半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

方向性凝固炉は、溶融物を収容するためのルツボであって、壁と、開口を有する底とを有するルツボと、ルツボを支持するルツボ支持体と、ルツボを覆う蓋とを有するルツボアセンブリを含む。プレートは、底の開口の中に収められる。プレートは、底の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。底は、添加剤を有するコンポジットを含むことができ、コンポジット底が、添加剤無しの同等の底と比較して高い熱伝導性を有する。
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【課題】上下方向や横断面半径方向におけるドーパント濃度差の発生を防止できる半導体単結晶（インゴット）の引上げ方法及び装置を提供する。
【解決手段】インゴット４の成長に用いる第１るつぼ１に加えて、第１るつぼに補充する融液６を貯留する第２るつぼ２と、第２るつぼを昇降する第２るつぼ支持体５を設ける。第２るつぼ支持体を上昇させて第２るつぼの融液を、引き上げにより固化する量のみを第１るつぼへ逐次供給する固化量融液逐次供給と、インゴットの引き上げ固化とを繰り返しながらインゴットを成長させ、インゴット下方向でドーパント濃度が高くなることを防ぐ。第１るつぼ底面中央部分に突部１ｂを設けて固化の遅いインゴット中央部分の融液量を少なくし、インゴット横断面内の中央部分でのドーパント濃度が高くなることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】高温強度、特に底部と側壁部とを連結する角部の高温強度に優れるタングステン製ルツボを提供すること。
【解決手段】純度９９．９％以上のタングステンからなり、底部２と側壁部３とが角部４を介して連結された上部開放の有底筒状のタングステン製ルツボ１であって、前記タングステンは、粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下のタングステン結晶粒の割合が粒子数の割合で９０％以上であるもの。また、焼結工程やＨＩＰ焼結により製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ中に、石英ガラス製ルツボの減肉判定を容易かつ正確に実施できる石英ガラス製ルツボを提供する。
【解決手段】上面に開口した縁部を有する円筒状の直胴部と、すり鉢状の底部と、それらを連接するコーナー部とを備える石英ガラス製ルツボ１であって、少なくとも直胴部の内壁面の水平線上、１箇所または２箇所以上に凹部２または窪み群３を設ける。凹部の幅は、１〜５００μmとし、その深さは、１μm以上とする。 （もっと読む）

【課題】石英ルツボにシリコン原料融液が連続的又は断続的に供給された場合であっても、内壁の侵食に起因した石英ルツボの破損を抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ２０は、側壁２１の外周に、石英材料からなり、その上端部の高さ位置が、前記石英ルツボ２０の側壁の下端から測定して、前記側壁の上端までの距離の60〜90％の範囲にあり、その下端部の高さ位置が、前記石英ルツボ２０の側壁の下端から測定して、前記側壁の上端までの距離の5〜30％の範囲にある側壁補強部２２を設けて、前記側壁部分を厚肉側壁部２３とし、シリコン単結晶の引上げ時、石英ルツボ２０が加熱されて軟化し、前記厚肉側壁２３部が前記黒鉛ルツボ３０の内壁面３０ａ形状に対応して変形することで、石英ルツボ２０の前記厚肉側壁部２３が内面側に部分的に迫り出してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造のための黒鉛ルツボであって、使用寿命の長い黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボのコーナ部にガス抜き孔が設けられていることを特徴とする。当該ガス抜き孔を通じて、石英ルツボと黒鉛ルツボとの反応により発生するガスを外に放散させて、黒鉛ルツボ表面でのＳｉＣ形成、ガス圧による石英ルツボ変形を防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、石英ルツボにシリコン原料融液が連続的又は断続的に供給され、前記シリコンルツボ内でシリコン原料融液の液面高さ位置が実質的に一定の状態となる場合であっても、内壁の侵食に起因した石英ルツボの破損を抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供することにある。
【解決手段】前記石英ルツボ２０が、側壁外周の所定の高さ位置Ｈに、石英材料からなる側壁補強部２２を設けて前記側壁部分を厚肉側壁部２３とし、シリコン単結晶５の引上げ時、石英ルツボ２０が加熱されて軟化し、前記厚肉側壁２３部が前記黒鉛ルツボ３０の内壁面３０ａ形状に対応して変形することで、石英ルツボ２０の前記厚肉側壁部２３が内面側に部分的に迫り出してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 成長させたゲルマニウム結晶のマイクロピット空隙密度を低減する特徴を持つ結晶成長用のシステムおよび方法を開示する。一実施例によると、加熱源を有する炉に原材料を持つアンプルを挿入する段階と、原材料／るつぼと相対的に結晶化温度勾配を移動させて原材料を融解させる垂直成長プロセスを用いて結晶を成長させる段階と、結晶成長が所定の長さに到達すると、原材料を成長させて単結晶質の結晶を形成する段階とを備え、マイクロピット密度が低くなった単結晶インゴットを繰り返し提供する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】内層中の気泡ができるだけ少ない石英ルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボが、内部のシリカ粒子１６を介して周囲雰囲気を引き出すことができる形式のモールドキャビティにおいて製造される。シリカ粒子１６の層がモールドキャビティ内に形成され、ヘリウム、窒素、水素又はそれらの混合物を含み得るガスがモールドキャビティに導入される。シリカ粒子１６の層は、シリカ粒子１６を介して周囲雰囲気を実質的に引き出すことなく加熱される。その後、シリカ粒子１６の層の少なくとも一部がシリカ粒子１６を介して周囲雰囲気を引き出しながら溶融される。ガスがモールドキャビティ内の空気を追い出すことで、窒素酸化物及びオゾンを低減させる。 （もっと読む）

【課題】石英ガラスルツボ内への異物侵入を、ルツボの実際の使用時期まで確実に回避し、汚染されない状態でのルツボの取り扱いを可能にし、多結晶シリコンやドーパント等を充填する工程において、内面が汚染されない状態での石英ガラスルツボの取り扱いを可能にし、更に、石英ガラスルツボ内にドーパント等を充填する工程を容易とする方法を提供する。
【解決手段】椀状の底部１０１、及び、底部１０１から延在し、底部１０１から離間する側に開口した周壁部１０２からなる有底円筒状の石英ガラスルツボ１を密閉するための蓋３であって、石英ガラスルツボ１の蓋３は、石英ガラスルツボ１の周壁部１０２の開口側の縁部２に着脱自在であり、かつ、ドーパントをルツボ１内に挿入するための、開閉可能な挿入部７を具える。 （もっと読む）

【課題】アーク加熱によって回転モールドの碗状内面に成形された石英粉成形体を加熱溶融して石英ガラスルツボを製造するための石英ガラスルツボ製造装置において、気泡の効率的な除去を可能としながらも、回転モールドから石英ガラスルツボを容易に取り出せるようにする。
【解決手段】回転モールド１０の碗状内面１０Ａのうち、その上端開口縁１０Ｃを画成する円環帯状の上端開口縁部分１１Ａの熱伝導速度を、当該上端開口縁部分１１Ａを除く碗状内面１０Ａの残部１２Ａよりも高く設定する。また、回転モールド１０を、碗状内面１０Ａの残部１２Ａをなすモールド本体１２と、碗状内面１０Ａの上端開口縁部分１１Ａをなす開口縁部材１１とにより構成し、開口縁部材１１をモールド本体１２に対して着脱自在とする。 （もっと読む）

【課題】容量、均一性、および長期間のフラックス安定性を最大化し、卵形欠陥、消耗現象、およびシャッター関連の短期間のフラックス不安定性を最少化する分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）エフージョンセル用のるつぼおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】全体として基部４１と、円錐形部４２とを備え、円錐部４２の一端には、るつぼ４０の外部に向かって開口する第一の、または外側のオリフィス４３を持つち、基部４１と円錐部４２は単体の一体部品を形成しているるつぼ４０において、基部４１は実質的に円筒構成であって、側壁４４と、側壁４４の一端に配置された底４５と、側壁４４の他端に配設されたマイナス抜き勾配テーパを持つ壁、すなわちネック４６とを有する。円錐部４２は、るつぼの第二オリフィス４７から第一オリフィス４３の周縁まで延在する部分によって画成され、円錐部４２は、プラス抜き勾配壁４８と環状リップ４９とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するＶＧＦ結晶成長プロセスおよびＶＢ結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および／または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル／加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高性能の発光ダイオードやＬＤ等の光デバイスや電子デバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶製造装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の結晶製造装置は、原料を含む反応容器１０１と、前記原料と反応して結晶を形成させる気体を前記反応容器に供給する供給管１０８と、前記反応容器１０１の周囲に設けられた加熱用ヒーター１１１と、前記加熱用ヒーター１１１および前記反応容器１０１を覆う外側容器１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置された坩堝に残存する残存シリコン融液を除去して冷却過程における坩堝の割れを防止し、坩堝の再利用を図ることが可能な残存シリコン融液の除去方法、単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンの製造装置及び残存シリコン融液吸引器を提供する。
【解決手段】チャンバ１１の内部に配置された坩堝２０内に残存したシリコン融液Ｍを除去する残存シリコン融液の除去方法であって、吸引した残存シリコン融液が貯留される貯留空間を備えた本体部７２と前記貯留空間に連通するノズル部とを備えた残存シリコン融液吸引器７０を、ノズル部が坩堝２０内の残存シリコン融液Ｍに浸漬されるようにして配置し、チャンバ１１内にガスを導入してチャンバ１１内の圧力を昇圧し、チャンバ１１内と前記貯留空間内との差圧によって、残存シリコン融液Ｍを前記貯留空間へと吸引することを特徴する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア基板の厚みに関係なく、ＧａＮ結晶のクラックを抑制し、結晶品質を向上させることができるテンプレートの提供を目的とするものである。
【解決手段】板状の結晶基板２２と、前記結晶基板２２の表面に格子定数または熱膨張係数の異なる結晶薄膜２３と、を備え、前記結晶薄膜２３に前記結晶基板２２を露出させる第１の溝２４を設け、前記露出した前記結晶基板の第２の溝２５を設けることで、所期の目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止して、使用後の石英坩堝の再使用を可能とする坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を利用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液が貯留される石英坩堝２０の開口部の変形を防止する坩堝開口部保持部材６０であって、石英坩堝２０よりも高温強度の高い材料からなり、石英坩堝２０の側壁部の内周面に係止される係止部６３を備え、この係止部６３によって、石英坩堝２０の側壁部の開口端が内周側に倒れこむように変形することを防止する構成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体封止剤を用いた単結晶引き上げ法（ＬＥＣ法）において、結晶成長条件の再現性を確保し、安定した単結晶歩留まりを得る化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ４によって支持されるルツボ３内に原料６及び液体封止剤７を収容する収容工程と、前記ルツボ３を加熱し、前記原料６及び液体封止剤７を融解する融解工程と、前記ルツボ３内の原料融液６に種結晶２を接触させ、前記種結晶２を引き上げて結晶成長させて化合物半導体結晶１０を得る結晶成長工程と、前記結晶成長工程の前に前記ルツボ３と前記サセプタ４との間に予め設けておいた熱量調整部１１の肉厚を、原料６及び液体封止剤７と接触していたルツボ３内周面の損耗量に応じて補正する補正工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りの改善したテンプレートを得ることと共に、テンプレート上に成長させた結晶のクラックを抑制し、結晶の品質を向上することを目的とするものである。
【解決手段】テンプレート１の基板の上面にマスク材を設ける第1の工程と、前記基板の上面に結晶薄膜を成長させる第２の工程と、によりテンプレートを製造する。結晶薄膜は、マスク材の上には成長しないため、基板に溝を形成せずに結晶薄膜を分割することができ、反りの改善したテンプレートを得ることができる。さらに、このテンプレート上に、厚膜のＧａＮ結晶を育成させた場合、テンプレートの基板に溝を有していないため、基板にＧａＮ結晶が嵌合されるように形成されないため、テンプレート上に成長させたＧａＮ結晶のクラックを抑制することができ、ＧａＮ結晶の品質を向上することができる。 （もっと読む）