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Fターム[4E351AA08]の内容

Fターム[4E351AA08]の下位に属するFターム

AlN (19)
BeO (1)
SiC (11)

Fターム[4E351AA08]に分類される特許

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【課題】高精度で密着性の高い回路パターン時を有する回路基板を提供する。
【解決手段】窒化物セラミックスからなる基材(セラミックス基板)11上に第1の金属を析出させ金属富化層12を形成する工程と、金属富化層12上に第2の金属を含む金属ナノ粒子13を供給する工程と、金属ナノ粒子13を焼成する工程とを含む回路基板の製造方法であって、金属ナノ粒子13をバルク化する第1の焼成工程と、バルク化された金属ナノ粒子を合金化し合金層14を形成する第2の焼成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】縦横に複数の基板部分を表面および裏面に沿って形成されたブレーク溝により分割してなる多数個取りセラミック基板において、表面および裏面に形成した導体層同士を確実に導通できる各基板部分を得る。
【解決手段】単層のセラミック層Sからなり、ほぼ矩形を呈する複数の基板部分10を縦横に隣接して有する基板本体2と、隣接する基板部分間における基板本体2の表面3および裏面の平面視で同じ位置に形成されたブレーク溝vと、該ブレーク溝vが直角に交差する位置ごとに形成され、基板本体を貫通する複数の貫通孔hと、該貫通孔hごとの内壁面に形成された筒形導体層16と、基板本体2の表面3における基板部分10ごとの四辺に沿って形成され、各コーナ付近で筒形導体層16と接続する表面導体層12とを含み、隣接する基板部分10ごとの表面導体層12は、筒形導体層16のみを介して互いに導通している多数個取りセラミック基板1。 (もっと読む)


【課題】厚膜抵抗体のトリミングの精度を向上させること。
【解決手段】配線基板は、絶縁基体1、配線導体2および厚膜抵抗体3を有している。配線基板は、絶縁膜4、めっき金属膜およびダミー抵抗体8をさらに有している。厚膜抵抗体3は、配線導体2に電気的に接続されており、絶縁基体1に設けられている。絶縁膜4は、厚膜抵抗体3を部分的に被覆している。めっき金属膜は、厚膜抵抗体3の絶縁膜4によって被覆されていない部分を覆っている。ダミー抵抗体8は、厚膜抵抗体3とは電気的に独立しており、厚膜抵抗体3に近接して配置されており、絶縁基体1に設けられている。 (もっと読む)


【課題】異種金属を添加しないアルミニウム部材を窒化アルミニウム基板や酸化アルミニウム基板などのセラミックス基板にろう材を介さずに直接接合することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.5%以上のアルミニウム板12をセラミックス基板10の少なくとも一方の面に接触させ、不活性ガス中において620℃〜650℃の温度に加熱することにより、アルミニウム板12をセラミックス基板10に直接接合する。 (もっと読む)


【課題】セラミックス配線基板上に半導体素子等を半田層を介して接合搭載するにあたって、半田層中に大きなSn合金粒の発生を抑制することによって、半導体素子の接合強度の低下等を防止する。
【解決手段】セラミック基板の上面に、下地金属層、第1拡散防止層、導体層、第2拡散防止層、Ti、Ag、Cu、Biの少なくとも1種を主成分とする層と、AuまたはAu−Sn合金層、SnまたはSn合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 (もっと読む)


【課題】発熱体側の熱を効率よく放熱体側に伝導させて放熱し、温度サイクルなどの作用によって熱変形を受けても、安定した性能を長期にわたって発揮することができる絶縁伝熱構造体及びパワーモジュール用基板を提供すること。
【解決手段】絶縁体セラミックス11と、Alで形成されて絶縁体セラミックス11の一方の面に設けられた回路層12と、Alで形成されて絶縁体セラミックス11の他方の面に設けられた金属層13とを備え、回路層12の上面に、導電性を有する母材15と、内部にダイヤモンド粒子19が混入されたダイヤモンド粒子層16とを少なくとも1層ずつ積層した電気伝導層14が設けられ、回路層12と、電気伝導層14の回路層12から離間する一端に配置された母材15とのいずれか一方の厚みが、0.8mm以下である。 (もっと読む)


【課題】 金属回路板同士を接続する導体における抵抗発熱による多量の熱の発生を有効に防止し、金属回路板に実装される半導体素子等の電子部品を常に正常かつ安定に作動させること。
【解決手段】 貫通孔2を有するセラミック基板1の上下面に第一の活性金属ろう材4を介して金属回路板5を取着して成るとともに、貫通孔2の内面に上下の第一の活性金属ろう材4同士を電気的に接続する第二の活性金属ろう材3が被着されたセラミック回路基板であって、第一の活性金属ろう材4は、銀と銅との混合物および銀−銅合金の少なくとも1種から成るろう材と、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属材とから成り、第二の活性金属ろう材3は、ろう材と、活性金属材と、ろう材よりも融点の高い金属粉末とから成る。 (もっと読む)


【課題】 熱伝導性に優れて回路上の熱を速やかに放熱することができ、また、基板を利用してフィルタを構成し、それによってプリント配線板に発生するノイズをより効果的に低減することができ、さらに、基板の放熱性能が優れるため上記フィルタを十分に機能させることができる、新規な高熱伝導性プリント配線板を提供すること。
【解決手段】 炭素質基板10に、複数の導電層12A、12Bがそれぞれ絶縁層11A、11Bを介して積層された高熱伝導性プリント配線板1であって、前記高熱伝導性プリント配線板1にはスルーホール13が形成され、前記スルーホール13にコイル部材14が埋め込まれて前記複数の導電層12A、12Bを接続し、前記コイル部材14と前記スルーホールの内周面131とが絶縁されている。 (もっと読む)


【課題】ディジタル動作する電子部品と接続される電源層やグラウンド層で発生する電源電圧変動を防止し不要放射ノイズを広い周波数範囲で抑制する。
【解決手段】絶縁基板2の表面および/または内部に基板のほぼ全面にわたり、絶縁層2bを介して電源層5とグランド層6とを形成し、電源層5および/またはグラウンド層6を低抵抗導体層5a、6aと高抵抗導体層5b、6bを積層した2層以上の積層体からなり、電源層5とグラウンド層6の少なくとも一方の対向面側に高抵抗導体層5b、6bを形成したセラミック配線基板において、低抵抗導体層5a、6aを30乃至100質量%のMoと、0乃至70質量%のWとからなる導体材料にて、高抵抗導体層5b、6bを10乃至70質量%のWと、30乃至90質量%のReとからなる金属100質量部に対して、10乃至40質量部の絶縁物を含有した導体材料によってそれぞれ形成する。 (もっと読む)


【課題】銅を含む低抵抗且つ良熱伝導導体からなる大孔径並びに狭間隔のサーマルビアを絶縁基板との同時焼成により形成可能な安価な配線基板を作製する。
【解決手段】酸化アルミニウムを主成分としMnをMn2 3 換算で2.0〜10.0重量%の割合で含有する相対密度95%以上のセラミックスからなる絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に搭載される発熱性素子から発生した熱を放熱するために絶縁基板1表面から裏面に貫通するように形成された複数のサーマルビア2を具備する配線基板において、サーマルビア2を銅10〜60体積%、タングステン及び/もしくはモリブデンを40〜90体積%の割合で含有してなる良熱伝導体によって形成し、且つサーマルビアの最大径を200μm以上、隣接するサーマルビア間の間隔を50〜300μmとする。 (もっと読む)


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