【課題】原料の溶融物から結晶を製造するための構成および単結晶を提供すること。
【解決手段】原料の溶融物（１６）から結晶を製造するための構成（１）は、第１の方向（１８）に指向する勾配温度領域（Ｔ）を発生するように構成される１つ以上の加熱要素を有する加熱装置（２０、２１）を含む炉と、勾配温度領域（Ｔ）に並べて配置され、溶融物（１６）を収容する少なくとも２つの複数のルツボ（１４）と、少なくとも２つのルツボ（１４）内において、第１の方向（１８）に垂直な面内の温度領域（Ｔ）を均一化するための装置（２１ａ、２１ｂ、４６、２６）とを備える。その装置は、ルツボ（１４）間の空間（２３）内に配置される充填材料（２４）を含み、径方向に向けた熱移動を発生させるため、充填材料（２４）に異方性熱伝導率を生じさせる。その構成は、充填材料（２４）に協同する移動磁界を発生させる装置でもよい。 （もっと読む）

リボン結晶を成長する方法は、るつぼを提供し、るつぼは、溶融材料を収納し、溶融材料を通って少なくとも２つの糸を通し、部分的に形成されたリボン結晶を生成する。方法は、その後、流体を、部分的に形成されたリボン結晶の所与の部分に向け、所与の部分を対流的に冷却する。リボン結晶を形成する装置は、溶融材料を収納するるつぼと、ガスジェットとを含み、るつぼは、リボン結晶を成長するための溶融材料に糸を通す糸穴を形成し、ガスジェットは、成長中のリボン結晶に向かってガスを概ね内側に向けるための、内側に面する出口ポートを有する。
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【課題】簡単な構造で直胴部上端の内側への倒れ込みを防止することができるシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボ１０は、直胴部１２と底部１４を備え、シリコン単結晶引き上げ作業中に、直胴部１２の上端が内側に倒れ込むのを防止するため、直胴部１２外周であって、初期メルトラインＬより上方に周状の溝２０を設ける。溝２０は、カーボンサセプターの上端より下方となるような位置に設ける。 （もっと読む）

液相（５）中の材料の指向性凝固によって結晶性材料のシート（８）を製造する装置は、底（２）と、側壁（３）と、側壁（３）の底部に配置された少なくとも１個の水平出口スロット（４）とが設けられた坩堝（１）で構成されている。坩堝（１）が少なくともスロット（４）の高さで、液相（５）中の材料に磁気反発力を作り出す電磁手段（６）をスロット（４）の直ぐ近くにある外部表面に提供する。１０ｋＨｚと３００ｋＨｚとの間に含まれる周波数をもつ交流電流が電磁手段（６）の中を流れる。液相（５）中の材料の撹拌を助けるため、低周波数が上記の周波数に加えて使用される可能性がある。
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【課題】良質な単結晶塊を良好な効率で成長させることができる構造の結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶支持部２３１に放熱凹部２３２が形成されており、貫通孔２４３が断熱カバー部材２４０に形成されているので、結晶支持部２３１が放熱されて単結晶塊ＣＬが高効率に成長する。ルツボ部材２２０の放熱凹部２３２に連通した円筒状の誘導部材２３３が、断熱カバー部材２４０の貫通孔２４３を経由して上面より上方まで形成されている。漏出した昇華ガスがルツボ部材２２０と断熱カバー部材２４０との隙間を移動して外部に漏出した位置で冷却されて析出しても、これが放熱凹部２３２を閉塞することがない。従って、結晶支持部２３１を安定に低温に維持することができ、単結晶塊ＣＬを良好な効率で安定に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法において、石英ルツボ割れを防止することができ、残融液の漏れを防ぐことができ、より安全にルツボ内残融液を固化できる方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ４５内の融液をヒーター４７で加熱しつつ結晶を引上げた後の石英ルツボ４５内に残留した融液（残融液）の固化方法であって、結晶引上げ終了後、ルツボ４５とヒーター４７を相対的に昇降させて、ヒーター４７の発熱中心位置４８の高さを残融液表面４４から２０ｍｍ以内とする工程と、ヒーター４７への供給電力を停止する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】組成の安定した単結晶育成を実現可能とする単結晶製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１はイリジウム金属、レニウム金属、モリブデン金属、タンタル金属、タングステン金属、白金、または、これらの合金、あるいはカーボン製であり、坩堝底部外周にイリジウム金属、レニウム金属、モリブデン金属、タンタル金属、タングステン金属、白金、または、これらの合金、あるいはカーボンからなる発熱体であるアフターヒーターを配置し、坩堝１及びアフターヒーターは、誘導加熱手段の出力調整により発熱量の調整を可能とすることによって所望の凸起面（曲面を含む）１３を有する坩堝底部の凸起面１３に設けた細孔７部分から融液を引き出し単結晶１０を製造するマイクロ引下げ法において、坩堝底部の凸起面１３の細孔７の数を複数個とすることで、結晶面内で添加元素分布の安定した単結晶作製を可能とした。 （もっと読む）

【課題】結晶粒子を、安定した一様な形状および粒径で高効率に製造することができる結晶粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶粒子の製造方法が、（１）鉛直方向に対して傾斜方向に貫通したノズル孔６を有するノズル部３が底部に設けられた坩堝１中において、結晶材料を溶融させて結晶材料の融液４を作製する工程と、（２）ノズル孔６から融液４を排出して粒状にする工程と、（３）粒状の融液４ａを、落下中に冷却して凝固させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、かつ、シリコン単結晶引上装置に容易に据え付け可能なシリコン単結晶引上用ルツボを提供すること。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上用ルツボ１０は、シリコン材料を収納するための石英ガラスルツボ１１と、石英ガラスルツボの底面及び外周面を囲み、軸方向に２以上に分割された黒鉛ルツボ１２とを備える。黒鉛ルツボ１２を構成する各分割片１２ａ，１２ｂの分割面には、分割面の形状に沿って縦方向に溝部が設けられている。溝部同士を合わせることにより形成される空間部には、弾性部材１４が収容されている。 （もっと読む）

【課題】雑結晶の生成を抑制可能なＩＩＩ族窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０，１１は、ＮａとＧａとを含む混合融液２７０を保持する。坩堝１０は、ＢＮからなり、坩堝１１は、混合融液２７０に対する濡れ性がＢＮよりも悪いＷからなる。支持装置４０は、種結晶５が混合融液２７０中に浸漬されるように一方端に種結晶５を保持する。加熱装置５０，６０は、坩堝１０，１１および反応容器２０を結晶成長温度（＝８００℃）に加熱し、圧力調整器１２０は、反応容器２０の窒素ガス圧が１．０１ＭＰａになるようにガス供給管９０およびバルブ１１０を介して窒素ガスを反応容器２０へ供給する。このようなＩＩＩ族窒化物結晶製造装置において、濡れ性が異なる２つの材質で坩堝を作製するという構成を採用することによって、混合融液２７０中にマランゴニ対流を発生させ、雑結晶の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、半導体結晶の結晶性及びその均一性をより向上させると共に、その収率を従来よりも効果的に向上させること。
【解決手段】ＧａＮ単結晶層を有する種結晶１０のｃ軸は水平方向（ｙ軸方向）に配向され、種結晶１０の１つのａ軸は鉛直方向に配向され、１つのｍ軸はｘ軸方向に配向される。このため、挟持具Ｔ上の点ｐ１，ｐ２，ｐ３は、何れも種結晶のｍ面と接する。即ち、この挟持具Ｔは、挟持部材Ｔ１，Ｔ２を有しており、両方とも鉛直方向に延びているが、挟持部材Ｔ１は、育成原料溶液の上面αに対して３０°傾斜した端部Ｔ１ａを有している。この様に、種結晶をｍ面で支持する理由は、ｍ面がａ面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のｃ面成長を阻害させないためである。なお、種結晶１０及び挟持具Ｔは、それぞれｙ軸方向に複数周期的に配列されている。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を有し、かつ低コストに結晶シリコン粒子を連続的に製造可能な結晶シリコン粒子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料供給装置３０は、シリコン原料を貯留するとともに坩堝１へ供給する貯留装置７を有しており、シリコン原料を貯留装置７に供給した後に貯留装置７の内部の圧力を大気圧と同等以下に減圧し、次に不活性ガスを貯留装置７の内部に導入して貯留装置７の内部の酸素濃度を減少させるとともに貯留装置７の内部の不活性ガス圧力を坩堝１の内部の不活性ガス圧力まで加圧する第一の工程と、シリコン原料を坩堝１に供給する第二の工程と、を具備しており、第一及び第二の工程を繰り返す。また、溶融落下製造装置２０において、坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液を粒状として排出して落下させるとともに、落下中に冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を連続的に製造する。 （もっと読む）

【課題】黒鉛シートを使用することなく、黒鉛ルツボの分割面の減肉を防止することができ、低コストで長時間使用できる黒鉛ルツボおよびこれを備えたＣＺ法によるシリコン単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する際に用いる黒鉛ルツボ５であって、少なくとも、石英ルツボを保護する２つ以上に分割されたルツボ本体５１、５１ａ、５１ｂと、底部５３を嵌合して一体的に保持する受け皿５２を有し、内面５４にはガス誘導溝５７が放射状に形成されており、ガス誘導溝５７が集結する底面５５中心には、垂直方向に底部５３へ延びるガス抜き穴５８が形成されており、ガス抜き穴５８と連通し、水平方向に延びて底部５３を貫通するガス抜き孔５９ａまたはガス抜き溝が底部５３に形成されており、ガス抜き孔５９ａまたはガス抜き溝に対応して、受け皿５２に貫通孔６０が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】塊状の固体原料が坩堝に投入されるときに発生するスプラッシュを抑制するとともに、発生したスプラッシュの飛散を抑制することができる固体原料投入装置を提供する。また前記固体原料投入装置を含んで構成される融液原料供給装置および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】塊状の固体原料４を副坩堝２１の開口に向けて案内して供給する案内部材１と、固体原料４を案内部材１に供給する固体原料供給手段３と、飛散防止部材２とを含む固体原料投入装置１０とする。また固体原料投入装置１０を備える融液原料供給装置２０および結晶製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により単結晶を育成する際に使用する単結晶育成用ルツボに関し、ガーネット単結晶を育成する際に変形しない金製の単結晶育成用ルツボを提供することを目的としている。
【解決手段】金又は金を含有する材質で形成され、ルツボ壁の厚さをｙ（ｍｍ）、ルツボの内径をｘ（ｍｍ）とすると、０．０１ｘ≦ｙ≦５．０、５０＜ｘ≦２００であることを特徴とする単結晶育成用ルツボである。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内のシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置において、容易に高酸素濃度のシリコン単結晶を得ることができる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】炉体内においてルツボ３の周囲を囲む円筒状の発熱部４ａを有し、発熱部４ａの熱放射により原料シリコンＭを溶融するヒータ４と、炉体の周囲を囲むように設けられ、ルツボ３内のシリコン融液Ｍに対し水平磁場を印加する電磁石１３とを備え、ヒータ４の発熱部４ａにおける引上げ軸方向の長さ寸法ｈが、ルツボ３の内径の０．５倍〜０．９倍に形成されると共に、ヒータ４の発熱部４ａにおける引上げ軸方向の第一の中央位置が、電磁石１３における引上げ軸方向の第二の中央位置よりも下方に配置され、且つ、それら第一及び第二の中央位置の距離差ｄが、ルツボ３の内径Ｒの０．１５倍〜０．５５倍である。 （もっと読む）

【解決手段】 ＳｉＣブールの成長において、底部にＳｉＣ原料が装填され、頂部にＳｉＣ種結晶が装填された成長るつぼの内部に成長ガイドが提供される。成長ガイドは、この成長ガイド内の開口部の少なくとも一部を画定する内層と、るつぼ内で内層を支持する外層を有する。開口部は原料に面し、種結晶は、原料と反対側の開口部の端部に位置する。内層は、外層を形成する第２の異なる材料よりも高い熱伝導率を有する第１の材料から形成される。成長ガイド内の開口部を介して、成長るつぼ内で種結晶上に原料を昇華成長させ、それによって種結晶上にＳｉＣブールを形成する。
【効果】本ＳｉＣ昇華結晶成長方法により、従来技術の誘導直径拡大成長の欠点、すなわち、蒸気による成長ガイドの浸食、ガイドの内表面上での多結晶ＳｉＣの堆積、および成長結晶のガイドへの付着が回避または排除される。 （もっと読む）

【課題】ルツボの分割面近傍におけるＳｉＯの付着を防止し、それに起因して生じる分割面、更にはルツボ内面におけるカーボンの消耗を抑制するとともに、石英ルツボの変形とその結果生じる単結晶の成長阻害（歩留りの低下）やカーボンルツボの損傷などの問題を解決できる分割式カーボンルツボを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる際、シリコン融液を収容するために使用する石英ルツボ１ａを保持するカーボンルツボ１５であって、カーボンルツボ１５は半径方向の分割線に沿って分割された複数の分割片１２ａ、１２ｂからなり、分割片１２ａ、１２ｂの外周面と分割面で構成される稜部に面取り１３が施されているカーボンルツボ１５である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げに用いる石英ガラスルツボについて、内部気泡の少ない均一なガラス層を有する石英ガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】モールド内面に充填した石英粉成形体を真空引きしながらアーク溶融するルツボの製造方法において、石英粉成形体のリム端から石英粉の溶融を開始し、その後にアーク電極を下げまたはモールドを上げて、リム端から下側部分を加熱し溶融することを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法であり、好ましくは、アーク溶融開始からアーク総時間の１０％以内の時間内にルツボ内表面をシールし、またシール厚が３mm以下である石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

不純物を有する材料から形成される結晶を生成するシステムは、材料を収容するるつぼを有している。るつぼは、とりわけ、結晶を形成する結晶領域、材料を受容する導入領域、および、材料の一部分を除去する除去領域を有している。るつぼは、導入領域から除去領域へ向かうほぼ一方向の（液状である）材料の流れを生成するように構成されている。このほぼ一方向の流れは、除去領域が導入領域よりも高い濃度の不純物を有するという結果をもたらす。
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