【課題】ヘテロナノワイヤーの可能性を発展させたもので、ヘテロ構造が、硫化亜鉛と酸化亜鉛とによるものを提供する。
【解決手段】長手方向では同様な組成よりなり、それを横断する一側側と他側側では相互に異なる組成域となっているヘテロナノワイヤーであって、相異なる組成域の一方が硫化亜鉛で、他方が酸化亜鉛であることを特徴とし、さらに、前記硫化亜鉛からなる組成域は、長手方向に六方晶系硫化亜鉛と立方晶系硫化亜鉛とが交互に結晶成長しているかあるいは単結晶成長している。これらの製造方法は、不活性ガス流路中に、硫化亜鉛粉末を配置し、該硫化亜鉛粉末の配置位置よりも下流側に金薄膜の付着したシリコン基板を設置し、不活性ガスを流しながら、前記硫化亜鉛粉末をその昇華温度に、前記シリコン基板を前記硫化亜鉛粉末の昇華温度未満に、それぞれ加熱することにより前記シリコン基板表面に前記ヘテロナノワイヤーを生成する。 （もっと読む）

【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する方法を提供する。
【解決手段】真空容器中に、金属酸化物源である金属の第一電極と放電空間を囲む絶縁板、そして、該絶縁板の外面に第二電極を備え、且つ、該真空容器中への気体導入部を備えているスパッタリング装置において、前記第一電極と前記第二電極間に変動電圧を与え、前記気体導入部より酸素を0.１％以上含む気体を導入して、プラズマ中で、第一電極のスパッタリング及び飛散第一電極金属原子と酸素との酸化反応を同一放電空間で行うことにより球形金属酸化物単結晶中空粒子を生成せしめる。放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】従来のリフトオフ材料が持っている高温での不安定性の問題を克服することができる新規材料を利用して、高温で安定してナノワイヤを成長及びパターニングすることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板の表面にナノワイヤをパターニングする方法は、（ａ）上記表面に、フッ化バリウム犠牲層が所望のパターンで形成された上記基板を提供するステップと、（ｂ）上記フッ化バリウム犠牲層を含む上記基板の表面全体にわたって、ナノワイヤを成長させるステップと、（ｃ）溶媒によって上記フッ化バリウム犠牲層を除去することにより、上記フッ化バリウム犠牲層の表面にある上記ナノワイヤごと除去して、上記基板の上記表面に直接接触した状態の上記ナノワイヤを残すことにより、上記ナノワイヤを上記基板の上記表面上にパターン化するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気化学デバイス用電極用ウィスカー形成体及びその製造方法を提供。
【解決手段】ウィスカー形成体は、基材と、該基材の表面に配設されたウィスカー母材層と、該ウィスカー母材層の表面に配設されたウィスカーで形成されたウィスカー形成層と、を有し、該ウィスカー形成層のウィスカーが、単体の融点が３００［Ｋ］以上１０００［Ｋ］以下である金属Ａの化合物から成り、該ウィスカー母材層が、該金属Ａを含み、該基材が、金属Ａの融点よりも高い融点を有する。 （もっと読む）

【課題】ＶＯ₂（Ｍ）（単斜晶型）ナノワイヤ等の一次元ナノ構造体を低温かつ高速に再現性良く形成することができる一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板２に対向して、ＶＯ₂ターゲット７を配し、この状態でレーザー光１０をターゲット７に照射し、これによって生じたターゲット昇華物質と雰囲気ガスとによって発生するプラズマ（プルーム１１、１２）が基板２に実質的に届かないようにする圧力条件下で、ターゲット昇華物質をクラスター１４として基板２に付着させてＶＯ₂（Ｍ）ナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体材料を用いた、発光特性に優れたナノ粒子蛍光体と、これを高い歩留りで製造出来る製造方法およびこれを用いた発光装置を提供すること。
【解決手段】直径が３ｎｍ以下の柱状結晶で構成される蛍光体であって、柱状結晶において発光領域と光吸収領域とが規定され、発光領域および光吸収領域は、柱状結晶の長手方向に隣接しており、発光領域は、蛍光体の長手方向において２つの光吸収領域に挟持されており、発光領域の呈する発光波長が４３０ｎｍより長波長であり、蛍光体の励起光の波長は２００〜４５０ｎｍであり、光吸収領域は、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）およびＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦０．１５）の少なくとも１つからなる蛍光体を提供する。 （もっと読む）

【課題】多孔質基材の全面をほぼ均一に被覆し、多孔質基材と異種材料で構成されたウィスカーで形成されたウィスカー形成層を有するウィスカー形成体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ウィスカー形成体は、多孔質基材と、多孔質基材の外部及び内部表面をほぼ被覆し、金属成分を含有するウィスカー母材層と、ウィスカー母材層の表面をほぼ均一に被覆し、金属成分を含有する酸化物を主成分とするウィスカーで形成されたウィスカー形成層とを有するウィスカー形成体であって、多孔質基材とウィスカー母材層及びウィスカー形成層とが、異種材料で構成されており、金属成分の融点が、多孔質基材を構成する多孔質基材構成材料の融点よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】 微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記基板表面に成長原料を導き、前記膜上の領域を微細柱状結晶の成長促進領域として、少なくとも前記微細柱状結晶の成長促進領域上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶珪素ナノチューブを実現するための前駆物質となる硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法を提供すること。
【解決手段】硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱し、生成した硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させることにより得られる硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーである。 （もっと読む）

【課題】光学素子、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、光触媒等に利用可能な六方晶系の単結晶からなるナノチューブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】硫化カドミウム粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物をグラファイト製の坩堝に入れ、窒素ガス等の不活性ガス気流中において、１１００〜１２００℃で３〜５時間加熱することにより、六方晶系の単結晶からなる硫化カドミウムナノチューブを形成する。このナノチューブ内の一部には、スズを充填することができる。硫化カドミウム粉末の代わりにセレン化カドミウム粉末を用いることで、六方晶系の単結晶からなるセレン化カドミウムナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛及びゲルマニウムナノワイヤーで構成されている一次元ヘテロ構造体の、二軸ナノワイヤー及び同軸ナノワイヤーと、それらを混合した混合ナノワイヤー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ゲルマニウム粉末とゲルマニウム粉末の混合物をグラファイト製坩堝に入れ、不活性ガスを流しながら加熱してゲルマニウムナノワイヤーを製造する。その後、生成したゲルマニウムナノワイヤーと酸化亜鉛粉末を不活性ガス気流中で加熱することで、酸化亜鉛とゲルマニウとが軸方向に接合している二軸ナノワイヤーと、ゲルマニウムからなる中心部とこの中心部を囲む酸化亜鉛からなる円筒部とから構成される第一の同軸ナノワイヤーと、酸化亜鉛からなる中心部とこの中心部を囲むゲルマニウムからなる円筒部とから構成される第二の同軸ナノワイヤーと、からなる混合ナノワイヤーが得られる。 （もっと読む）

【課題】基板表面のダイマー列に直交する分子列を有する基板の提供。
【解決手段】少なくとも１つのダングリングボンドを含む水素終端基板上に、チオール基または水酸基と前記基板を構成する元素との間で共有結合形成可能な基を含む分子を供給することにより、前記分子が、前記共有結合形成可能な基と基板を構成する元素との間の共有結合によって表面に配列して固定化された基板を製造する方法。表面に分子が固定化された基板。チオール基または水酸基と前記基板を構成する元素との間で共有結合形成可能な基を含む分子が、前記共有結合形成可能な基と基板を構成する元素との間の共有結合によって表面に配列して固定化されている。 （もっと読む）

【課題】 オプトエレクトロニクスなどへの応用が期待される単結晶硫化亜鉛ナノチューブとその製造方法を提供する。
【解決手段】 硫化亜鉛粉末４をグラファイト製のるつぼ５に入れ、水蒸気と不活性気体とからなる混合ガス７を流しながら、硫化亜鉛粉末４を１６２０℃〜１７００℃で１．５時間〜２時間加熱する。これにより、長さがおおよそ１０μｍ、外径が８０ｎｍ〜１３０ｎｍ、壁厚がおおよそ１０ｎｍである硫化亜鉛ナノチューブを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 短波長レーザーをはじめとするオプトエレクトロニクス、エレクトロニクス、生化学的センサー等への応用が期待される単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブの製造方法であって、サブマイクロメートルの直径を有する中空構造又はこの中空構造に別の材料が充填され得る、単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 長さ方向に針状のサブマイクロメートルチューブ形状を有し、単結晶セレン化亜鉛からなる。サブマイクロメートルチューブの直径は２５０〜６００ｎｍであり、長さは数十μｍから数百μｍである。セレン化亜鉛粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物を、不活性ガス気流中において、１０５０〜１１８０℃で、３〜５時間加熱し、単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブを製造する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の珪素からなる、結晶性珪素マイクロチューブと、鋳型や触媒を使用しないその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱炉１に、一酸化珪素粉末１５を入れた坩堝２を配置し、不活性ガス１６を流しながら、一酸化珪素粉末１５を所定の温度において所定時間加熱することによって、結晶性珪素マイクロチューブを製造する。１５００〜１７５０℃に１〜２時間加熱することにより、長さ数百μｍ、外径２〜３μｍの結晶性珪素マイクロチューブを製造することができる。この結晶性珪素マイクロチューブは、発光材料、電界放射材料などの半導体分野での応用が期待される。 （もっと読む）

【課題】基材とウィスカーの密着強度が高く、表面積の大きなウィスカー被覆材料、特に種々の用途に応じた目的を達成し得るウィスカー被覆材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属、合金及びセラミックスなどを含む基材が、該基材の表面上に、該基材の構成元素を１種以上含むウィスカーを備え、ウィスカーの主な構成元素が、基材の表面部の構成元素と同じであるウィスカー被覆材料である。ウィスカーが、基材から成長した幹部とその先端に頭部を有し、１本の幹部に１つの頭部を有して成る、または複数の幹部が相互に撚り合い、１つの頭部を共有して成る。
金属、合金及びセラミックスなどを含む基材又は基材前駆体を、不活性ガス雰囲気中で、該基材又は基材前駆体の融点より低い温度で加熱処理し、基材上にウィスカーを形成させてウィスカー被覆材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】従来品と比べて直径及び長さが１０分の１以下である微細なウィスカーや所望のサイズのウィスカーを備えるウィスカー形成体、該ウィスカー、及びウィスカー形成体を少ない工程で簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】金属、合金及びセラミックスなどを含んで成る原料基体の表面上に、原料基体に含まれる元素の酸化物を含んで成るウィスカーを形成させたウィスカー形成体である。平均太さが２ｎｍ〜１００μｍ、平均長さが２０ｎｍ〜１０００μｍである。
マンガン、アルミニウム、クロム、インジウム、銀、ガリウム、錫、銅、スカンジウム、ゲルマニウム及び亜鉛などの酸化物構成元素を含んで成るウィスカーである。
金属、合金及びセラミックスなどを含む原料基体を、不活性ガス雰囲気中且つ微量酸素の存在下で加熱処理してウィスカーを形成させるウィスカー形成体の製造方法である。酸化物構成元素の含有率を１〜１００％に制御しウィスカーの太さ及び長さを変更する。 （もっと読む）