【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）

【課題】 金属ナノ粒子からなる導電性薄膜を、熱処理することなく室温で、短時間かつ簡易な操作で、多様な基材に形成可能とする。
【解決手段】 連続相中に、金属ナノ粒子を含有する第一の不連続相と、該金属ナノ粒子の還元剤及び／又は光触媒を含有する第二の不連続相とが分散してなる導電性エマルジョンインクを作製する。還元剤を含有する場合、該インクを適当な基材表面に塗布またはパターニングすることにより、導電性薄膜を形成することができる。また、光触媒を含有する場合は、該インクを適当な基材表面に塗布またはパターニングする工程と、塗布またはパターニングされた該インクをＵＶ照射に付す工程と実施することにより、導電性薄膜を形成することができる。連続相は金属ナノ粒子を含有してもよい。連続相が油相であり、第一及び第二の不連続相が水相であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マスクを用いたレーザ加工法によるスルーホールは、スルーホール形成領域の絶縁層の溶解、気化、分解の効率が低く、スルーホールの加工精度は±25μm程度が限度である。
【解決手段】AlN基板１１の上部にレーザ光吸収金属層１２及びスルーホールTH1、TH2に対応する領域が除去されたレーザ光反射金属層１３−１、１３−２、１３−３を設け、AlN基板１１の下部にレーザ光吸収金属層１２’−１、１２’−２を設ける。レーザ光L1、L2はレーザ光反射金属層によって反射されるが、スルーホールに対応する領域のレーザ光吸収金属層によりAlN基板に集中かつ効率よく吸収され、AlN基板と共に、レーザ光吸収金属層も溶解、気化、分解する。これにより、径が下面に向う程小さくなるテーパ状スルーホールが形成される。同時に、スルーホール内のAlN基板の表面からNが脱離してAl露出層１１ａが内壁に形成される。 （もっと読む）

【課題】高精度で密着性の高い回路パターン時を有する回路基板を提供する。
【解決手段】窒化物セラミックスからなる基材（セラミックス基板）１１上に第１の金属を析出させ金属富化層１２を形成する工程と、金属富化層１２上に第２の金属を含む金属ナノ粒子１３を供給する工程と、金属ナノ粒子１３を焼成する工程とを含む回路基板の製造方法であって、金属ナノ粒子１３をバルク化する第１の焼成工程と、バルク化された金属ナノ粒子を合金化し合金層１４を形成する第２の焼成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の表面または内部にインダクタを構成する導体パターンが形成された配線基板において、インダクタが大きな面積を占めることがなく配線基板の小型化を実現できるとともに、搭載する能動素子を高い周波数帯域まで正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】複数の絶縁層が積層されて成る絶縁基板１の表面および内部に複数の配線導体２が形成されているとともに、絶縁基板１の表面または内部に配線導体２の一部に接続された細長い帯状の導体パターンから成るインダクタ３を形成して成る配線基板において、前記導体パターンは、絶縁基板１の外周部を配線導体２と上下に重ならないようにして一周以下の巻き数で巻回しているとともに、前記導体パターンと異なる層において配線導体２の一部に接続されている配線基板である。 （もっと読む）

【課題】高精密度セラミック基板を提供する。
【解決手段】本発明の高精密度セラミック基板製造工程は、電気鍍金及び高精度の露光/エッチング方式で製造する必要があり、一般のプリント方式で製造するセラミック基板と異なり、セラミック基板表面に金属層を鍍金した後、金属層表面に乾燥型を貼付し、現像を行ない、露出した金属層表面に導電金属層を鍍金し、且つ回路部分を残した金属層及び導電金属層をエッチングし、所定位置の導電金属層表面に無酸素テープを粘着接合し、その無酸素テープは、セラミック粉、ガラス粉及び粘着剤を所定の比率で調合、積層して形成し、セラミック基板を無酸素炉に送り込み、同時焼成を行い、無酸素テープが遮蔽壁を成形し、無酸素炉内に同時焼成し、導電金属層は、酸化を発生せず、後続の溶接、電気鍍金工程を行なう時に既に鍍金した金属層が剥離、又は溶接不十分の欠陥が発生することがない。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムからなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、セラミックス基板１１は、酸素又は窒素を含有しており、金属板１２、１３には、Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｇ及びＧｅから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、さらに、金属板１１、１２とセラミックス基板１１との界面部分には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ及びＭｏから選択される１種又は２種以上の活性元素が介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハンダ濡れ性を改善して半導体実装性および半導体実装後の接合信頼性を向上させたセラミックス銅回路基板を得る。
【解決手段】セラミックス基板表面に銅回路板を接合した構造を有するセラミックス銅回路基板において、前記銅回路板は含有酸素量が２００ｐｐｍ〜４００ｐｐｍのタフピッチ電解銅であり、前記銅回路板のセラミックス基板との非接合面側の表面部分における含有酸素量を２次イオン質量分析法で測定したときこの含有酸素量が８ｐｐｍ〜９２ｐｐｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通孔付焼成済みセラミック基板における貫通孔内のボイドを抑えるための導体ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔を備えた焼成済みセラミック基板の前記貫通孔に導体ペーストを充填し焼成処理を行うセラミック基板の製造方法において、導電性を持つ金属粉末と前記金属粉末同士を前記有機成分にて結合させた平均粒径２０〜５２μｍである金属凝集物と有機成分と溶剤とを含有する導体ペーストを用いるセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】精度の高い配線パターンを、高い接合強度で窒化アルミニウム焼結体上に形成することができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板上に高融点金属ペーストを塗布して焼成し、高融点金属からなる配線パターンを形成する工程、該高融点金属からなる配線パターン上に、銅粒子を備えて構成される銅ペーストを塗布し、銅の融点以下で焼成して、銅ペーストを焼き付けて銅配線パターンを形成する工程、を備えた配線基板の製造方法であって、銅ペーストを、銅粒子全体の質量を１００質量％として、平均粒子径１００〜８００ｎｍの銅微粒子および／または銅酸化物微粒子を３０〜６５質量％含むものとする。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板に前もって形成された貫通孔あるいは止り穴に導電性金属粒子を効率よく付着堆積させて電極または配線となる導電体を確実に形成することができる電子回路基板の製造方法およびその方法で製造された電子回路基板を提供すること。
【解決手段】電子回路基板に形成された貫通孔または有底の止り穴にコールドスプレー法により導電性金属粒子を付着堆積させて電極または配線となる導電体を形成する方法。前記導電性金属粒子を温度が２０〜４００℃の圧力気体に混合してなる混合気体を前記貫通孔あるいは止り穴に噴射して前記導電性金属粒子を固相状態のまま塑性変形させて付着堆積させて充填する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体基板上に、高融点金属層を有するメタライズド基板において、反りが小さく、かつ高融点金属層の接合強度が高いメタライズド基板、および該メタライズド基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板上に、高融点金属層を有するメタライズド基板において、該窒化アルミニウム焼結体基板と高融点金属層との間に、アルミナ焼結体層が存在し、かつ、高融点金属層がアルミナを含むメタライズド基板、および窒化アルミニウム焼結体基板上に、アルミナペースト層、アルミナを含む高融点金属ペースト層を積層し、焼成するメタライズド基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】厚膜抵抗体のトリミングの精度を向上させること。
【解決手段】配線基板は、絶縁基体１、配線導体２および厚膜抵抗体３を有している。配線基板は、絶縁膜４、めっき金属膜およびダミー抵抗体８をさらに有している。厚膜抵抗体３は、配線導体２に電気的に接続されており、絶縁基体１に設けられている。絶縁膜４は、厚膜抵抗体３を部分的に被覆している。めっき金属膜は、厚膜抵抗体３の絶縁膜４によって被覆されていない部分を覆っている。ダミー抵抗体８は、厚膜抵抗体３とは電気的に独立しており、厚膜抵抗体３に近接して配置されており、絶縁基体１に設けられている。 （もっと読む）

【課題】異種金属を添加しないアルミニウム部材を窒化アルミニウム基板や酸化アルミニウム基板などのセラミックス基板にろう材を介さずに直接接合することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】純度が９９．５％以上のアルミニウム板１２をセラミックス基板１０の少なくとも一方の面に接触させ、不活性ガス中において６２０℃〜６５０℃の温度に加熱することにより、アルミニウム板１２をセラミックス基板１０に直接接合する。 （もっと読む）

【課題】ますます周波数の高くなる高周波信号を高速に伝送することが容易な配線基板を提供することにある。
【解決手段】接地導体層６と電源供給用導体層１０とが絶縁層２を介して対向するように形成された配線基板において、接地導体層６および電源供給用導体層１０の少なくとも一方の絶縁層側の主面に絶縁層に埋入した複数の突起１２を形成している。 （もっと読む）

【課題】セラミックス配線基板上に半導体素子等を半田層を介して接合搭載するにあたって、半田層中に大きなＳｎ合金粒の発生を抑制することによって、半導体素子の接合強度の低下等を防止する。
【解決手段】セラミック基板の上面に、下地金属層、第１拡散防止層、導体層、第２拡散防止層、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの少なくとも１種を主成分とする層と、ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ合金層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 （もっと読む）

【課題】発熱体側の熱を効率よく放熱体側に伝導させて放熱し、温度サイクルなどの作用によって熱変形を受けても、安定した性能を長期にわたって発揮することができる絶縁伝熱構造体及びパワーモジュール用基板を提供すること。
【解決手段】絶縁体セラミックス１１と、Ａｌで形成されて絶縁体セラミックス１１の一方の面に設けられた回路層１２と、Ａｌで形成されて絶縁体セラミックス１１の他方の面に設けられた金属層１３とを備え、回路層１２の上面に、導電性を有する母材１５と、内部にダイヤモンド粒子１９が混入されたダイヤモンド粒子層１６とを少なくとも１層ずつ積層した電気伝導層１４が設けられ、回路層１２と、電気伝導層１４の回路層１２から離間する一端に配置された母材１５とのいずれか一方の厚みが、０．８ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】AlN基板を850℃以上の高い温度に曝すこと無くビアを形成する方法及び該方法で使用する金属ペーストを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム基板１に、サンドブラストによって、ビア用の孔４を形成する工程、該孔内に金属ペースト３をスクリーン印刷する工程、次いで、充填された金属ペーストをピーク温度350〜750℃で焼成する工程、を含むことを特徴とするビアの製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム基板にＡｌ又はＡｌ合金の回路及び放熱板が形成された、高信頼性回路基板を、安価かつ安定に提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウム基板の一方の面に回路、他方の面に放熱板が形成されてなる回路基板において、上記窒化アルミニウム基板が、熱伝導率１３０W/mK以上で、その表面のＣuＫαによるＸ線ピーク強度比が、３≦Ｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃／ＡｌＮ≦１８、２Ｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃／ＡｌＮ≦３のものであり、上記回路及び放熱板の材質が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金であり、しかも上記窒化アルミニウム基板と上記回路及び放熱板との接合が、Ａｌ、Ｓｉ及びＭｇを含む金属粉末ペーストの熱処理によって行われているものであることを特徴とする回路基板。 （もっと読む）