【課題】シリコン単結晶引き上げ装置に用いられる、高強度なルツボ受け皿を得る。
【解決手段】ルツボ受け皿の基材をＣ／Ｃコンポジットにより形成し、さらには基材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸するとともに被膜を形成したこと。 （もっと読む）

【課題】相対的に小さい石英坩堝を用いて大口径のシリコン単結晶の引き上げが可能なシリコン単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造装置において、シリコン単結晶４を引き上げる、シリコン融液３を収容する石英坩堝１と、石英坩堝１の外部に配置され、石英坩堝１中にシリコン融液２３を供給する融液供給部２０とを備えるものとする。そして、石英坩堝１の直径を９１４ｍｍ以上１１１８ｍｍ以下とし、シリコン単結晶の直径を４５０ｍｍとする。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の優れた長尺の単結晶インゴットを製造できる結晶成長用坩堝を提供する。
【解決手段】成長させる単結晶の原料６０と原料６０に対向した位置に成長させる単結晶の種結晶５０を配置した結晶成長用坩堝において、原料６０を収納するための有底円筒部材１０と、有底円筒部材１０の開口面上に載置させるように配置された中空円筒部材２０と、中空円筒部材２０上に載置させるように配置された蓋部材４０とから構成される結晶成長用坩堝。 （もっと読む）

【課題】初期チャージされたシリコン原料の溶解時間を制御することにより、ルツボ表面の損傷を抑制し、結晶品質の安定化に優れたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により初期チャージされたシリコン原料を溶解し、さらに目標の充填量を満たすまで追加チャージされたシリコン原料を溶解して、石英ルツボ内に融液を形成したのちシリコン単結晶を製造する方法であって、前記石英ルツボに初期チャージされたシリコン原料の溶解時間を、目標の充填量を溶解する全溶解時間の１／３〜１／２にする。このシリコン単結晶の製造方法は、直径が３００ｍｍ以上となる大口径のシリコン単結晶の引上げに最適な方法である。 （もっと読む）

【課題】大口径で欠陥の少ない長尺の炭化珪素単結晶を成長できる装置を提供する。
【解決手段】原料５０を充填する充填部１３を有する坩堝１０と、坩堝１０の蓋となる蓋体２０と、蓋体２０に充填部１３に対向して設けられた種結晶４０を取り付ける台座２１と、坩堝１０から台座２１に向けて設けられた単結晶多結晶分離用ガイド３０とを有し、単結晶多結晶分離用ガイド３０に対向して設けられ、単結晶多結晶分離用ガイド３０を下方から放射加熱する放射面１５を備えることにより、分離用ガイド３０の温度を台座２１に取り付けられた種結晶４０より高温にする。 （もっと読む）

【課題】大口径のシリコン単結晶の引上げにおける生産効率に優れ、結晶品質を安定させることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボに充填率が４０〜６０％で初期チャージされたシリコン原料を溶融し、さらに目標の充填量を満たすまでシリコン原料を追加チャージした後、前記石英ルツボ内に形成された融液から単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、望ましくは、目標の充填量を満たすまで少なくとも２回に亘りシリコン原料を追加チャージする。これにより、使用する石英ルツボの容積を有効に活用でき、初期チャージされるシリコン原料の溶解時間を短縮できるとともに、液面ダメージ部を新たに形成することが可能となる。この製造方法は、直径が４５０ｍｍのシリコン単結晶を３６インチ（９１４ｍｍ）〜４４インチ（１１１８ｍｍ）の石英ルツボを用いて引き上げる場合に最適である。 （もっと読む）

【課題】小型のＣＩＰ装置で製造可能であり、周方向に強い張力が働いたときにも形状が安定し、しかも、クラックが入った場合であっても操業が継続できるルツボ保持部材を得る。
【解決手段】軸線Ｌと平行な縦方向に分割され放射状に配置された複数の黒鉛分割片１３からなる石英ルツボ受け部１５と、環状に形成され石英ルツボ受け部１５の胴部１７に嵌められて石英ルツボ受け部１５を円周方向に集結させる外嵌部材１９とを備え、外嵌部材１９が、炭素繊維からなるストランドを軸線Ｌに対して斜めに織り合わせたメッシュ体で形成され、且つメッシュ体の炭素繊維間にマトリクスを充填した。メッシュ体は、軸線に対して傾斜する第一ストランドと、第一ストランドと同角度で逆方向に傾斜する第二ストランドとを有することが好ましい。メッシュ体は、軸線直交面内の周方向のストランドを有しないことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】液滴状Siの嵌合面及び分割面への侵入及び固着を防ぎ、石英ルツボと黒鉛ルツボとの熱膨張率の差に起因した黒鉛ルツボの破損を抑制することができる単結晶引き上げ用黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】黒鉛ルツボ２０Ａ、２０Ｂの外周面に、その円周方向に沿って、連続的または断続的に延びる少なくとも１本の溝２１を形成し、溝２１は、その幅方向断面で見て、外周面の下方に向かってルツボの厚みが薄くなる方向で、かつ、ルツボ外周面に対し鈍角で傾斜して延びる液ダレ回収面と、液ダレ回収面からルツボの外方に向かってルツボ外周底面２２と平行または上方に向かって延びる液ダレ溜り面とを有する。 （もっと読む）

【課題】石英ルツボの表面に形成される気泡等に起因する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減することができるシリコン単結晶の引上げ装置を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されるシリコン単結晶４の溶融原料となる融液３を収容する石英ルツボ１と、この石英ルツボ１の外周面および外底面を保持するグラファイトサセプタ２と、これらを囲繞し融液３を加熱するヒータとを配したシリコン単結晶４の引上げ装置において、融液３中に発生する対流のうち、石英ルツボ１の底面中央部から上昇する流れ（上昇流）をルツボ側壁に沿って上昇する流れ（熱対流）Ａに変える突起形状１ａが、石英ルツボ１の底面に形成されているシリコン単結晶４の引上げ装置、およびこれを用いた引上げ方法である。突起形状１ａは石英ルツボ１の底部に回転非対称に形成するのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】炭素ドープ結晶引き上げにおいてＳｉＣ発生を低減し、炭素粉末をＣドープで使用可能とし、炭素ドープ単結晶の品質低下の防止を図り、有転位化の低減を図る方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりチャンバ内において炭素をドープしてシリコン単結晶を製造する方法であって、ルツボ３内にシリコン原料Ｓを配置する工程において、炭素ドープ剤を、ルツボ内面３ａに対して５ｃｍ以上離れた位置、つまり、領域範囲Ｋ３内に配置し、この状態で配置工程後にシリコン原料Ｓを溶融する溶融工程をおこなう。 （もっと読む）

【課題】縦型ボート法において、双晶不良の発生を抑制する結晶成長用ルツボを提供する。
【解決手段】一方に円錐台形の肩部５を備えた円筒形の直胴部６と、前記肩部５の先端に設けられ種結晶３を収納する細径部４とを有し、前記肩部５及び前記直胴部６に収容される結晶原料融液を、前記細径部４から前記直胴部６へ向かって結晶成長させる結晶成長用ルツボ１において、前記肩部５の内壁面に、結晶成長方向に対してほぼ垂直に、円周状の凹溝８を所定の間隔を隔てて複数形成するものである。 （もっと読む）

【課題】シリコンの製造に使用される内側るつぼの損傷を防止し、かつ、外側るつぼのＳｉＣ化を抑制することができ、外側るつぼから内側るつぼに均一に熱を伝えることができる膨張黒鉛シートの使用方法及びこの使用方法を用いたシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】石英製の内側るつぼ２と黒鉛製の外側るつぼ３を有するるつぼ１において、両るつぼの間に、ガス透過率が１．０×１０^−４ｃｍ^２／ｓより小さく、熱伝導率が１２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である膨張黒鉛シート４を配設する。これによりガス遮蔽性が保たれ、るつぼの均一加熱が可能となる。 （もっと読む）

結晶成長装置において加熱要素を配置するためのシステムおよび方法は、加熱要素の１つ以上の加熱部材を相互接続するとともにこれらの加熱部材の少なくとも１つを結晶成長装置に接続するよう用いられる、ヒータクリップのような接続要素を含む。加熱部材は、電気的および熱的に結合され得、同じ回路を介して接続され得る。これにより加熱要素の制御を簡略化する。
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本発明にかかるシート製造装置は、溶融物を保持する溝を備える容器を有する。溶融物は、溝の第１のポイントから第２のポイントに流れるように構成される。冷却プレートが、溶融物に近接して配置され、溶融物上にシートが形成される。スピルウェイは、溝の第２のポイントに配置される。このスピルウェイを、溶融物からシートを分離させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】充分な強度を確保しつつ、周方向に強い張力が働いたときにも形状の安定した容器保持部材を提供する。
【解決手段】有底カゴ状のメッシュ体１０と、メッシュ体１０をコーティングするマトリックスとで構成されている。メッシュ体１０は、複数の炭素繊維を束ねてなるストランド１２を織り合せて形成され、メッシュ体１０の中心軸Ｌに対して斜めに配向するストランド１２Ａ，１２Ｂを有している。さらに、メッシュ体１０の中心軸と同一面内に配向する縦ストランド１２Ｃを含む。 （もっと読む）

【課題】るつぼ内で凝固して当該るつぼの内面に付着した固体物質を十分且つ効率的に取り除くことが可能な方法及びこれを用いたるつぼ再生方法を提供する。
【解決手段】るつぼ２０内で凝固して当該るつぼ２０の内面に付着した除去対象物質Ｓの除去方法であって、除去対象物質Ｓとともに当該除去対象物質Ｓの融点よりも低い温度で液相を形成する添加物質を、るつぼ２０内に供給する供給工程と、るつぼ２０を加熱して当該るつぼ２０内の除去対象物質Ｓ及び添加物質を融解させる加熱工程と、除去対象物質Ｓと添加物質とを含有する融液をるつぼ内から排出する排出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】充分な強度を確保しつつ、周方向に強い張力が働いたときにも形状の安定したルツボ保持部材を提供する。
【解決手段】シリコン融液を収容する石英ルツボを保持するものであり、上下開口した中空のメッシュ体２０からなる。メッシュ体２０は、複数の炭素繊維を束ねてなるストランド２２を織り合せて形成され、メッシュ体２０の中心軸Ｌに対して斜めに配向するストランド２２Ａ，２２Ｂを有している。ストランド２２を構成する炭素繊維間にはマトリックスが充填されている。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、半導体の種結晶３０と半導体の原料とを収容した容器２０を加熱して、原料を半導体融液３４とする原料融解工程と、容器２０の種結晶３０側の一端３０ａを、種結晶３０を収容している側とは反対側の容器２０の他端２０ａよりも低温に保持する温度保持工程と、種結晶３０側の半導体融液３４の温度の降下量を、他端２０ａ側の半導体融液３４の温度の降下量よりも少なくした状態で半導体融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側から容器２０の他端２０ａに向けて半導体融液３４を徐々に固化させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】一般的に使われるキャスト成長法を用いて、そのインゴット全体の品質を上げることができ、高品質で高歩留まりなSi結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用ルツボに入れたSi融液を、融液上部ほど温度が低く融液中心ほど温度が低くなるように温度分布を調整する。次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量を大幅に低減した球状に近似した形状の単結晶シリコン粒子を、多数個を一括的に製造できる単結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン粒子３の製造方法は、不純物が偏析した突起部１２を有するとともに表面に酸窒化膜１１が形成された単結晶シリコン粒子３の突起部１２を、単結晶シリコン粒子３の表面を実質的に加工変質させずに研磨加工によって除去する。研磨加工はバレル研磨加工により行なう。 （もっと読む）