【課題】温熱効果とテラヘルツ波による効果とが期待でき、しかも比較的安価に製造できる面状発熱体を提供する。
【解決手段】この面状発熱体１０は、面状部材に、複数の結晶シリコンからなる粒体３５と、電熱ヒーター線２５とを取り付けて構成されている。純度が高い結晶シリコンからなる粒体を用いたことで、テラヘルツ波を効果的に放射させることができ、テラヘルツ波の照射による効果を得ることができると共に、電熱ヒーター線による温熱効果を得ることができる。また、電熱ヒーター線によって結晶シリコンからなる粒体が温められるので、粒体からのテラヘルツ波の放射量を増大させることができ、その効果をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】均等な熱エネルギーの放散が可能で、温度を制御することもできる面状発熱ユニット体およびこれを用いた暖房器具を提供する。
【解決手段】一対の電極部４，５と、通電されてジュール熱を発生させる発熱性金属フィルムの抵抗発熱部６と、熱を発生しない複数の受熱部７とからなる熱放散部２が形成され、抵抗発熱部６は、２つの側部通電部６ａと、この両側部通電部６ａに対しこれらの間に平行に配設された複数の中間通電路６ｂと、側部通電路６ａと中間通電路６ｂとの端部間および中間通電路６ｂの各端部間をそれぞれ接続する連結通電路６ｃとからなる通電経路パターンに形成されている。受熱部７は、各側部通電路６ａから突出する配置と、中間通電路６ｂから突出する配置とで多数設けられている。暖房器具は、面状発熱ユニット体Ｈを収容部材の保持凹所に嵌め入れて、保持凹所を放熱板部材で密封する。 （もっと読む）

【課題】入力電力に対する応答速度が速く且つ赤外線の出力の高出力化が可能な赤外線放射素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一表面側に形成された凹所２の周部の複数箇所（２箇所）の間に架け渡された絶縁膜からなる梁部６にヒータ層３が設けられており、ヒータ層３へ電力を与えることによりヒータ層３から赤外線が放射される赤外線放射素子であり、凹所２が、半導体基板１の上記一表面側の一部を陽極酸化することにより形成した多孔質部１３を除去することに形成され、凹所２の内面がヒータ層３から放射された赤外線を所望の赤外線取出し方向へ反射する凹面ミラー２ａを構成している。 （もっと読む）

【構成】電気加熱パネルである。このパネルは、矩形ベース部をもつ内側シェルと、内部に、一連のＵ字形ベンドをもつカバーからなる外側気密アルミニウムシェルからなる。このカバーの内部に、一連のＵ字形ベンドを有し、外側シェルと一体化された気密コネクタモジュールの内部まで延長する２つの擬似円形端部をもつ平面蛇線体の形を取るオーミック抵抗を配設する。蛇線体は、断面が矩形、幅および厚みが一定で、幅／厚み比が３未満のステンレスＡＩＳＩ３０４鋼からなる剛性バーから構成する。それぞれ蛇線体の各面に接触する内側シェルおよびカバーに接触する２枚の雲母シートが蛇線体を外側シェルから絶縁するとともに、自由内部空間を最小限に抑える。内側シェルのベース部が、ハードな陽極処理によって形成され、かつ赤外線照射に有利に作用する黒色の厚い酸化物層を有する。内部の断熱体がカバーに向う熱の流れを妨害する。コネクタモジュールは、広い円形ベース部を有し、ベース部のねじによって給電ワイヤおよび蛇線体の端部に接続された、２つの真鋳カラムを有する。プロウブが、蛇線体に接触する温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】 家庭や小規模な施設への敷設が容易であり、ラジウム放射線や遠赤外線を放射する石材からの放射線を効率よく利用することが可能な温熱材料及びそれを利用した岩盤浴装置を提供する。
【解決手段】
放射線や遠赤外線を放出する放射線放出成分を含む石材又はセラミックを含む石材層と、絶縁体で覆われた面状発熱体からなる熱源とを、間に高熱伝導性の保護層を挟んで積層し、ステンレス等の外箱に収納し一体化する。熱源から放出される赤外線を効率よく石材層から放出させるとともに石材層から放射線や遠赤外線を放出させて高い温熱効果を得ることができる。石材層と熱源とを含む積層体を複数個に分割しモジュール化することにより搬送を容易に行なうことができる。
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【課題】応答速度の向上を図りながらも各パッドそれぞれへボンディングワイヤをワイヤボンディングする際の衝撃によって破損するのを防止することができる赤外線放射素子を提供する。
【解決手段】支持基板としての半導体基板１の一表面側に多孔質シリコン層からなる断熱層２が形成され、断熱層２よりも熱伝導率および導電率それぞれが大きな発熱体層３が断熱層２上に形成され、発熱体層３上に一対のパッド４，４が形成されている。断熱層２は半導体基板１の一表面側において所定領域のみに多孔質層としての多孔質シリコン層からなる断熱層２を形成してあり、半導体基板１の上記一表面側における上記所定領域の周辺部分１ａのうち半導体基板１の厚み方向において各パッド４，４それぞれと重複する部位が、断熱層２の中央部に比べて機械的強度が高い高強度構造部を構成している。 （もっと読む）