【課題】 熱などに不安定で融液法では結晶化ができない有機材料であっても、溶媒蒸発法により任意の厚さでかつ大型、高品質な有機単結晶６を作製できる薄膜状有機単結晶の製造方法を提供し、かつ任意の厚さでかつ大型で高品質な有機単結晶６の作製に適した薄膜状有機単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 一対の基板４ａ，４ｂによって形成された隙間に、結晶化させる有機物質を溶媒に溶解させて得られた溶液５を充填した後、溶液５を充填した一対の基板４ａ，４ｂから溶媒を蒸発させる速度の制御を行って有機単結晶６を作製する薄膜状有機単結晶の作製方法などにより課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】 バウンダリや泡欠陥を低減し、結晶性及び光学特性に優れた結晶を製造することができる結晶製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】 結晶性物質の原料から単結晶を製造する結晶製造装置であって、前記原料を収納して結晶成長させる坩堝であって、前記原料の融液を保持する第１の領域と、前記結晶成長が開始する前記坩堝の下部を含む第２の領域とを区画すると共に、前記第１の領域と前記第２の領域とを接続する接続孔を有する仕切り板と、前記坩堝の下部に設けられ、９０度以下の円錐角度を有する円錐形状のコニカル部とを有する坩堝と、前記坩堝が収納される炉内に所定の温度勾配を形成する形成手段とを有することを特徴とする結晶製造装置を提供する。 （もっと読む）

融解物から結晶性または多結晶ボデーを成長させる方法および装置が説明される。ここで、融解物は毛管付着によってメサ型るつぼのエッジ特徴へ保持される。結果の融解物面の境界外形は、融解物面から成長するリボンが平坦なボデーとして成長する誘導効果を生じる。更に、融解物プールのサイズは、これらのエッジをリボンの近くへ持ってくることによって大幅に縮小され、材料コストおよびプロセスに関連づけられた電力コストを低減する。
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【課題】 大きさがコンパクトで、高品質なシリコンウエハを得ることのできる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】 薄板製造装置３０には、第１開閉扉３７によって連通／遮断される第１および第２チャンバ３２ａ，３２ｂと、第１または第２チャンバ内に収容され、シリコンの融液を貯留する２つの坩堝３１ａ，３１ｂと、坩堝を第１チャンバと第２チャンバと間で自在に移動させることのできる坩堝移動手段３６と、第１チャンバ内に設けられ、下地基板３３を着脱自在に保持し、下地基板を坩堝内の融液に浸漬する浸漬手段３５とが、備えられる。浸漬手段は、坩堝移動手段によって第１チャンバ内で並列になるように配置される２つの坩堝のうちから選択される１つの坩堝に下地基板を浸漬し、下地基板の結晶生成面で多結晶シリコンウエハを凝固成長させる。 （もっと読む）

単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。低アスペクト比の坩堝は、完成品の単結晶シリコンインゴット中の実質的に対流を除去して酸素含有量を低減する。異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。坩堝下方の複数のヒータは、溶融物に亘る対応する温度ゾーンを構築する。ヒータの温度出力は、改良された結晶成長のために溶融物に亘ってそして結晶／溶融物界面で最適温度制御を提供するために個々に制御される。複数の結晶引上チャンバは、連続的処理及び高スループットを提供する。
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【課題】本発明は、縦の両面（43、44）と縦方向の両エッジ(41、42)を有する平面であり細長い可動式支持材(4)上に、多結晶シリコンを主成分とした層を析出させる装置に関する。
【解決手段】溶融シリコン槽(2)、槽に少なくとも一部が浸され槽の平衡な液面に対し長さ方向に垂直になるよう設計された支持材(4)を含んだるつぼと、少なくとも1つのエッジ制御要素(5、5´)と、を備え、各エッジ制御要素は、二つの縦方向のエッジ（41、42）のうちの一つの近傍で垂直に設置されている。
各エッジ制御要素には壁面があり、その壁面（51から53´）が縦方向エッジ近くに縦の挿入口を形成している。それぞれの挿入口は、縦方向のエッジ付近で毛管現象により槽(2)のレベルが上昇できるよう槽(2)の一部に浸漬させる。
挿入用壁面と呼ばれる縦の面のうちの一つの一部に面した壁面(51から52´)のうち、少なくとも1つは平面であることが、この装置の特徴である。
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