Fターム[4G076CA34]の内容
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強誘電体フッ化物結晶
【課題】UV/VUV(紫外・真空紫外)領域においてSHG(第2高調波発生)を得ることができ、しかも、UV/VUV領域の波長のレーザーに対して高い耐久性を有する強誘電体フッ化物結晶を提供する。
【解決手段】Ba1−y(Mg1−xZnx)1+yF4(但し、0≦x≦1且つ−0.2≦y≦0.2)で表されるフッ化物の結晶において、結晶中に含まれるカリウム、ナトリウム、ルテチウムの総量を、重量濃度で30ppm以下とすることにより、エネルギー密度5〜100(mJ/cm2・Pulse)のArFエキシマレーザーを104パルス以上照射したときの、波長193nmの光に対する透過率低下が厚さ5mmあたり10%以下である強誘電体フッ化物結晶がえられる。
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一定の形態を有するドープされたセリア研磨剤
本発明は、ドープされたセリア(CeO2)研磨剤粒子に関し、この場合、この粒子は、本質的に八面体の形態を有する。このような研磨剤は、基板、たとえばシリコンウエハの化学機械研磨(CMP)のために、水ベースのスラリー中で使用される。さらに本発明は、10〜120m2/gの比表面積を有するイットリウムドープされたセリア粒子に関し、この場合、この粒子は、少なくとも95質量%、好ましくは少なくとも99質量%の粒子が単結晶であり、かつその粒子表面は、70%を上廻って、好ましくは80%を上廻って{111}面に対して平行な面から成ることを特徴とする。さらに、この生成物を合成するための新規気相方法を開示し、この場合、この方法は、熱ガス流を供給し、かつ、前記ガス流をセリウム含有反応体、ドーパント含有反応体及び酸素含有反応体中に導入し、その際、前記ガス流の温度は、前記反応体が噴霧されるように選択され、その際、反応体は、冷却時にドープされたセリア粒子が形成されるように選択される。前記セリアをベースとする研磨剤スラリーは、研磨された基板において誘導される低いレベルの欠陥性と同時に良好な除去率を提供する。
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フッ化物単結晶及びその育成方法、並びにレンズ
【課題】結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が70mm以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、その育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】結晶育成方向に沿って温度勾配のある結晶成長炉内で育成後、前記結晶成長炉内で単結晶の融点未満の均一な温度に再加熱され、冷却することにより製造されたフッ化物単結晶10であって、断面が直径70mm以上の略円形状を有し、波長248nm、エネルギー密度50mJ/cm2、パルス幅105shot、周波数100HzのKrFレーザーを前記断面の中心部に照射した前後の透過率の変化値が、0.00≦(ΔT2−ΔT1)≦0.20(ΔT1は前記断面の中心部におけるKrFレーザー照射前後の透過率の変化値、ΔT2は前記断面の外周部におけるKrFレーザー照射前後の透過率の変化値)の条件を満たす。
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BaLiF3単結晶体
【課題】真空紫外光透過用光学部材、特に液浸式露光装置のラストレンズとして有望な、200nm以下の真空紫外光(VUV)の透過性、及びレーザー光照射による損傷等が少なく、レーザー耐性に優れたBaLiF3単結晶体を提供する。
【解決手段】Mg及びKを含有するBaLiF3単結晶体であって、これらの含有比率がモル基準でMg/(Li+Mg)が0.001〜0.02の範囲にあり、K/(Ba+K)が0.001〜0.02の範囲にある。
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BaLiF3単結晶体
【課題】BaLiF3単結晶体を融液成長法で製造した際に、結晶中心部と周辺部で真空紫外光の透過率が異なりやすいという問題を解決し、真空紫外光透過用の光学部材を作製するための原材料として用いることの可能な、光透過率の均一性に優れたBaLiF3単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】BaF2とLiFとKFとからなり、これらの含有比率がモル基準で、Li/(Ba+Li+K)が0.52〜0.65の範囲にあり、かつK/(Ba+K)が0.002〜0.040の範囲にある原料溶融液を用いてBaLiF3単結晶体を育成する。得られる単結晶体は、通常、K/(Ba+K)が0.001〜0.010の範囲でKを含む。
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気相合成法を利用したフッ素含有酸化マグネシウム粉末及びその製造方法
本発明は、気相合成法を利用したフッ素含有酸化マグネシウム粉末及びその製造方法に関し、電子線により励起され、波長領域が220〜320nm範囲内にピークを有する陰極線発光をするフッ素含有酸化マグネシウム粉末及び製造方法である。上記本発明では、マグネシウム蒸気にフッ素含有気体と酸素含有気体とを噴射し、気相合成法を利用したもので、フッ素を0.001〜2重量%範囲で含有する酸化マグネシウム純度が98重量%(但し、酸化マグネシウム純度は、フッ素含有酸化マグネシウムの純度)以上であり、BET比表面積が0.1〜50m2/g範囲にあるフッ素含有酸化マグネシウム粉末を製造することを特徴とする。
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保護膜材料とその製造方法、保護膜及びプラズマディスプレイパネル
【課題】放電遅延時間を短縮させ、温度依存性を改善し、増進されたイオン強度を有するPDPの保護膜を製造するための材料、その製造方法、これより形成された保護膜及び該保護膜を備えるPDPを提供する。
【解決手段】本発明によれば、MgO1質量部を基準に2.0×10−5〜1.0×10−2質量部の希土類元素がドーピングされた酸化マグネシウム単結晶を含む保護膜の材料、約2800℃の温度で結晶化を通じて前記酸化マグネシウム単結晶を製造する方法、これより形成された保護膜及び前記保護膜を含むPDPを提供する。
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フッ化物結晶及び真空紫外発光素子
【課題】真空紫外領域で高輝度発光するフッ化物結晶からなり、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療(眼科治療、DNA切断)等に好適に使用できる真空紫外発光素子を提供する。
【解決手段】化学式La1−x−yBaxNdyF3−xで表され、x及びyがそれぞれ0.01〜0.2及び0.001〜0.5の範囲にあるフッ化物結晶、好ましくはその単結晶を製造し、得られたフッ化物結晶を真空紫外発光素子に加工する。
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BaLiF3単結晶体の製造方法
【課題】 半導体製造用の液浸式露光装置のラストレンズ等として有用な、光を透過させる主軸方向が<100>方向のBaLiF3単結晶体からなり、かつ屈折率均質性が良好な光学部材を安定的に、簡便かつ安価に得る。
【解決手段】 チョクラルスキー法にて<111>方向に結晶を育成してインゴットを得、このインゴットを斜め方向に切断するなどして{100}面からなる平行2面を有する板状体を得る。<100>方向に育成して水平に切断して得た板状体よりも応力分布(歪)等が均一となり、屈折率均質性に優れる部材を得ることができる。
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化合物超伝導体及びその製造方法
【課題】室温超伝導体を開発するための有力な方策は、これまでとは異なる視点から材料
を見つめ、新たな超伝導化合物を見出し、超伝導化合物の系を拡げていくことである。
【解決手段】化学式[Ca24Al28O64]4+・2[xO2−+2yA+2{1−(x+2y)
}e−] (Aはケージに包接された、OH−、O−又はO2−のいずれか1種以上、0≦
x+2y≦0.5)で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物であることを特徴
とする化合物超伝導体。化学式が[Ca24Al28O64]4+・2[xO2−+2yA] (Aは
ケージに包接された、OH−、O−又はO2−のいずれか1種以上、0≦x≦1、y=1
−x) で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物を磁性イオンが含有されない方
法で調製し、該化合物のケージに包接されたO2−及びAの合計(x+2y)の50原子
%以上を電子で置換することにより作成できる。
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セラミック粒状材料及び当該セラミック粒状材料を形成するための方法
セラミック粒状材料はアルミナ粒子を含み、上記粒子は、15m2/g以上及び75m2/g以下の比表面積(SSA)と、(i)真円度相関画像解析法(Roundness Correlation Image Analysis)により測定されるような0.710以上の平均真円度、及び(ii)20%未満の凹面度の少なくとも1つにより定量化される真球度とを有し、上記凹面度は、少なくとも100個のアルミナ粒子の試料に基づく、TEM検査によりd50の10%以上の距離に沿って伸びる凹面形の外周部分を有するアルミナ粒子のパーセンテージであり、当該凹面形の外周部分は、粒子の内部から観察された場合に負の曲率半径を有する。 (もっと読む)
アルミナ微粒子及びアルミナゾルの製造方法
【課題】高結晶性のアルミナ微粒子を分散質とする、金属触媒の支持体として有用なアルミナゾル及びその簡便かつ効率の良い合成方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム塩水溶液を、410℃以上の超臨界状態の水中において水熱反応させて、一次粒子径が20nm以下であり、その粒子は残存水酸イオンが少なく、凝集のない、結晶化度が高いアルミナ微粒子が分散したアルミナゾルを製造する方法、上記アルミナ微粒子を分散質とするアルミナゾル及びその反応膜としての用途。
【効果】触媒及び触媒担体用材料として利用可能な、高結晶かつ単結晶性の粒子径が20nm以下の、ガンマ型アルミナ微粒子を分散質として均一に分散させた、優れた透明性及び安定性を有するアルミナゾルを提供することができる。
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カルシウムアルミネートモノカーボネートの製造方法
【課題】 カルシウムアルミネートモノカーボネートを安価な原料と安価な装置を用い、迅速かつ粒径制御性に優れた製造方法を提供すること。
【解決手段】 原料のひとつである水酸化アルミニウムに摩砕処理を施し、メカノケミカル活性化することで、消石灰及び炭酸カルシウムとの相互の反応が進行し、常温常圧の水中でカルシウムアルミネートモノカーボネートが合成される。この際、反応開始時に高速剪断混合処理を行うと、反応時間の促進とともに一次粒子の微細化と良好な分散化が図られる。
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結晶製造装置、露光装置及びデバイス製造方法
【課題】坩堝内部への水分流入を防止し、光学性能(透過率など)に優れた結晶を製造することができる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝10の内室IRのガス圧が坩堝10の外室ORの圧力又は処理炉PFの圧力よりも低い場合には、外蓋14は内蓋12に載置された状態を維持するので、坩堝10の外部から坩堝10の内室IRへの水分などの流入を防止することができる。一方、坩堝10の内室IRのガス圧が坩堝10の外室ORの圧力又は処理炉PFの圧力よりも高い場合には、外蓋14が内蓋12から持ち上がり、坩堝10の内室IRのガスは、開口部12aを介して、坩堝10の外室ORに排出され、更に、開口部11を介して、坩堝10の外部に排出される。このように、開口部12aを有する内蓋12と、開口部12aを覆う外蓋14とが、逆止弁の機能を実現する。
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無機粉体及びその熱処理方法
【課題】単結晶構造又は多結晶構造の無機粉体の格子欠陥を低減する。
【解決手段】単結晶構造又は多結晶構造の無機粉体に対して、周期数2回以上のサイクルアニールを実施する。下記式(1)、特に下記式(2)を充足する条件で、サイクルアニールを実施することが好ましい。
0.45Tm≦TL<TH<Tm・・・(1)、
0.45Tm≦TL<TH、0.55Tm≦TH<Tm・・・(2)
(式中、Tmは無機粉体の融点(K)である。融点がなく、溶融せずに昇華する性質を有する無機粉体の場合には、Tmは昇華温度(K)とする。TL(K)はサイクルアニールの最低温度、TH(K)はサイクルアニールの最高温度である。)
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蛍石とそれを用いた光学系及び露光装置
【課題】短波長で高出力の光を長期間繰り返し照射した場合であっても、透過率特性が劣化し難い蛍石、それよりなる光学部品及び該光学部品を用いたフォトリソグラフィー用の露光装置を提供する。
【解決手段】蛍石は、135nmの波長の光に対する内部透過率が70%以上である。蛍石は、ストロンチウムを含む蛍石であって、ストロンチウムの含有量が1ppm以上600ppm以下である。エキシマレーザー用の光学系は、蛍石又はストロンチウムを含む蛍石からなるレンズを有する。フォトリソグラフィー用の露光装置は、蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。フォトリソグラフィー用の露光装置は、ストロンチウムを含む蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。
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フッ化物単結晶の製造方法
【課題】 短波長域においても十分に大きな透過率を示すフッ化物単結晶が得られるフッ化物単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 フッ化物にスカベンジャーを混合した混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、スカベンジャーが、圧力−温度曲線において1400℃以下に1以上の極大点を有する化合物を2種以上含む、フッ化物単結晶の製造方法。
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希土類ヨウ化物タイプのシンチレータ結晶
本発明は、化学式AxLn(y-y’)Ln’y’I(x+3y)の無機希土類ヨウ化物のシンチレーション材料であって、式中、AがLi、Na、K、Rb、Csから選択される少なくとも1つの元素を表し、LnがLa、Gd、Y、Luから選択され、当該化学式において原子価3+である少なくとも1つの第1の希土類元素を表し、Ln’がCe、Tb、Prから選択され、当該化学式において原子価3+である少なくとも1つの第2の希土類元素を表し、xが整数でかつ0、1、2又は3を表し、yが0よりも大きく3よりも小さい整数又は非整数であり、y’が0よりも大きくyよりも小さい整数又は非整数である、無機希土類ヨウ化物のシンチレーション材料に関する。当該材料は、高い阻止能と、速い減衰時間、特には100ナノ秒未満の減衰時間と、優れたエネルギー分解能(特には662keVで6%未満)と、高い発光レベルを提供する。当該材料は、核医学設備、とりわけ、アンガー型γカメラ及び陽電子放射断層撮影装置において使用することができる。 (もっと読む)
散乱性の減じられた高均質低応力単結晶の製造方法
【課題】 小さな応力しか生じないためグライド帯部分が小さくかつ高屈性率均質性であり、また少量の散乱能、少量のシュリーレン及び小角度粒子境界しかもたない単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】高均質低応力大形単結晶の製造方法を、a)溶融物から単結晶を成長させ、b)前記単結晶を冷却し、及びc)前記単結晶の焼戻しを行う各工程から構成し、結晶成長後の単結晶の冷却を1300℃から1050℃に至る温度範囲内において少なくとも10K/時間の冷却速度で行う。
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シンチレータの製造方法及びシンチレータ
【課題】 十分に高い蛍光出力、良好なエネルギー分解能、及び短い蛍光減衰時間を有するシンチレータの製造方法及びシンチレータを提供する。
【解決手段】 本実施形態のシンチレータの製造方法は、無機固体中の塩素含有割合を低減する低減工程と、低減工程によって塩素含有割合を低減した無機固体を溶融させることにより、溶融液を得る溶融工程と、溶融液を固化させることにより、母材中にセリウムを発光中心として含むシンチレータを得る固化工程とを含む。
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