【課題】超伝導ストリップにおけるバッファ層等として使用される薄膜層の形成に関し、双軸の結晶方向を持つ薄膜層の製造方法を提供する。
【解決手段】所望の薄膜層に対応する組成の原子１１をストリップの形状を持つ基板２上に複数回交互に繰り返し積層させ、この措置とは時間的及び空間的に分離した形で、この積層させた原子に、基板に対して所定の角度範囲内の角度（α）に方向を調整した高エネルギービーム１２を照射する。 （もっと読む）

Ｔａ_２Ｏ_５含有層の形成方法を提供する。蒸着室内へ基板を配置する。ＴａＦ_５とＨ_２Ｏ及びＯ_３の少なくとも一方を含むガス状前駆物質を、基板上へＴａ_２Ｏ_５含有層を蒸着するのに有効な条件下で蒸着室内へ送り込む。基板を蒸着室内へ配置する。第一種物質を蒸着室内で基板上へ化学吸着してＴａＦ_５を含むガス状第一前駆物質から第一種物質単層を形成する。化学吸着された第一種物質をＨ_２Ｏ及びＯ_３の少なくとも一方を含むガス状第二前駆物質と接触させて第一種物質と反応させＴａ及Ｏを含む単層を形成する。化学吸着及び接触を、Ｔａ_２Ｏ_５を含む基板上へ材料塊を形成させるのに有効な条件下で連続反復する。
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【課題】 針状及び棒状のいずれかの形状を有する金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体及びその製造方法、並びに金属酸化物粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】 一定方位への規則的な結晶配向構造を有する金属含有材料を含む結晶面を有する基板を金属酸化物が析出可能な反応溶液中に浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に金属酸化物結晶を析出させることを特徴とする金属酸化物構造体である。該金属含有材料を含む結晶面が、単結晶材料及びエピタキシャル結晶材料の少なくともいずれかから形成される態様。該金属含有材料を含む結晶面が、金属、金属酸化物、又は金属窒化物を含有する態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】基材とウィスカーの密着強度が高く、表面積の大きなウィスカー被覆材料、特に種々の用途に応じた目的を達成し得るウィスカー被覆材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属、合金及びセラミックスなどを含む基材が、該基材の表面上に、該基材の構成元素を１種以上含むウィスカーを備え、ウィスカーの主な構成元素が、基材の表面部の構成元素と同じであるウィスカー被覆材料である。ウィスカーが、基材から成長した幹部とその先端に頭部を有し、１本の幹部に１つの頭部を有して成る、または複数の幹部が相互に撚り合い、１つの頭部を共有して成る。
金属、合金及びセラミックスなどを含む基材又は基材前駆体を、不活性ガス雰囲気中で、該基材又は基材前駆体の融点より低い温度で加熱処理し、基材上にウィスカーを形成させてウィスカー被覆材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】従来品と比べて直径及び長さが１０分の１以下である微細なウィスカーや所望のサイズのウィスカーを備えるウィスカー形成体、該ウィスカー、及びウィスカー形成体を少ない工程で簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】金属、合金及びセラミックスなどを含んで成る原料基体の表面上に、原料基体に含まれる元素の酸化物を含んで成るウィスカーを形成させたウィスカー形成体である。平均太さが２ｎｍ〜１００μｍ、平均長さが２０ｎｍ〜１０００μｍである。
マンガン、アルミニウム、クロム、インジウム、銀、ガリウム、錫、銅、スカンジウム、ゲルマニウム及び亜鉛などの酸化物構成元素を含んで成るウィスカーである。
金属、合金及びセラミックスなどを含む原料基体を、不活性ガス雰囲気中且つ微量酸素の存在下で加熱処理してウィスカーを形成させるウィスカー形成体の製造方法である。酸化物構成元素の含有率を１〜１００％に制御しウィスカーの太さ及び長さを変更する。 （もっと読む）

アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）

【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）