の消耗品データから、重回帰分析により研磨レート推定モデル式を算出する。研磨レート管理手段１５は、製品ウエハ研磨時に装置データ測定手段１０と消耗品データ管理手段１１とに管理されているデータと、推定モデル式とから研磨レートを推測する。 （もっと読む）

【課題】研磨レートのより高い推定精度を得ることができる研磨装置、研磨レート推定手法、プログラム、データ処理装置を提供する。
【解決手段】研磨による発熱量の情報を利用し、研磨レート推定部Ｋが、その検出した情報に基づいて研磨レートを推定する。研磨レート推定部Ｋは、あらかじめ与えられているプログラムに従って、研磨により発生した熱量の情報を利用して研磨レートを推定する構成を有している。このデータ処理装置では、研磨装置の研磨により発生した熱量の情報を取り込み、研磨レート推定部Ｋが、予め与えられているプログラムに従って、その取り込んだ情報に基づいて研磨レートを推定する。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの上に形成される薄膜の膜厚をより正確に予測し得る膜厚予測方法を提供する。
【解決手段】膜厚予測方法にあっては、第２の被処理層の断面形状に関する第１の実測データベース、回路パターンの周辺長と第２の被処理層の厚さとの関係に関する第２の実測データベース、第２の被処理層の平坦化レートに関する第３の実測データベース、第２の被処理層の基準膜厚Ｔ_blkを予め求めておき、基板の上に形成すべき第１の被処理層を所定の大きさの碁盤目状のメッシュに区切り、各メッシュ（ｉ，ｊ）におけるパターン面積率α_ij、回路パターンの周辺長Ｌ_ij、第２の被処理層の初期厚さＴ_{2_INI_ij}、基準膜厚Ｔ_blk、第１の実測データベース、第２の実測データベース及び第３の実測データベースに基づき、第２の被処理層の初期膜厚予測値Ｐｒ_ij及び第２の被処理層の平坦化量Ｈ_ijを求め、第２の被処理層を平坦化した後の第２の被処理層の膜厚を予測する。 （もっと読む）

【課題】研磨中に半導体ウエハ等の基板が破損した場合に、この破損を直ちに検出することができるとともに、研磨中に基板がトップリングから飛び出した場合に、この基板の飛び出しを直ちに検出することができる研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】回転する研磨テーブル１００上の研磨面１０１ａに研磨対象の基板を押圧して研磨する研磨方法において、基板の研磨中に、研磨テーブル１００の回転に伴い、該研磨テーブル１００に設置された渦電流センサ５０により基板の被研磨面を走査し、基板の被研磨面の走査により得られた渦電流センサ５０の出力を監視し、該渦電流センサ５０の出力の変化から基板の破損を検出する。 （もっと読む）

化学的機械研磨装置は、半導体ウェーハが処理されて研磨パッドの厚さが低減するにつれて研磨パッドの厚さを検出する計量システムを含む。この化学的機械研磨装置は、研磨表面のうち研磨パッドの隣接する領域より高い領域または低い領域が検出されたときに調節ディスクの材料除去速度を調整する制御装置を含む。
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【課題】研磨効率を低下させずに、大きなうねりの発生を回避する研磨方法、研磨条件計算方法、研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨部材４２を回転させながら被研磨面１１に押圧させ、被研磨面１１の両端間を主走査方向に移動させ端部まで移動し終える毎にピッチ８２だけ主走査方向と直交する副走査方向に移動させて被研磨面１１の研磨を行う場合、ピッチ８２の値と、被研磨面１１の凹凸を表すうねりについての許容値とを含む研磨条件を入力した後、研磨条件に基づいて研磨のシミュレーションを行い、うねりの最大凹凸差等、研磨を許可するか否かの判断に必要な情報を算出し、うねりの最大凹凸差が許容値より大きいか否かを判定し、うねりの最大凹凸差が許容値以下の場合には研磨を許可し、うねりの最大凹凸差が許容値より大きい場合には、ピッチ８２の最適値を出力し入力したピッチ８２の修正を促す。 （もっと読む）

【課題】スラリーを使用する化学機械的研磨工程に、過硫酸塩を含む溶液を供給する方法であって、過硫酸塩の有効成分量を迅速に計測管理する薬液供給方法及び装置を提供する
【解決手段】粉末または固形物の過硫酸塩を溶媒に溶解して所望濃度の過硫酸塩溶液として、スラリーを使用する化学機械的研磨工程に供給する薬液供給装置であって、溶解直後における導電率（Ｅｎ）を測定することによって過硫酸塩溶液の初期濃度（Ｃｎ）を算出し、その後、薬液供給時における導電率（ｅｎ）を測定し、薬液供給時における過硫酸塩溶液の分解変化率（ΔＣｎ）／（ΔＥｎ）を算出することにより、薬液供給時の過硫酸塩溶液の濃度（Ｃ）を計算して、酸化力の低下を管理する薬液供給方法及び装置を構成したことにある。 （もっと読む）

一実施形態では、基板処理表面を維持するための方法が提供される。本方法は、一般に、基板処理表面に対して測定の第１のセットを実行する工程と、ここでは、測定のセットが処理表面コンディショニングアームに結合された変位センサを使用して行われ、測定のセットに基づいて処理表面プロファイルを決定する工程と、処理表面プロファイルを最小プロファイルしきい値と比較する工程と、プロファイル比較の結果を伝達する工程とを含む。
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【課題】研磨時間全体を短縮することができ、研磨テープを容易に交換できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置は、基板Ｗを水平に保持し、回転させる回転保持機構３と、複数の研磨ヘッド組立体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄと、複数のテープ供給回収機構２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄと、研磨ヘッド組立体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを基板の径方向に沿って移動させる複数の移動機構とを備える。研磨ヘッド組立体１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄは、基板の周縁部に研磨テープを当接させる研磨ヘッド３０と、研磨ヘッドを基板の接線に平行な軸を中心として回転させるチルト機構とをそれぞれ有する。研磨ヘッドは、研磨テープを把持して所定の速度で送るテープ送り機構を有し、テープ供給回収機構２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄは、複数の研磨ヘッド組立体の径方向外側に配置されており、その位置は固定されている。 （もっと読む）

【課題】スラリの粘度変化やワイヤがシリコンインゴットに挿入される入口部分におけるスラリの乾燥、固化を抑制して、高い加工品質を維持し且つワイヤの破断を防止することのできるマルチワイヤソーを提供すること。
【解決手段】複数のローラ間で走行するワイヤにスラリを供給しながら被加工物を切断するマルチワイヤソーにおいて、前記スラリを吐出するためのスラリ吐出部と、少なくとも前記スラリ吐出部と前記被加工物とを覆う加工室と、前記加工室内の湿度を飽和蒸気圧に近い状態に保持するための湿度調節機構とを備えているマルチワイヤソーである。 （もっと読む）

【課題】研磨量分布の非対称性を生じる可能性があるときに警報して生産性を向上可能な研磨装置を提供する。
【解決手段】基板を回転させる基板回転機構と、基板よりも小径に形成の研磨パッドを回転させるパッド回転機構と、基板と研磨パッドとを当接させた状態で研磨パッドを揺動させる揺動機構と、これらの作動を制御する制御装置とを備えた研磨装置において、加工条件が入力されたときに、基板の回転速度、研磨パッドの回転速度、研磨パッドの相対揺動範囲及び相対揺動速度に基づいて、被研磨面上における研磨面の各部の走行軌跡を積算して走行軌跡の分布密度を算出し、算出された分布密度の円周方向のばらつきが所定の基準値を超えると判断された場合に警報作動を行うように構成される。 （もっと読む）

部品に対して研摩作業を実施するためのシステムが開示され、本システムは、ロボットと、取付け具と、取付け具をロボットアームに取り付けるためのマウントシステムと、研摩作業中、部品に対する研摩工具の接触点の位置が一定に維持されるように取付け具上に取り付けられた、研摩工具を駆動するための駆動システムとを備える。 （もっと読む）

【課題】定盤傷を回避するラップ加工装置及び方法の提供。
【解決手段】加工量検知センサ１２を内蔵したロウバー１８をラップ定盤１３上に搭置して研磨を行うラップ加工装置であって、ラップ定盤の回転位置を検出するエンコーダ１６と、ロウバー１８の加工量を検知する加工量検知センサ１２と、ロウバー１８のラップ定盤１３に対する加圧力を制御する加圧力制御部２０と、制御部２５とを備え、この制御部２５が、加工量検知センサ１２により加工量を検知した際のノイズが、所定レベルを超える異常ノイズを検出したとき、該所異常ノイズが発生したラップ定盤１３の回転位置をエンコーダ１６により検出し、この位置がラップ定盤１３の回転周期と同期して発生していると判定したとき、検出したラップ定盤１３の回転位置の加圧力を低減しながら研磨を行うもの。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ装置におけるトラブル発生に対して作業現場で迅速にトラブル対策を講じることができるような作業情報管理システムを提供する。
【解決手段】作業情報管理システムは、ホストシステム５００と、複数のクライアントシステム７００とを通信ネットワーク６００により繋いで構成され、ホストシステム５００はエンジニアリング部門５７０と情報交換可能に繋がっている。各クライアントシステム７００は、それぞれＣＭＰ装置１を有して構成され、そのＣＭＰ装置１は、その作動を制御するとともにトラブル監視を行う制御装置４００が備えらている。ホストシステム５００は、ＣＭＰ固有運行関連ファイル５１０と、トラブル対処データベース５２０と、トラブル分析アプリケーション５３０と、表示作成装置（図示せず）とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】研磨パッド等の消耗品にＲＦタグを取付けてその記憶情報を用いて管理する研磨装置において、消耗品の廃却時に記憶情報の漏洩を防止する。
【解決手段】ウエハＷのＣＭＰ研磨を行うウエハ研磨装置１０が、ウエハ研磨装置において使用される研磨パッド１５と、この研磨パッド１５が支持プレート１３を介して着脱自在に取り付けられる研磨ヘッド１２と、研磨パッド１５を支持する支持プレート１３に設けられたＲＦタグ４２１と、研磨ヘッド１２に設けられ、ＲＦタグ４２１に対して非接触で情報の読み書きおよび消去を行うリーダライタ４２３と、研磨パッド１５が研磨ヘッド１２に取り付けられている間において、リーダライタ４２３により所定の情報をＲＦタグ４２１に対して読み書きするとともに、研磨パッド１５が研磨ヘッド１２から取り外されるときにＲＦタグ４２１に書き込まれたデータを消去する制御装置４００とから構成される。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作で多種多様の軸受に対する超仕上げ加工を効率良く且つ低コストで施すことが可能な超仕上盤用砥石揺動機構を提供する。
【解決手段】砥石Ｔを振り角θで揺動させる揺動ユニットは、砥石を支持する砥石ホルダ８、砥石ホルダに連結された揺動軸１０、揺動軸を振り角で揺動させる揺動装置１２を備え、加工対象面に対する砥石の振り角中心の向きを所定の角度範囲Ｐで設定する角度設定ユニットは、揺動軸に固定されたコッター板１４、コッター板を所定回転角度に位置決めする位置決め手段を備える。位置決め手段は、揺動軸が揺動自在に挿通され且つ常時垂線振り分け揺動に維持された揺動アーム１６、コッター板を所定回転角度に設定する回転角度設定構造、コッター板を挟んで揺動アームとは反対側に配置され、揺動軸が揺動自在に挿通され且つ常時垂線振り分け揺動に維持されたナット板１８を備える。 （もっと読む）

【課題】例えば切断されたウエーハのＢｏｗやＷａｒｐを低減できるように、インゴットに作り込まれる切断軌跡を制御し、特には平坦になるようにして切断することができる切断方法およびワイヤソー装置を提供する。
【解決手段】ワイヤ２を複数の溝付きローラ３に巻掛けし、該溝付きローラに切断用スラリを供給しつつ、前記ワイヤを走行させながらインゴットに押し当ててウエーハ状に切断する方法であって、前記インゴットを切断するときに、軸方向に変化するインゴットの変位量を測定し、該測定されたインゴットの軸方向の変位量に対応させて、前記溝付きローラの軸方向の変位量を制御することにより、前記軸方向に変化するインゴットの全長に対しての前記ワイヤの相対位置を制御しつつインゴットを切断することを特徴とする切断方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ及びＣｕ合金のいずれかからなる配線材料の溶解レートを１００ｎｍ／ｍｉｎ以上にし、ひいてはＣｕ及びＣｕ合金のいずれかからなる配線材料の化学機械的研磨レートを向上することができる半導体装置の製造方法及び研磨装置の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜上にＣｕ及びＣｕ合金のいずれかからなる配線材料を堆積する堆積工程と、前記堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨する研磨工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記研磨工程において、前記研磨液の酸化還元電位（ＯＲＰ）を測定し、前記測定された研磨液の酸化還元電位（ＯＲＰ）が４００〜７００ｍＶ ｖｓ Ａｇ／ＡｇＣｌの範囲内となるように制御する。 （もっと読む）