【課題】ルツボの外周部分を焼結層で構成するのに適するカーボン製モールドを有する石英ルツボの製造装置を提供する。
【解決手段】回転モールド法により石英ルツボを製造するためのカーボン製モールドを有する石英ルツボ製造装置であって、前記カーボン製モールドは、熱伝導率が１２５W/(m・K)以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アークの安定と加熱範囲の制御を向上し大口径ルツボの製造に適応可能とする。
【解決手段】モールドの回転軸周りに配設した電極のアーク放電によってモールド内に成形した石英粉成形体を加熱溶融して石英ガラスルツボを製造する方法において、
電極をリング状に配置した電極構造を用い、アーク加熱中の少なくとも一定の時間、前記電極先端と前記石英粉成形体表面との水平方向距離Ｗの前記石英粉成形体開口半径Ｒに対する比Ｗ／Ｒの値が、０.００２〜０.９８の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】バネ２は、一方端が架台１に固定され、他方端が磁性体３に連結される。磁性体３は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン６に連結される。コイル４は、磁性体３の周囲に巻回されるとともに、電源回路５と、接地ノードＧＮＤとの間に電気的に接続される。ピストン６は、シリンダ７内に挿入された直線部材６１を有する。シリンダ７は、中空の円柱形状からなり、底面７Ｂに小孔７１を有する。そして、シリンダ７は、シリコン融液１３を保持する。基板１１は、シリンダ７の小孔７１に対向するようにＸＹステージ１２によって支持される。電源回路５は、パルス状の電流をコイル４に流し、ピストン６を上下方向ＤＲ１に移動させる。その結果、液滴１４は、１．０２ｍ／ｓの初速度で小孔７１から基板１１へ向けて噴出される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンの引き上げに用いる３０インチ〜４０インチといった大口径の石英ガラスルツボのアーク溶融法による製造において、電極振動の発生を防止し、大出力アーク溶融に対応可能なアーク放電方法および装置を提供する。
【解決手段】３００ｋＶＡ〜１２，０００ｋＶＡの出力範囲で、複数の炭素電極１３によりアーク放電によって非導電性対象物を加熱溶融する方法であって、アーク放電開始時に前記炭素電極どうしを接触させる接触位置と先端との距離が前記炭素電極径に対する比率として０．００１〜０．９の範囲となるよう設定する。また、前記炭素電極１３における電力密度を４０ｋＶＡ／ｃｍ２〜１，７００ｋＶＡ／ｃｍ２に設定する。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部と種結晶との間にＢ_２Ｏ_３を充填することなく、種結晶配置部と種結晶との間への半導体融液の流入を再現性よく抑制することが可能な半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２内の底部に設けられた種結晶配置部２０内に種結晶４を配置し、ルツボ２内における種結晶４より上方を半導体融液３で満たし、半導体融液３を種結晶４側から鉛直方向上方に向けて徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、種結晶配置部２０の内壁面及び種結晶４の外側面に、鉛直方向上方から下方に向けて水平方向の径が徐々に小さくなるような傾斜面をそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶を効率的に育成する単結晶育成装置用坩堝を提供する。
【解決手段】単結晶育成装置１に配置され、周囲に配される誘導コイル１９に電流が流れることで側壁１２が発熱する坩堝１０であって、側壁１２の外周面１３に、外側に向けて屈曲した段部１８を有し、段部１８よりも上面の側の部分外周面１３ａに対し、段部１８よりも下面の側の部分外周面１３ｂが、外側方向に突出している。部分外周面１３ｂには、外周面１３の上側エッジ部１３ａＥよりも外側に位置した角部１８Ｅが形成されている。 （もっと読む）

本発明は、太陽光モジュールの製造において高純度シリコンを製作するためにカーボン／カーボン複合材料を使用するなどして、高温の非酸化雰囲気中において大型のセラミック部材を支持および操作するためのシステムおよび使用方法に関する。本発明の高温装置は、１つまたは複数の支持肋材と、１つまたは複数の支持肋材と組み合わさった１つまたは複数の交差支柱と、１つまたは複数の支持肋材および１つまたは複数の交差支柱の上に配置可能である成形支持ライナーとを含む。
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シートを形成する方法および装置が開示される。融液を冷却して、融液上にシートを形成する。このシートは第１の厚みを有する。シートはその後、第１の厚みから第２の厚みに、例えばヒータまたは融液を利用して、厚みを低減させられる。冷却は、シートにおける一定の領域に溶質を捕捉するよう構成されてよく、この特定のシートの厚みを低減させて溶質を取り除く。溶質は例えば、シリコン、シリコンとゲルマニウムとの組み合わせ、ガリウム、および窒化ガリウムであってよい。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】特に、結晶化率の高いシリコン単結晶の引き上げを可能にする石英ガラスルツボ、および石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶の引上げに用いる石英ガラスルツボ10であって、該ルツボの同一高さ位置Ｈの全周にわたって測定した、気泡含有率、肉厚および透過率の円周最大公差が何れも６％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ６内に、不純物を添加した半導体融液５を収容し、この半導体融液５をルツボ６の底部に形成された種結晶配置部に配置した種結晶１０と接触させた状態で、ルツボ６を回転させながら、種結晶１０側から上方に向けて徐々に固化させる半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進行に伴ってルツボ６の回転速度を徐々に遅くするものである。 （もっと読む）

【課題】結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ランタンの酸化物、タンタルの酸化物、ガリウムの酸化物、及び、アルミニウムの酸化物を原子比で、La:Ta:Ga:Al=3.0:0.5:5.5-x:x(ただし、0.1≦x≦0.3)の量比で混合した原料を用い、不活性ガス中に酸素を体積基準で1.0%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気下で、チョクラルスキー法によりLTGA単結晶を育成する。結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。この後、LTGA単結晶の育成後の冷却時に、不活性ガス雰囲気、又は、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で、700℃以上、900℃以下、5時間以上、24時間以下のアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長にかかるコストを低減する単結晶育成装置用坩堝を提供する。
【解決手段】単結晶育成装置に配置されて誘導加熱によって側壁１２が加熱され、上面１１が開口された坩堝１０であって、側壁１２は段部を有し、段部よりも上面１１の側の部分側壁１２ａに比べて、段部よりも下面の側の部分側壁１２ｂが、開口の中心を通る中心軸により近く、上面１１の側の部分側壁１２ａ、および下面の側の部分側壁１２ｂ、の断面形状がいずれも、略円形状である。 （もっと読む）

半導体および太陽光発電用途に使用可能なシリコンなどの単結晶材料を製造するためのシステムおよび方法が提供される。単結晶インゴットを成長させるために炉（１０）内に坩堝（５０）が配置され、坩堝（５０）は当初、単一の種結晶（２０）および供給材料（９０）を収容し、種結晶（２０）は少なくとも部分的に溶融され、供給材料（９０）は坩堝（５０）内で完全に溶融され、その後、成長および凝固プロセスが行なわれる。シリコンインゴットなどの単結晶材料の成長は方向性凝固によって達成され、成長段階における熱除去は、供給原料（９０）を収容する坩堝（５０）に対して可動性の断熱材（１４）を用いて達成される。単結晶成長を達成するために、成長および凝固プロセス時に坩堝（５０）からの熱除去を制御するための熱交換器（２００）も設けられる。
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【課題】シリコン単結晶の引上げ法において、石英ルツボの変形を防止する黒鉛ルツボ及び該黒鉛ルツボを用いた石英ルツボの変形防止方法を提供する。
【解決手段】黒鉛ルツボ３０の内壁面に石英ルツボ３２を黒鉛ルツボ３０内壁面に吸引する複数の石英ルツボ３２の吸気孔３１が設けられ、黒鉛ルツボ３０の外壁底面に吸気孔により石英ルツボ３２を吸引するエアを排気する単一の排気孔３３が設けられ、黒鉛ルツボ３０の内部に吸気孔３１と排気孔３３に連通する中空部３３ｄが設けられた黒鉛ルツボ３０を用いてシリコン単結晶の引上げを行う際に、前記黒鉛ルツボの複数の吸気孔からエアを吸引し、前記チャンバ内の圧力と、前記石英ルツボと前記黒鉛ルツボの隙間の圧力との差が５〜６０Ｔｏｒｒになるように、前記石英ルツボ３２を前記黒鉛ルツボ３０の内壁面に吸引させることにより、石英ルツボ３２の上端に生じる倒れ込み変形を防止することができる。 （もっと読む）

溶融液を精製するための装置が開示される。チャンバ内の溶融液の第一の部分は、第一の方向で凝固する。第一の部分の一部は、第一の方向で溶融する。該溶融液の第二の部分は、凝固されたままである。溶融液はチャンバから流れ、該第二の部分はチャンバから除去される。凝固は、溶融液及び第二の部分の溶質を濃縮させる。第二の部分は、高溶質濃度を有するスラグとすることができる。このシステムは、他の部品、例えばポンプ、フィルタ又は粒子トラップを有するシート形成装置に組み込まれることができる。 （もっと読む）

【課題】大口径のシリコン単結晶を引き上げる場合であっても、安定した単結晶の引上げが可能で、良好な結晶品質を確保することができる製造方法および装置を提供する。
【解決手段】ＣＺ法を用いて、結晶原料をヒータ４により溶融したのち加熱しつつ、石英ルツボ３に収容された融液２から引上げられる単結晶１１を熱遮蔽体１０で囲繞し、前記単結晶１１を凝固させながらシリコン単結晶を製造する方法であって、前記単結晶１１の直径をＤ（ｍｍ）とし、前記熱遮蔽体１０の下端開口径をＦｄ（ｍｍ）、前記石英ルツボ３の内径をＣｄ（ｍｍ）、および前記ヒータ４の内径をＨｄ（ｍｍ）とした場合に、下記（１）〜（３）式を満足する。１．１×Ｄ≦Ｆｄ≦１．９×Ｄ・・・（１）、１．９×Ｄ≦Ｃｄ≦３．５×Ｄ・・・（２）、２．３×Ｄ≦Ｈｄ≦４．２×Ｄ・・・（３） （もっと読む）

【課題】引上げＣＺ法（引上げチョクラルスキー法）によるシリコン単結晶の成長方法において、石英るつぼの変形を防ぎながら大口径で高品質の単結晶を高い歩留まりで成長することができる単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１２の外径が４０インチであり、石英るつぼへのシリコン原料の充填量を６５０ｋｇ以上１１５０ｋｇ以下とし、成長させるシリコン単結晶の直径を４５６ｍｍ以上４７５ｍｍ以下とする。あるいは、石英るつぼの外径が３６インチ（約９１４ｍｍ）、石英るつぼへのシリコン原料の充填量が６５０ｋｇ以上８５０ｋｇ以下、成長させるシリコン単結晶の直径が４５６ｍｍ以上４７５ｍｍ以下であっても良い。使用する石英るつぼの外径を限定することにより、石英るつぼの外周に設置された黒鉛ヒータによって加熱される際の温度上昇を抑制することができ、単結晶成長中に石英るつぼが変形するような事態を有効に回避することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料のシリコン単結晶や太陽電池材料のシリコン多結晶などの引上げに用いる円形度の高い石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン結晶の引上げに用いる石英ガラスルツボであって、少なくともルツボの壁部において、ルツボ内表面１１の真円度Ｓｘとルツボ外表面１２の真円度Ｓｙが、真円度と同一測定高さにおける最大肉厚Ｍに対して、何れも０.４以下（Ｓｘ/Ｍ≦０.４、Ｓｙ/Ｍ≦０.４）とし、また、少なくともルツボの壁部において、ルツボ内表面１１の中心とルツボ外表面１２の中心との距離Ｌが、ルツボ外表面１２中心を通る最長直径Ｄの０.０１以下（Ｌ≦０.０１Ｄ）とする。 （もっと読む）

本発明は、ＳｉＯ₂内層顆粒が、軽ガスを含有する雰囲気中でプラズマの作用下で、遮熱材（２）によって少なくとも部分的に覆われた回転する溶融モールド（１）内でガラス化されて透明内層が得られ、軽ガスの少なくとも一部が、遮熱材のガス入口（８、９）を通して溶融モールド（１）に供給される石英ガラスるつぼの製造方法から始まる。エネルギー及び材料に関して最小限の労力で、気泡含有量が特に少ない内層を形成するために、ガラス化工程に先立つ層形成工程において、ＳｉＯ₂内層顆粒の顆粒層（１４）が内壁上に形成され、プラズマ領域（１３）とガス入口（８、９）を有する遮熱材（２）とが、少なくとも回転軸に垂直な方向に可動であり且つ顆粒層（１４）をガラス化するようにガラス化工程中に顆粒層（１４）の方向に横方向に移動することが提案される。
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