【課題】研削なしでルツボの未溶融ないし半溶融のシリカ粉が偏在する最外層から離脱するシリカ粉を最適に制御する一方、最外層の結晶質部分を多く残し、高温における耐熱性を維持しシリコン単結晶を高歩留りで製造できるシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】回転する型内に原料粉を供給しルツボ状の原料粉体層を形成し、その内側からアーク放電加熱し溶融して平滑な内表面と不透明又は半透明な外層と、その外側に未溶融ないし半溶融のシリカ粉が偏在する最外層を有する石英ガラスルツボを製造し、その外表面に固体シリカ粉を吹付け圧０．１〜５ＭＰａで吹き付けたのち、高圧水を吹付け圧２４〜４０ＭＰａで吹き付け、次いでフッ酸水溶液処理を施こすことを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良質な炭化珪素単結晶インゴットを高い歩留まりで安定的に成長させることができる炭化珪素単結晶製造用坩堝、並びに炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料を収容する坩堝容器３と種結晶が取り付けられる坩堝蓋４とを有し、坩堝容器３内の炭化珪素原料を昇華させて種結晶上に炭化珪素の昇華ガスを供給し、種結晶上で炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶製造用坩堝Ａであり、坩堝容器３と坩堝蓋４には互いにネジ嵌合されるネジ部３ａ、４ａが設けられていると共に、これらネジ部３ａ、４ａの相対的回転により流量調整可能な昇華ガス排出溝１５が設けられている炭化珪素単結晶製造用坩堝Ａであり、また、このような坩堝Ａを備えた炭化珪素単結晶の製造装置及びこの装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】るつぼ内に投入された酸化アルミニウムの原材料から得られるサファイア単結晶の収率を向上させることが可能なサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】周縁部に比べて中央部が凹んだ底部内面２１ａと、底部内面２１ａの周縁部から立ち上がる円筒状の壁部内面２２ａとを有するるつぼ２０に収容されたアルミナ融液３００から、サファイアインゴット２００を構成する肩部２２０および直胴部２２０を連続的に引き上げて成長させた後、るつぼ２０中のアルミナ融液３００の液面高さＳが底部内面２１ａと壁部内面２２ａとの境界である内径変化開始位置Ｃに到達した後に、サファイアインゴット２００をさらに引き上げてアルミナ融液３００から引き離す。 （もっと読む）

【課題】溶液法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に、多結晶の生成を防止乃至は抑制することが可能であるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】融液４に種結晶９を接触させてＳｉＣ単結晶を成長させる装置１であって、成長炉２内に断熱材３を介して備えられたＳｉ含有融液４を収容する坩堝５、成長炉２の周囲に設けられ融液４を加熱して一定温度に維持するための高周波コイル６を含む外部加熱装置７および昇降可能な炭素棒８が備えられ炭素棒８の先端に種結晶９が設置され、炭素棒８下端の側面部に融液４に対して炭素棒８より濡れ性の低い多結晶発生阻害部１０が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置１。 （もっと読む）

【課題】径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減することができる石英ルツボ製造用モールドを提供する。
【解決手段】回転しているモールド内壁に石英粉４を張り付けた状態でアークにより加熱溶融して石英ルツボを製造する際に用いるモールドを、石英ルツボ本体に対応するモールド基体８の上に、石英ルツボ上部の径小薄肉部分に対応するモールドカバー７を着脱自在に載置した構造とし、さらに該モールドカバー７にはアークに対するバリアー機能を付与すると共に、該モールドカバー７の内径を、該モールド基体８の内径よりも小さく、かつ石英ルツボの内径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】通電開始時におけるアーク発生の容易化とその後の安定化を図る。
【解決手段】石英ガラスルツボ製造装置は、アーク放電によって原料粉を加熱溶融する複数の炭素電極１３を備え、炭素電極１３の先端部１３ｃの直径Ｒ２と基端部１３ｂの直径Ｒ１との比Ｒ２／Ｒ１の値が０．６〜０．８の範囲に設定されている。炭素電極１３の先端には軸線と略直交する平坦面が設けられている。炭素電極１３は、先端位置に設けられ基端部側の直径Ｒ３から先端部の直径Ｒ２まで縮径する縮径部を有し、縮径部の長さをＬ１、先端部の直径をＲ２、基端部の直径をＲ１、炭素電極の軸線どうしがなす角度をθ１、Ｘ＝（Ｒ１−Ｒ２）／２とするとき、Ｌ１−（Ｘ／tan（θ１／２））の値が、５０〜１５０ｍｍの範囲となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】アルミナ融液の固化に伴うるつぼの変形を抑制するとともに、アルミナ融液中の温度勾配を連続的なものとする。
【解決手段】加熱コイル３０に高周波電流を供給することで、るつぼ２０およびるつぼ２０内のアルミナ融液を加熱し、るつぼ２０内のアルミナ融液からサファイア単結晶からなるサファイアインゴットを成長させる単結晶引き上げ装置において、るつぼ２０を、底部２１と、底部２１の周縁から立ち上がるとともに底部２１より遠い側から底部に近づく側に向けて肉厚が連続的に増加する壁部２２とで構成し、加熱コイル３０を、るつぼ２０の壁部２２の外側に巻き回すとともに、底部２１から遠ざかる側の壁部２２との間隔よりも底部２１に近い側の壁部２２との間隔が短くなるように配置する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶のネックからショルダにおける結晶前半の単結晶化率を向上できるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置を提供する。
【解決手段】容器１１と、粉末が浮遊した試験用液体１０の表面上に表面張力により浮遊される円盤１３とをそれぞれ独立して回転させた状態で、容器１１の外部から試験用液体１０に対して水平方向に光源１４から光線を照射し、試験用液体１０の表面の映像を上方から光学計測装置１５で観察し、試験用液体１０の表面に発生する楕円形の境界層１７を記録、解析し、解析したデータから経時的に変化する楕円形の境界層１７の直径の最大値および最小値からなるパラメータΔが０．２３以下の範囲となるときの容器１１の回転数、円盤１３の回転数、及び容器１１の底面内壁形状を特定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、石英ルツボ形状の適正化を図ることにより、石英ルツボの座屈及び胴部のルツボ内部への倒れ込みを有効に抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供することにある。
【解決手段】石英ルツボ２０及び該石英ルツボ２０の外側を覆う黒鉛ルツボ３０の二重構造からなるシリコン単結晶引上げ用ルツボ１０であって、前記石英ルツボ２０は、その開口端部２０ａに、石英ルツボ２０の胴部２０ｂに対し、石英ルツボ２０の径方向外側（矢印Ｘ）への力を付勢するための内倒れ防止手段２１を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減することができる石英ルツボ製造用モールドを提供する。
【解決手段】回転しているモールド１内壁に石英粉を張り付けた状態でアークにより加熱溶融して石英ルツボを製造する際に用いるモールド１を、石英ルツボの上部領域に対応する、モールド１の上部開口部の内側に、フック８を介して、円筒状のリム片７を掛合支持した構造とし、さらに該リム片７の外径を、該モールドの内径よりも小さく、かつ石英ルツボの内径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶中にＳｉＯガスの気泡が取り込まれることによる空洞欠陥の発生を防止することが可能な石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボは、外層が不透明石英ガラス層１１、内層が透明石英ガラス層１２からなる二層構造を有し、さらにルツボの底部１０Ｂには高透過率領域１０Ｘが形成されている。高透過率領域１０Ｘは、底部１０Ｂの温度上昇を抑制し、ＳｉＯガスの発生を防止する役割を果たす。高透過率領域１０Ｘの赤外線透過率は５０〜８０％であり、高透過率領域１０Ｘとそれ以外の領域との赤外線透過率の差は１０〜３０％である。高透過率領域１０Ｘは、ルツボの底部の中心から一定範囲内の領域であって、少なくともシリコン単結晶の投影面を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】特にるつぼ水平方向の温度揺らぎを低減することにより、単結晶化歩留まりの高い、化合物半導体単桔晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器１内に、少なくとも化合物半導体原料５を入れるるつぼと、該るつぼ内の前記原料５を加熱溶融するヒーター３，４を具備し、加熱溶融した原料融液を融液下部あるいは上部から徐々に冷却し固化させることにより化合物半導体単桔晶を製造する装置において、前記るつぼの内径（ｄ）に対して前記ヒーター３，４の内径（Ｄ）を１．５〜３．０倍（Ｄ／ｄ＝１．５〜３．０）としたヒーター３，４を用いる。 （もっと読む）

坩堝は、坩堝の上部の上方に離間して配置された第１の抵抗ヒータと、坩堝の底部の下方に離間して配置された第１の抵抗部及び坩堝の側部の外周に離間して配置された第２の抵抗部を有する第２の抵抗ヒータとを備える。坩堝には、種結晶と坩堝の底部の間に間隔を設けつつ、種結晶が坩堝の内側の上部に原料が坩堝の内側に供給される。原料を昇華させ種結晶上に凝集させるのに十分な温度の温度勾配を坩堝の内側に生じさせるのに十分な程度の電力を第１の抵抗ヒータ及び第２の抵抗ヒータに印加することで成長結晶を形成する。
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【課題】作業者の負担を軽減でき且つ坩堝を支持台に対して適正な位置に装填することができる単結晶棒育成設備を提供する。
【解決手段】移動操作手段２７にて坩堝支持体２６を昇降台２３上からそれより育成装置１が位置する側に位置させた装填用位置に移動させる第２移動動作、及び、この第２移動動作完了後に昇降台２３を坩堝３が支持台１３に装填される高さに下降させる第３移動動作により、坩堝３を支持台１３に載置させるべく、坩堝搬送車の走行作動、昇降台の昇降作動、及び、移動操作手段２７の移動作動を制御する制御手段と、第３移動動作を実行するときに坩堝支持体２６を水平方向に自由移動する状態に支持する支持手段２９と、第３移動動作により下降される坩堝支持体２６を水平方向に案内して支持台１３に対する適正位置に位置決めする案内位置決め手段４３とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法においても、結晶を成長させる第１容器に、第２容器が保持している融液を供給することができ、かつ融液供給時に第１容器内の融液に振動が生じることを抑制できる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する
【解決手段】第１容器１００は、種結晶５０及び結晶成長用の融液５２を保持する。第２容器２００は、補充用の融液５４を保持する。融液供給部は、第２溶液２００内に保持されている補充用の融液５４を第１容器１００に供給する。融液供給部は、開口部２２０と、案内部を備える。開口部２２０は、第２容器２００の側壁または上面に設けられ、第１容器１００内における融液５２の液面より高く位置する。案内部は、開口部２２０からオーバーフローした補充用の融液５４を伝わせることにより、融液５４を第１容器１００内の融液５２の液面に案内する。 （もっと読む）

【課題】径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減することができる石英ルツボ製造用モールドを提供する。
【解決手段】回転しているモールド１内壁に石英粉４を張り付けた状態で加熱溶融して石英ルツボを製造する際に用いるモールド１において、石英ルツボの上部領域に対応する、モールド１の上部開口部の内周壁に、内径がモールド内径よりも小さくかつ石英ルツボ内径よりも大きいリング状の断熱性バリアー材７を設置する。 （もっと読む）

【課題】外形形状に優れ高品位のファイバー状単結晶を製造可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶の原材料融液９を保持する坩堝１１において、円筒部１１ｂの開口端面に対して、該円筒部１１ｂの軸に対して垂直な平面において端面外径を拡大させた所謂鍔状のフランジ部１１ｃが配置されている。挙動抑制部材である当該フランジ部１１ｃの存在によって該円筒部１１ｂを這い登る原材料融液の量は抑制され、これに伴って結晶外表面に影響し得る不安定に開口端近傍に存在する原材料融液が減少し、外表面の状態のよりファイバー状単結晶９ａが得られる。 （もっと読む）

【課題】内表面全体の研磨処理を行うことなく、透明層における気泡量を低減したシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの新たな製造方法を提供する。
【解決手段】石英原料粉から形成したルツボ形状成形体に対して内面から外面方向に減圧を与え、かつルツボ形状成形体を回転させながらアーク溶融することにより、内面側は透明層であり、外面側は気泡層である石英ガラスルツボを形成する工程、石英ガラスルツボの壁部内面をアーク溶融によって再溶融して壁部内面の透明層に存在する気泡を壁部内面の底部方向に移動させる底部方向移動工程、および石英ガラスルツボの底部内面をアーク溶融によって再溶融して底部内面の透明層に存在する気泡を底部内面の外周方向に移動させる外周方向移動工程を含み、壁部内面と底部内面が形成する透明層のコーナー部に気泡を集積した石英ガラスルツボを得る。底部方向移動工程と外周方向移動工程は、どちらを先に実施してもよい。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料と、種結晶とが収容された坩堝を用いる場合において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘導加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体５０と、蓋部６０とを有する。種結晶７０は、反応容器本体５０の底部５１に形成される種結晶載置部５２に載置される。種結晶７０は、載置されるのみであって接着されない。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成において、雑晶の発生を抑制することができるIII族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体製造装置は、窒素溶解手段１０と、電磁ポンプ１１と、配管１２と、配管１２に連結接続し、種結晶１８が配置された育成用配管１３と、育成用配管１３の外側に配置された温度制御装置１４ａとを有している。窒素溶解手段１０により窒素を溶解させた混合融液１７は、電磁ポンプ１１により配管１２内を結晶しない温度、圧力で循環する。温度制御装置１４ａによる温度制御とバルブ１２ｖ１、ｖ２による圧力制御によって育成用配管１３内のみが結晶育成可能な状態にする。混合融液１７が軸方向に流動した状態でＧａＮ結晶が育成するため、雑晶の発生が抑制される。 （もっと読む）