Fターム[4G018AA33]の内容
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Fターム[4G018AA33]に分類される特許
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低損失MnZnNi系フェライト及びこれを用いた電子部品、スイッチング電源
【課題】 2MHz以上の周波数であっても、広い温度範囲で低電力損失とするMnZnNi系フェライトとこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 主成分としてFe、Mn、Zn、Niを有し、副成分としてCa及びSiと、Va族酸化物のうちの少なくとも一種を有し、Fe、Mn、Zn、NiをFe2O3、MnO、ZnO、NiO換算で総量を100モル%としたとき、Fe2O3が57.0〜59.5モル%、NiOが3.5〜6.0モル%、ZnOが12.0モル%以下(0を含まない)、残部がMnOであって、結晶粒の平均結晶粒径が2.0μm以下で、周波数2MHz、磁束密度75mTの条件において、40℃〜120℃に電力損失Pcvの最小値を有し、かつ100℃における電力損失Pcvが4500kW/m3以下とした。
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MnZnフェライトの製造方法及びMnZnフェライト
【課題】 数十kHzから数百kHzの周波数帯域における損失が低く、かつ100℃近傍における飽和磁束密度の高いMnZn系フェライトを提供する。
【解決手段】 比表面積(BET法による)が2.0〜5.0m2/g、50%粒径が0.7〜2.0μmである成形用粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、成形体を焼成して焼成体を得る工程と、を備え、焼成の工程における安定温度Tが1250〜1450℃であり、安定温度Tにおける雰囲気の酸素濃度(PO2)が、Log(PO2)=a−(11900/T(K))、ただしa≦8…式(1)を満足する。
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Mn−Zn系フェライトコアの焼成方法、Mn−Zn系フェライトコアの製造方法及び焼結炉システム
【課題】 小型でかつ脚部を有するコアの焼成時の変形を抑制することのできるMn−Zn系フェライトコアの製造方法を提供する。
【解決手段】 所定のコア形状を有するMn−Zn系フェライト成形体を所定温度まで昇温する昇温過程と、昇温過程に続く保持過程と、保持過程に続く降温過程と、を備え、昇温過程において、焼成雰囲気における酸素分圧(PO2)に基づいて定められる昇温速度で昇温することを特徴とする。昇温速度は、焼成雰囲気におけるPO2と、当該PO2について予め求められている当該コア形状の変形量に基づいて定めることが好ましい。
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酸化物磁性材料及びそれを用いた積層型インダクタ
【課題】 携帯電話などの通信機器に内蔵される積層型インダクタ、積層コイル基板などに用いられる酸化物磁性材、特に料積層型インダクタに応用した場合、応力負荷時のコアロスを低減することが可能な組成からなる酸化物磁性材料とその酸化物磁性材料を用いた積層型インダクタの提供。
【解決手段】 Ni-Mg-Cu-Zn系フェライト組成で少量のSnO2を含有する組成は低温焼成可能で圧縮応力負荷時のコアロスを低減できること、さらに、特定量のSnO2を含有し、主成分の金属酸化物のうちMgOとNiO+MgOの量比が特定されると、当該作用効果が特に顕著になる。
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Ni−Cu−Zn系フェライト材料及びその製造方法
【課題】 透磁率等の磁気特性を損なうことなく抗応力特性を向上したNi−Cu−Zn系フェライト材料を提供する。
【解決手段】 主成分の組成が、Fe2O3:45〜49.8mol%、CuO:0.5〜5mol%(ただし、5mol%を含まず)、ZnO:10〜40mol%、NiO:残部である焼結体からなり、この焼結体は、副成分として主成分に対して0.2〜4.5wt%のSnO2を含み、かつ5.1Mg/m3以上の密度を有するNi−Zn−Cu系フェライト材料。主成分のCuOは1〜4.9mol%であること、副成分のSnO2は0.5〜3.5wt%であることが好ましい。
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酸化物磁性体の製造方法
【課題】 湿式成形に比べて成形速度が速い乾式成形において、乾式成形の欠点であるといわれる「(残留磁化/飽和磁化)の比」を改善して、従来より困難であるとされていた残留磁束密度を向上させることのできる酸化物磁性体の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物磁性体粒子と潤滑剤とを含む原料混合物を磁場中で乾式成形して成形体を得る乾式成形工程を有する酸化物磁性体の製造方法において、官能基として、分子中に複数のカルボキシル基をもち、分子内の二つのカルボキシル基を脱水反応させることによって得られる酸無水物の構造をもつ化合物を潤滑剤として添加する。
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アンテナコイル、トランスポンダ
【課題】 小型化に対応可能な車載用のアンテナコイル等を提供することを課題とする。
【解決手段】 磁芯部材1と、磁芯部材1に巻回された導体2とを含むアンテナコイル10において、磁芯部材1を、Fe2O3:54〜56mol%、ZnO:7〜14mol%、残部実質的にMnOを主成分とし、副成分として、SiをSiO2換算で60〜800ppm、CaをCaCO3換算で600〜4000ppm、かつ、SnO2を5000〜15000ppm、及び/又はTiO2を8000ppm以下(但し、0を含まず)含有するものとし、特性に優れ、しかも高い信頼性を有するものとした。副成分としては、SnO2とTiO2を複合添加し、SnO2とTiO2のトータルモル量に対するSnO2の添加量を70%以上とするのが好ましい。
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高飽和磁束密度Mn−Zn−Ni系フェライト
【課題】 高い飽和磁束密度と低い磁気損失を兼ね備えたMn−Zn−Ni系フェライトを提供する。
【解決手段】 基本成分が、Fe2O3:58〜64mol%、ZnO:8〜14mol%、NiO:3〜8mol%、残部が実質的にMnOからなり、添加成分としてSiO2:0.005〜0.05mass%およびCaO:0.02〜0.2mass%を含有するMn−Zn−Ni系フェライトにおいて、Na:0.02mass%以下(0を含まず)、K:0.015mass%以下(0を含まず)のいずれか1種または2種を合計で0.02mass%以下含有し、さらにTa2O5,ZrO2,Nb2O5,V2O5,HfO2,Bi2O3,MoO3,TiO2およびSnO2のうちから選ばれる1種または2種以上を含有することを特徴とする高飽和磁束密度Mn−Zn−Ni系フェライト。
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フェライト焼結体及びこれを用いた電子部品
【課題】 従来のMn−Zn系フェライト焼結体に比べて特に100℃の高温において最大磁束密度が大きく、保磁力が小さいフェライト焼結体を提供する。
【解決手段】 主成分として68〜72mol%のFe2O3と、3〜12mol%のZnOと、0.005〜0.05mol%のCoOおよび0.01〜2mol%のNiOうち少なくとも一種と、残部MnOとを含有することを特徴とし、好ましくは焼結体密度が4.9×103kg/m3以上であるとともに、100℃における測定磁界1000A/mでの最大磁束密度が520mT以上かつ保磁力が55A/m未満であることを特徴とする
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フェライト材料及びインダクタ素子
【課題】基本配合組成Ni−Cu−Zn系フェライト材料の初透磁率の温度特性を改善する。
【解決手段】40〜50モル%のFe2O3、5〜35モル%のNiO、1〜32モル%のZnO、及び5〜15モル%のCuOを基本組成とするNi−Zn−Cu系のフェライト材料に、3.0〜8.0モル%のSnO2を含有させことにより、初透磁率の温度特性を大幅に改善することができる。
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酸化物磁性体の製造方法
【課題】 湿式成形に比べて成形速度が速い乾式成形において、乾式成形の欠点であるといわれる「(残留磁化/飽和磁化)の比」を改善して、従来より困難であるとされていた残留磁束密度を向上させることのできる酸化物磁性体の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物磁性体粒子と潤滑剤とを含む原料混合物を磁場中で乾式成形して成形体を得る乾式成形工程を有する酸化物磁性体の製造方法において、官能基としてのアミドを有するアミド系潤滑剤を添加する。
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フェライト材料およびそれを用いた電子部品
【課題】 直流重畳特性に優れ、比抵抗が高く、温度特性が良好なフェライト材料を提供する。
【解決手段】 所定の主成分配合組成に対して、酸化ビスマスをBi2O3換算で0.05〜0.48重量%、酸化錫をSnO2換算で0.5〜2.0重量%、酸化チタンをTiO2換算で0.05〜1.0重量%添加するように構成する。
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酸化物磁性体の製造方法
【課題】 湿式成形に比べて成形速度が速い乾式成形において、乾式成形の欠点であるといわれる「(残留磁化/飽和磁化)の比」を改善して、従来より困難であるとされていた残留磁束密度を向上させることのできる酸化物磁性体の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物磁性体粒子と潤滑剤とを含む原料混合物を磁場中で乾式成形して成形体を得る乾式成形工程を有する酸化物磁性体の製造方法において、官能基としてのアルデヒド構造を有するアルデヒド系潤滑剤を添加する。
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フェライト材料およびそれを用いた電子部品
【課題】 直流重畳特性の向上、初透磁率の温度特性の向上、比抵抗の向上が図れるとともに、焼成体強度、特に抗折強度(曲げ強さ)の向上が図れるフェライト材料を提供する。
【解決手段】 所定の主成分配合組成に対して、酸化ビスマスをBi2O3換算で0.05〜1.0重量%、酸化錫をSnO2換算で0.5〜3.0重量%、酸化クロムをCr2O3換算で30〜5000重量ppm添加するように構成する。
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フェライト材料、非可逆回路素子及び無線装置
【課題】特許文献2、3のいずれも異方性磁界Haが極端に小さいために、所望の内部磁界Hinを得るためには外部磁界Hexを大きく設定する必要があった。このため、寸法の大きな外部磁石を使用しなければならず、これが磁気共鳴型アイソレータをはじめとする非可逆回路素子の低背化、小型化、及び低コスト化の障害になっていた。
【解決手段】本発明のフェライト材料は、組成式が(Yz−aCaa)(Fe8−z−b−cCobVc)O12で表されるフェライト材料であって、3.005≦z≦3.090、0<b≦1.40、2.00≦(a+b)/c≦2.40の関係を満足することを特徴とする。
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