【課題】所望のサイズや形状の熱電変換材料を安定して得ることができる熱電変換材料製造装置及び熱電変換材料製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換材料の溶融された原料である溶融原料を収納する原料収納部と、前記原料収納部から流入した溶融原料を冷却して凝固させる凝固部と、原料収納部に収納された溶融原料を加圧しながら凝固部に流入させる加圧構造と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造過程が容易であり、製造コストが低廉な多元系ナノワイヤーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多元系ナノワイヤーの製造方法は、（ａ）複数の気孔を有する陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを準備するステップと、（ｂ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートの一側面上に電極層を形成するステップと、（ｃ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを所定の多元系溶液に浸漬させ、前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを陰極とする電気めっき法によって、前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートの前記気孔を通じて多元系ナノワイヤーを成長させるステップと、（ｄ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを除去するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 （１１０）方位の化合物半導体単結晶を優れた結晶品質で成長できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 有底円筒形の第１ルツボと、該第１ルツボの内側に配置され前記第１ルツボとの連通孔を設けた第２ルツボとから構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶の製造方法であって、前記第２ルツボとして複数の連通孔を有するルツボを用いて、<１１０>方向に種結晶を引き上げながら結晶成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】IIa・III₂・VI₄組成の化合物のバルク単結晶の確実で安全な作製方法、及び、そのための好適な作製装置を提供する。
【解決手段】（a）VI族元素の蒸気存在下で、III₂VI_３化合物とIIa金属元素とを融解して一般式IIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物を合成する段階、(b)IIa・III_２・VI₄化合物を過冷却点以下まで冷却して該IIa・III_２・VI₄化合物を凝固する段階、(c)凝固した該IIa・III_２・VI₄化合物を再加熱した後徐冷することにより種結晶を作製する段階、（ｄ）該種結晶を用いて、IIa−III-VI族間のIIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物のバルク単結晶を作製する段階、を含む。 （もっと読む）

アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）