【課題】波長２５０〜２７０ｎｍの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ｇａ₂Ｏ₃単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法などのプロセスを用いる必要なく、高配向の酸化モリブデン薄膜を容易に形成することができる酸化モリブデン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】６価のモリブデン酸化物のアンモニア溶解液に酸を供給して得られる析出物をアルコールに分散させた後、この析出物を含有するアルコールを基板に供給し、乾燥・焼成して薄膜を形成する。アルコールとしては、エチレングリコール、モリブデン酸化物としては、ＭｏＯ３を使用する。 （もっと読む）

【課題】構造材料用セラミックス及び固体電解質として利用可能な高温処理を必要としない高結晶性かつ平均粒子径が１０ｎｍ以下の正方晶安定化ジルコニア微粒子を提供する。
【解決手段】基本構造が一般式（１−ｘ）ＺｒＯ_２・ｘＹ_２Ｏ_３（式中のｘは０．０２〜０．１の数であり、ＹはＳｃ，Ｙ，Ｙｂのいずれかを含む希土類金属である。）で表される安定化ジルコニア微粒子、及び、イットリウムなどの希土類金属イオンとジルコニウムイオンとの混合水溶液をアルカリ水溶液でｐＨ８以上に調整し、亜臨界ないし超臨界状態の水を媒体として、３００−４００℃で短時間水熱反応させることにより製造してなる、一次粒子径が１０ｎｍ以下であり、その粒子は残存水酸基が少なく、凝集のない、結晶化度が高い安定化ジルコニア微粒子。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の（１００）配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記（１００）配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。導電性薄膜は、金属又は金属酸化物、特に貴金属又は貴金属酸化物により構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを結晶成長させる場合でも、転移密度が低い良質なエピタキシャル結晶成長が可能なβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、（１００）面の上にＧａＮが成長して形成されたエピタキシャル層を有するβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、及び、これらのβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位である（１００）面を有し、この（１００）面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】形成しようとする酸化物系ナノ構造物と同じ組成を持つナノ核を利用してナノ構造物を成長させる酸化物系ナノ構造物の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（Ｍは、遷移金属元素または半金属元素）を含む有機物前駆体が有機溶媒に溶解されている混合溶液を基板の表面にコーティングするステップと、混合溶液がコーティングされた基板を熱処理して、基板上にＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ核を形成するステップと、Ｍを含む反応前駆体をナノ核に供給しつつナノ核を成長させて、ＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ構造物を形成するステップと、ナノ構造物を熱処理するステップと、を含む酸化物系ナノ構造物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】面方位が実質的に＜１００＞方向である酸化ガリウム単結晶の（１００）面を研磨して薄型化するラッピング加工と、平滑に研磨するポリッシング加工とを行い、更に化学機械研磨することで、酸化ガリウム単結晶の（１００）面にステップとテラスとを形成して、酸化ガリウム単結晶基板を得る。 （もっと読む）

【課題】基礎吸収端が２５０〜２６０ｎｍの範囲にあり、厚さ０．４ｍｍにおける３１０〜６２０ｎｍの波長領域（紫外光領域及び可視光領域）での内部透過率が８０％以上の光透過率に優れたバルクの酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末にＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ又はこれらの酸化物から選ばれた１種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを１４００〜１６００℃で焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてＦＺ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度ｖを５mm/h＜ｖ＜１５mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】単位体積当たりの表面積が大きく、キャパシタ用電極として用いることによって、その電極効率を向上させることができるウィスカー形成体と、このようなウィスカー形成体の製造方法、さらには当該ウィスカー形成体を用いた電気化学キャパシタを提供する。
【解決手段】マンガンを含む金属及び／又はセラミックス、すなわち金属、セラミックス、又はこれらの複合体であるサーメットを原料基体とし、又は表面上にマンガン含有層を形成させたものを原料基体とし、この表面に二酸化マンガンを主成分とする導電性ウィスカーを形成させてウィスカー形成体とし、これを電気化学キャパシタの電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】鋳型構造を用いずに金属ナノワイヤを成長させ、外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】外部環境ナノワイヤセンサおよびその製造方法を提供する。上記方法は、シリコンなどの基板１０２から第１の複数のナノワイヤ１０８を成長させ、インシュレータ層１２０を第１の複数のナノワイヤ１０８上に堆積させ、エッチングによって第１の複数のナノワイヤの先端部１１６を露出させ、電極の端部１１４が第１の複数のナノワイヤの先端部１１６の上にまたがるようにパターン化された金属の電極１１２を形成し、エッチングによって電極の端部１１４の下にある第１の複数のナノワイヤ１０８を露出させる方法である。また、上記方法では成長プロモーション層が基板の上に形成される構成としてもよい。上記構成物は、選択的に形成された成長プロモーション層から成長し、露出されたナノワイヤを含む。 （もっと読む）

本発明は半導体材料のドーピング方法に関する。基本的には、該方法は一定量の粒状半導体材料とイオン性塩またはイオン性塩の調製物を混合することを含む。好ましくは、粒状半導体材料は1 nm ないし100 μmの範囲のサイズを有する粒子を含む。特に好ましくは、粒子サイズは50 nmないし500 nmの範囲である。好ましい半導体材料は真性および金属級シリコンである。本発明はバインダーおよび溶媒と同様、ドープした半導体材料を含む印刷可能組成物にまで及ぶ。本発明はさらに、pおよびn型特性を有する印刷可能組成物層から形成される半導体デバイスに及ぶ。
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【課題】低温でＣｕ_２Ｏ薄膜を高結晶化させる方法及び結晶性が高く、ホール移動度の高いＣｕ_２Ｏ薄膜が、高分子フィルムよりなる基板上に積層されてなる積層体を提供する。
【解決手段】基板上にＣｕ_２Ｏ薄膜が積層されてなる積層体１０が、ガラスチャンバ１内に配置されている。この基板は高分子フィルムよりなっている。Ａｒガス雰囲気において、電極２，３間に高周波電力を印加し、積層体１０のプラズマ処理を行う。これにより、Ｃｕ_２Ｏ薄膜が高結晶化し、Ｃｕ_２Ｏ薄膜のホール移動度が向上する。 （もっと読む）

基材上に１つまたはそれ以上の双軸組織層を製造する方法と、該方法によって製造された物体が開示される。例示としての方法は、希土類、遷移金属、アクチニド、ランタニド、およびそれらの酸化物からなる群から選ばれた前駆体を、基材上に電着する段階を含む。例示としての物体（１５０）は、双軸組織基材（１３０）、および希土類、遷移金属、アクチニド、ランタニド、およびそれらの酸化物からなる群から選ばれた少なくとも１つの双軸組織層（１１０）を有する。少なくとも１つの双軸組織層（１１０）は、双軸組織基材（１３０）上に電着により形成される。
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【課題】 既存のものよりはるかに結晶性に優れ、光学材料、電極、導電体、ガスセンサ、光記録材料等の種々のデバイスへの応用に有利な酸化ガリウム単結晶を提供する。
【解決手段】 放射光をＸ線源としたＸ線ロッキングカーブ測定により得られるＸ線ロッキングカーブの半値幅が０．０８°以下であることを特徴とする酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）単結晶である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に製膜した、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）を主成分とする導電性の有機無機ハイブリッド薄膜、該薄膜を製造する方法、及びその導電性有機無機ハイブリッド薄膜を利用したセンサ部材等を提供する。
【解決手段】金属酸化物単結晶に比べて安価なシリコン基板上に、適切な金属酸化物のバッファー層を介在させて、有機無機ハイブリッド薄膜を形成したことを特徴とする、電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜、その製造方法、該方法により作製された電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜をセンサ素子として用いた、ＶＯＣガス等に対して高感度に応答する化学センサ部材。 （もっと読む）

【課題】 Ｇａ_２Ｏ_３系結晶のへき開性を弱くし、加工性を向上させることができるＧａ_２Ｏ_３系結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 種結晶２０の（００１）面を基板成長面とし、種結晶２０のｃ軸に平行な方向を成長方向としてＥＦＧ法によりβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５を製造すると、上記したように、（１００）面及び（００１）面のへき開性が改善されるので、ＬＥＤ素子製造工程における切削等の加工性が向上し、基板及びＬＥＤ素子の量産性を高めることができる。また、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造工程において（１００）面におけるＧａＮ系半導体の良好な結晶成長性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高純度で大径の単結晶が得られるIII族酸化物系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８は、ＦＺ法（フローティングゾーン法）により製造される。β−Ｇａ_２Ｏ_３系種結晶７と、目的のβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８の外径に応じた量の熱融解性調整用添加物を添加したβ−Ｇａ_２Ｏ_３系多結晶からなる燒結素材９との接触部を加熱融解して融解帯８ｄを形成する。その融解帯８ｄの温度降下により、種結晶７の先端に単結晶８が育成する。 （もっと読む）

【課題】 高純度の大きな単結晶を育成することが可能な単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】 ルツボ１４に収納した原料を加熱することにより溶融した融液１３の液面に種結晶１８を接触および回転させながら引き上げて単結晶を成長させる単結晶製造装置１にあって、融液１３の表面に浮遊する不純物を除去する不純物除去部材１５、この不純物除去部材１５を昇降させるワイヤ１６、ワイヤ１６をガイドするとともに不純物除去部材１５を退避させる回動軸１７を設け、不純物除去部材１５を液面に接触させ、不純物除去部材１５の下面に不純物を付着させる。 （もっと読む）

【課題】 無機微結晶を連続して製造する際に、結晶核の析出過程、結晶核を基に結晶成長させる結晶成長過程等における温度制御を容易にすることにより、無機微結晶の析出条件や成長条件を容易に制御することが可能であり、その結果、無機微結晶の製造条件の最適化が可能な無機微結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明の無機微結晶の製造方法は、無機微結晶の原料となる溶液またはスラリーを温度（１）にて保持し、次いで、この温度（１）に保持された溶液またはスラリーを温度（１）と異なる温度（２）に保持して結晶核を析出させ、次いで、この溶液またはスラリー中の結晶核を温度（３）にて結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）