【課題】マイクロ電子デバイスの実現。
【解決手段】そのための方法であって、マイクロ電子デバイスは、支持体に基礎を置き、支持体の主平面に平行な方向において、ゲルマニウム濃度勾配をみせる少なくとも１種の半導体帯域を含み、方法は、
ａ）支持体上への、１種またはそれよりも多い穴を含む少なくとも１種の酸化マスキング層の形成であり、穴は、傾斜のある側面を含み、およびＳｉに基づく少なくとも１種の第１の半導体帯域を現わし、
ｂ）Ｓｉに基づく前記第１の半導体帯域上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（式中０＜ｘ）に基づく少なくとも１種の第２の半導体帯域の形成、
ｃ）前記マスキング層を通じた前記第１の半導体帯域および第２の半導体帯域の熱酸化を具える。 （もっと読む）

【課題】物理的に異なる低次元構造体から構成される装置を受取基板上に製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の細長い構造体(７)の各々の物質組成がその長さ方向に沿って変化することにより、細長い構造体内において物理的に異なる第１および第２の部分が形成されるように、第１の基板(３)上に、細長い構造体(５)を形成する工程を含む。物理的に異なる第１および第２の装置(１，２)が細長い構造体中において形成される。物理的に異なる第１および第２の部分は、それらが製造された後に、細長い構造体の中において形成されてもよい。細長い構造体は被覆され、第２の基板(７)に移動されてもよい。物理的に異なる第１および第２の装置(１，２)を共通の基板上に設けることが必要とされる回路基板の形成方法を改善することができる。特に、移動工程は１回だけしか必要とされない。 （もっと読む）

【課題】大気中でもシリコンナノチューブを安定に保持できるようにする。無酸素の環境下で熱量をとりだすことができる燃料用材料を提供できるようにする。
【解決手段】ナノチューブ構造体３０は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）２０の内部にシリコンナノチューブ（ＳｉＮＴ）１０を収容したものである。ＣＮＴ２０の両端は閉じられており、大気中においてもＳｉＮＴ１０は安定に存在し得る。この材料を発熱材料として使用する際には、ＣＮＴ２０の端部を開口して点火を行なうと、ＳｉＮＴ１０がＣＮＴ２０から飛び出し、ナノチューブ構造のＳｉがダイアモンド構造の結晶に相変化することにより発熱する。 （もっと読む）

第１多孔性領域および第１多孔性領域と異なる第２多孔性領域を含む粒子を提供する。ウェットエッチングされた多孔性領域を有し、それがウェットエッチングと関係する核形成層を有する粒子も提供する。多孔性粒子を作る方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】素子の実現が容易であり且つ構造による効率の改良が可能な、シリコンナノワイヤーの製造方法、及びこれにより形成されたシリコンナノワイヤーを含む素子の提供。
【解決手段】並列に配置された、複数のワイヤー状気孔を含む多孔性ガラステンプレートにエルビウムまたはエルビウム前駆体をドープする段階と、前記エルビウムまたはエルビウム前駆体がドープされたガラステンプレートを、前記ワイヤー状気孔の一方の開口部が面するように金属触媒層が形成された基板上に配置する段階と、前記ガラステンプレート内の気孔に沿ってシリコンナノワイヤーを形成して成長させる段階とを含む、シリコンナノワイヤーの製造方法を提供する。 （もっと読む）