【課題】従来よりも発光強度の高い蛍光体複合部材を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】無機基材上に、ガラス粉末および無機蛍光体粉末を含有する混合粉末を載置する工程、および、金型を用いて加熱しながら混合粉末をプレス成型し、無機基材表面に無機粉末焼結体層を形成する工程、を含むことを特徴とする蛍光体複合部材の製造方法。無機基材が、ＹＡＧ系セラミックス、結晶化ガラス、ガラス、金属または金属とセラミックスの複合体であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 付加的な導波路構造変数を与え、分散補償または分散制御導波路の作製に有用な導波路ファイバプリフォーム及びファイバ並びにそのような導波路プリフォーム及びファイバを作製する方法を提供する。
【解決手段】 コアガラス領域及びコアガラス上に配されたクラッドガラス層を含む光導波路ファイバプリフォームにおいて、クラッドガラス層はプリフォームの軸に沿って位置するセグメントに分割され、クラッドガラスの密度は、クラッドガラス密度がセグメントからセグメントにかけて高い値から低い値にあるいは低い値から高い値に変化するように、プリフォーム軸と称される、コア領域に平行な方向に変化する。 （もっと読む）

【課題】スラリーに既知の組成の粉末を使用することにより最終的なガラスの組成を直接的に制御可能とする光ファイバの製造および化学物質粉末堆積法（ＣＰＤ）を用いた光ファイバ用プリフォームの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、液体キャリア内にシリカ粉末とドーパント粉末を入れたスラリーが準備され、開始シリカ・ガラス・チューブの内表面にこのスラリーが被覆される。次に、被覆は硬化され、チューブは、ＭＣＶＤ法の通常の工程で縮径される。 （もっと読む）

本発明は、アクティブ光ファイバー（８）を引き抜きのために使用されることの可能なプリフォーム（１、１０、１００）を加工する方法および装置に関する。本発明はさらに、増幅または減少の目的のため設計され、前記プリフォーム（１、１０、１００）から引き抜かれるアクティブ光ファイバー（８）、およびレーザーアクティブ光ファイバーを使用する光増幅器（６００、６０１）に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明はパネルディスプレイの隔壁などの各種部材に用いる感光性ペーストに関して、タック性を解消して、結果として露光時のフォトマスクの汚れなどを生じない感光性ペースト組成物を提供する。
【課題手段】ガラス粉末と無機フィラーと感光性有機成分を有する感光性ペースト組成物であって、ガラス粉末が酸化ビスマスを含み、かつ無機フィラーが酸化マグネシウムを含む感光性ペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】 極めて粒度の小さく、耐水性に優れ、かつ塗料や樹脂などの高分子材料への添加に好適なガラス微小中空体及びその製造方法を提供する
【解決手段】 ＳｉＯ_２：６０〜８０質量％、Ｎａ_２Ｏ：２〜１２．５質量％、ＣａＯ：５〜１５質量％、Ｂ_２Ｏ_３：４〜１５質量％及びＳＯ_３：０．０５〜１質量％を含み、かつＢ_２Ｏ_３／Ｎａ_２Ｏ（質量比）が１．２〜３．５であるガラス組成を有し、レーザー散乱式粒度測定による粒度分布における、Ｄ９０が３０μｍ以下、Ｄ５０が１０μｍ以下、かつ粒子密度が０．８〜１．２ｇ／ｃｍ^３であるガラス微小中空体。 （もっと読む）

【課題】ディスプレー及び／又は信号表示装置、特に背面照明ディスプレー、及び液晶ディスプレー及び蛍光灯に適したガラスを提供する。
【解決手段】紫外線吸収性ガラス、特に蛍光ランプ用のガラスを製造する方法であって、組成が酸化物に基づく重量％でＳｉＯ_２：６０−８５、Ｂ_２Ｏ_３：０−１０、Ａｌ_２Ｏ_３：０−１０、Ｌｉ_２Ｏ：０−１０、Ｎａ_２Ｏ：０−２０、Ｋ_２Ｏ：０−２０、ＭｇＯ：０−８、ＣａＯ：０−２０、ＳｒＯ：０−５、ＢａＯ：０−５、ＺｎＯ：０−８、ＺｒＯ_２：０−５、ＴｉＯ_２：０−１０、Ｆｅ_２Ｏ_３：０−５、ＣｅＯ_２：０−５、ＭｎＯ_２：０−５、Ｎｄ_２Ｏ_３：０−１．０、ＷＯ_３ ：０−２、Ｂｉ_２Ｏ_３：０−５、ＰｂＯ：０−５、ＭｏＯ_３：０−５、Ａｓ_２Ｏ_３：０−１、Ｓｂ_２Ｏ_３：０−１、ＳＯ_４^２−：０−２、Ｃｌ⁻：０−２、及びＦ⁻：０−２であるガラス溶融体を作製することを含んで成る方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｔｇが５３０℃以上の光学ガラスを用い、内部歪が除去され、かつ外観が良好で、光学性能の高いガラス光学素子を、精密モールドプレス成形により効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）表面に炭素含有膜を有する、ガラス転移点（Ｔｇ）５３０℃以上の光学ガラスからなる予備成形体を、加熱により軟化した状態にて成形型でプレス成形する工程、（Ｂ）プレス成形後、冷却して前記成形型より成形体を取り出し、加熱処理して表面の炭素含有膜を除去する工程、および（Ｃ）炭素含有膜が除去された成形体を、前記（Ｂ）工程における加熱処理温度よりも高い温度にてアニール処理する工程を施す。 （もっと読む）