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Fターム[4G072MM24]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 反応、分離系操作 (4,111) | 洗浄 (322) |  (83)

Fターム[4G072MM24]に分類される特許

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【課題】 プロセスを簡素化し、コストの低減と生産性の向上を大幅に図ることができるシリコン製造方法を提供すること。
【解決手段】 第1工程では、珪質頁岩を精製して高純度シリカを製造する。第2工程では、第1工程で得た高純度シリカを原料として、レーザ(例えば、エキシマレーザ)を用いてSi−Oの結合およびSi−Siの結合を順次切断し、得られたシリコンを水素化してシリコン水素化物(主にSiH)を生成する。第3工程では、第2工程で得たシリコン水素化物を精製/さらに分解して高純度シランおよび高純度シリコンを生成する。 (もっと読む)


【課題】 ガスバリア性に優れているだけでなく、重合体に添加した場合、透明性が低下したり着色したりすることがない、ガスバリア性付与剤を提供する。
【解決手段】 バーミキュライトを硫酸や硝酸等の無機酸で処理処理することにより得られた非晶質シリカをステアリン酸などの表面処理剤で処理した非結晶性シリカからなることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明はPV太陽電池用の珪素(シリコン)ウェファを製造するために指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造する珪素供給原料に関し、該珪素供給原料はこれに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と0.1〜10ppmaのリンとを含有する。本発明は更にインゴットに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と0.1〜10ppmaのリンとを含有する、太陽電池用ウェファを形成するための指向的に凝固した珪素インゴット又は珪素薄板又はリボンに関し、該珪素インゴットはインゴット高さ又はシート又はリボンの厚さの40〜99%の地点でp−型からn−型へ又はn−型からp−型への型式変化を有し且つ0.4〜10 ohm cmの開始値を有する指数曲線によって表わした抵抗率分布を有し、その際抵抗率値は型式の変化点に向かって増大する。最後に、本発明はPV太陽電池用の珪素ウェファ生産用の指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造するための珪素供給原料の製造方法に関する。
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