【課題】加熱と冷却を繰り返した時のフィラメント支柱１７を固定しているナット２０、２０の緩みを防止し、これにより長期にわたって安定してフィラメント９を定位置に保持する。
【解決手段】背面電子衝撃加熱装置は、フィラメント９で発生した熱電子を加速してこれを加熱容器１の天板となる加熱プレート２にその背面から衝突させて加熱プレート２を発熱させるものである。この背面電子衝撃加熱装置のフィラメント９は、ホルダ１２に立設されたフィラメント支柱１７に支持されていると共に、ホルダ１２の長穴取付孔２１とフィラメント支柱１７との間に、同フィラメント支柱１７の回転を阻止する回り止め用の回止チップ１９が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】加熱装置でガラス材などの脆性板を加熱する際に、脆性板の破損を招くことなく第２の加熱源による部分的な加熱や表面処理を可能にする。
【解決手段】被加熱材であるガラス基板２０を加熱する加熱源２と、熱を反射して前記被加熱材の加熱に供する反射板３と、反射板に接して伝熱することで反射板３を面方向に均熱化する均熱板４を備える。望ましくは、均熱板４の裏面側に断熱材５を積層する。必要に応じて前記被加熱材の周囲の一部に、均熱板４で覆われることなく外部に開放された開放部９を設ける。反射板３の面方向の温度差が均熱板４によって緩和され、反射板３による良好な熱反射によって被加熱材２０を均等に加熱する。開放部９を設けた場合にも被加熱材２０が均等に加熱され、開放部９を通した第２の加熱源であるレーザ装置１０などによる部分加熱などが可能になる。 （もっと読む）

イオンビームエッチシステム(ＩＢＥ)などの高真空処理システムにおける基体などの被支持部材の温度の制御を向上させるための装置および方法に関する。この装置は、被支持部材(２０)を支持する支持部材(４２)から液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達させる、支持部材(４２)の温度を制御するための熱電デバイス(７０)を備えている。この方法は、液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達する熱電デバイス(７０)を用いて、支持部材(４２)を冷却することを含む。
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【課題】近接昇華法を用いた炭化ケイ素単結晶ウェハの製造において、昇華用原料を均熱加熱できる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 （もっと読む）