単結晶ゲルマニウムの結晶成長を対象とするシステム、方法および基板が開示される。例示的な一実施形態によれば、単結晶ゲルマニウムの結晶成長法が提供される。さらに、上記方法は、坩堝の中に、第１のゲルマニウム原材料を充填する段階と、ゲルマニウム融解材料の補充に用いられる容器の中に、第２のゲルマニウム原材料を充填する段階と、アンプルの中に、前記坩堝および前記容器を密封する段階と、結晶成長炉の中に、坩堝とともにアンプルを配置する段階と、第１および第２のゲルマニウム原材料を融解する段階と、結晶化させるための融液の温度勾配を制御して、改善されたまたは予め定められた特性を有する単結晶ゲルマニウムのインゴットを再現性よく提供する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】均一組成を有するバルク結晶を任意の組成比で成長させることができるバルク結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長中に熱パルスを所定の周期で加えることにより、不純物の濃度縞を結晶内に形成し、この濃度縞の位置及び間隔から、均一組成を有するバルク結晶を任意の組成比で成長させるために必要な温度保持時間、結晶成長速度、温度勾配を求める。そして、均一組成を有するバルク結晶を成長させる際は、成長させる結晶の組成比が目的の値となるまで所定時間温度を保持した後に、目的の組成比に対応した結晶成長速度と温度勾配との積から求まる温度降下速度に従って加熱炉内の温度を下げる、又は、目的の組成比に対応した結晶成長速度に応じた移動速度で容器を低温側に相対移動させることによって、結晶成長界面の温度を一定に保つようにする。 （もっと読む）

【課題】固溶体（混晶）単結晶を再現性よく育成することを可能とする固溶体（混晶）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】固体原料２０７の溶融により生成される溶融帯内の融液が融け残った残余の固体原料２０７の表面を移動することを妨げる特定物質２０８を、この固体原料２０７の表面に付着させた状態において、結晶成長を実行することにより、融液が溶融帯から融け残った残余の固体原料２０７の表面を伝わって残余の固体原料２０７側へ移動することが妨げられる結果、溶融帯の形状の変形、及び、この変形に伴う結晶成長界面の変形を防止することができる。よって、結晶成長界面の変形に起因して生ずる、結晶成長における組成の均一性及び多結晶化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた電池特性ならびに熱電変換性能を有し、有用な、層状結晶構造を有するコバルト酸アルカリのバルク状単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａ_ｘＣｏＯ_２粉末を筒状の容器中に収納し、酸素ガス中又は大気中で融点以上の温度に加熱して溶融し、Ａ_ｘＣｏＯ_２の溶融域を徐々に移動させることにより単結晶を育成して、単結晶の縦、横、及び高さがそれぞれ少なくとも１ｍｍ以上である化学式Ａ_ｘＣｏＯ_２で示される化合物のバルク状単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】 バルク結晶の製造方法及びバルク結晶製造装置に関し、均熱板を用いることなくソース材料の底部中央部とバルク混晶結晶との衝突による成長中断を防止する。
【解決手段】 成長装置内の成長方向に温度が傾斜している領域にゾーン成長用のルツボ１を配置し、ルツボ１内にソース材料５、メルト４、種結晶２を温度が高い方向から低い方向に順に配置するとともに、ソース材料５の外周部とルツボ１の内壁間に間隙８を設ける。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー効率が良く、しかも安価に、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を製造することができる多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる多結晶半導体製造方法は、半導体の種結晶８を底面に配置したルツボ６内に半導体材料７を装入し、不活性な雰囲気下、ルツボ６内で半導体材料７を加熱手段によって加熱融解し、ルツボ６底部から冷却を開始し、徐々にルツボ全体を冷却して融解材料を凝固させる多結晶半導体製造方法であって、特に半導体材料７としてＳｉを用い、種結晶８として３Ｃ−ＳｉＣを用いた点に特徴を有している。 （もっと読む）

【課題】 大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。
【解決手段】 縦型の単結晶成長用容器１４内に化合物半導体の種結晶１５と原料を収容し、原料と種結晶の一部を加熱融解して実質的に化学量論組成に調整した原料融液１８を作製し、種結晶の未融解部分から原料融液側に向かって結晶成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液の少なくとも一部を融液状態に保ったまま融点より低温にして、種結晶の未融解部分から融液側に向かって結晶成長を進行させる。 （もっと読む）

【課題】 ゾーン成長開始時に発生する成長結晶の結晶組成が成長方向に急変することを簡単な手段で抑止できるようにする。
【解決手段】 成長装置内の成長方向に向かって低温から高温へと温度が傾斜する領域にルツボ１を配置し、ルツボ１内にソース材料４、メルト（９及び８）、種結晶２を温度が高い位置から低い位置に向かって順に配置し、メルト内にソース材料４を溶出させ、メルト内を伝播したソースを種結晶２上に結晶成長させるゾーン成長法に於いて、ルツボ１に充填するメルト原料は、メルトを構成する原料９及び８の複数層で構成し、複数層のメルト原料９及び８が成長させるべき混晶系の融液組成を成し、且つ、種結晶２に接触させるメルト原料８の融点を、その上に在るメルト原料９の融点より低くする。 （もっと読む）

【課題】 大きな窒化物単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物結晶１１の表面に希土類元素の化合物を含有する物質輸送媒体層１２を形成し、種結晶１３を物質輸送触体層１２に接触させることにより、種結晶１３に窒化物単結晶１４を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法である。さらには、物質輸送媒体層１２として、アルミニウム化合物、アルカリ土類化合物および遷移金属化合物からなる群から選ばれる１以上の化合物と希土類元素の化合物を含有する窒化物単結晶の製造方法である。かかる製造方法により、結晶径が１０ｎｍ以上の窒化物単結晶が得られる。 （もっと読む）