【課題】引き上げ法を用いたサファイア単結晶の製造において、るつぼ内に残存するアルミナの融液の固化に起因するるつぼの変形を抑制する。
【解決手段】サファイアインゴットの引き上げに用いられ、その原料となるアルミナ融液を収容するるつぼ２０は、円形状を有する底部２１と底部２１の周縁から立ち上がる円筒状の壁部２２とを備えており、底部２１の厚さである底部厚さＴｂが、壁部２２の厚さである壁部厚さＴｗよりも厚くなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶性インゴットのアンモノサーマル成長のための反応器を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶性インゴットのアンモノサーマル成長のための反応器１であって、（ａ）チャンバーを画定する本体と、（ｂ）該反応器の端部を密封する第一のクランプ４であって、該第一のクランプ４は、該クランプ４の半径方向のグレインフローを有する金属または合金から形成される、第一のクランプ４とを備える、反応器１。この反応器の第二の端部を密封する第二のクランプをさらに備え得る。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することにより、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】温度分布形成部材としてリング部材５を備え、リング部材５に平坦面５ｃを形成することで、リング部材５から低密度螺旋転位領域３ｂまでの距離Ｄ１と螺旋転位発生可能領域３ａまでの距離Ｄ２を変化させる。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心を黒鉛製坩堝１の中心と一致させて配置しても、結晶成長装置の構造上、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法および装置を提供する。
【解決手段】処理容器７内に坩堝１を収納させ、この坩堝１を処理容器７内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理容器７内に固体原料処理液８を流入させ、坩堝１内には、種基板支持体３で支持された種基板２と、この種基板２上に生成された結晶基板１０と、これらの種基板２および結晶基板１０を覆った固体原料４とが収納された状態とし、坩堝１を切断部で切断している。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器６内に坩堝１を収納させ、前記坩堝１を前記処理容器６内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器６内に固体原料処理液７を流入させ、前記坩堝１内には種基板２と、前記種基板２上に生成された結晶基板１０と、前記種基板１および前記結晶基板１０を覆った固体原料３とが収納された状態とし、前記処理容器６内に、超音波発生手段８から発射された超音波１１を与える。 （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】石英ガラスルツボ内への異物侵入を、ルツボの実際の使用時期まで確実に回避し、汚染されない状態でルツボを使用できるようにするための石英ガラスルツボ装着用蓋および石英ガラスルツボの取り扱い方法を提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１の開口部２に装着する蓋３であって、前記開口部２の外周端２ａに密着するフランジ部４を有する蓋３を、ルツボ１に装着する。単結晶シリコンを製造する際し、蓋３を装着して出荷されてきたルツボ１は、蓋３を外してからルツボ１内に多結晶シリコン１０を装入し、直ちに、ルツボ１の開口部２に蓋３を装着する。その後は、蓋３の装着によってルツボ１の内部を外界と遮断した状態のまま保管することによって、多結晶シリコンの溶融を行うまでの待機期間を、ルツボ１内の原料シリコンが汚染されない状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】｛0001｝ファセット領域が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、少なくともエッジエクスクルージョン領域を除く基板の全領域がインゴットの｛0001｝ファセット領域に相当する部分で構成される炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴット成長表面に現れる｛0001｝ファセット面の面積が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、基板の全面積領域が成長時の｛0001｝ファセット領域に相当するインゴット部分で構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】ガリウム及びナトリウムが含まれる融液中に窒素ガスを供給し、種基板に窒化ガリウム結晶を生成する窒化ガリウム基板の製造において、従来よりも坩堝の周囲の温度勾配を低減することによって、坩堝を均一に加熱することが出来る基板製造装置を提供する。
【解決手段】ヒータ１２ａが内部に取り付けられている第１の容器（内容器）１２と、第１の容器１２の内部に収容されている坩堝１４とを備え、第１の容器１２のヒータ１２ａによって坩堝１４を加熱することで坩堝１４内の融液３０に浸漬する種基板２０上に結晶基板を生成する基板製造装置Ａであって、第１の容器１２の内部に収容されると共に坩堝１４を収容する保温容器１３を備える。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）塊状単結晶を製造するための方法と単結晶ＡｌＮ基板を提供する。
【解決手段】中心長手軸線１８を有する単結晶ＡｌＮ種結晶１５を坩堝装置３の結晶成長領域４内に配置し、成長段階の間に結晶成長領域４内にＡｌＮ成長気相１６を生成し、成長気相１６を坩堝装置３の貯蔵領域５内にあるＡｌＮ原材料２１から少なくとも一部を供給し、ＡｌＮ塊状単結晶２をＡｌＮ成長気相１６からＡｌＮ種結晶１５上に析出させることで中心長手軸線１８と平行に向いた成長方向１７に成長させ、浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１の少なくとも酸素割合が減らし、坩堝装置３に設けた析出室８内で浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１から蒸発した酸素含有成分を析出させ、ＡｌＮ原材料２１を浄化段階の終了後、成長段階全体の間、無酸素雰囲気内で保持する。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶を同時育成可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】所定の中心軸周りに等配された複数の引下げ用の坩堝１１と、坩堝１１各々を巻回す複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃと、を有する構成とし、加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを各コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃの軸心に対して同一方向に電流が流れるように各々直列に接続し、単一の電力導入端２１より複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを有する回路に電力を投入する。 （もっと読む）

【課題】坩堝に対して濡れ性に劣る原材料融液より中空状単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】底部が閉塞された閉塞部となる円筒形状を有し、閉塞部を円筒形状の内部から外部に貫通する貫通孔１１ｂを有する坩堝１１の内部に保持された原材料７の融液８を貫通孔１１ｂから漏出させ、貫通孔１１ｂ内形状よりも小さな外形状を有する形状制御棒１２を挿通した状態で引下げ操作を行い、シードタッチのために、形状制御棒１２を動作させて融液８をシードタッチ面に向けて送り込ませる。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶を同時育成可能な引下げ方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１下部に内部から外部に連通する複数の貫通孔１１ｃの開口部を形成し、且つシード５には該開口部形成面と正対する平板形状のものを用いる。シードタッチ時には該シード５によって坩堝１１を所定量押し上げ、その状態で原料７の溶解、貫通孔１１ｃから漏出する原材料融液とシード５とのシードタッチの実施を行い、その後複数の単結晶の引下げ育成を行う。 （もっと読む）

【課題】複雑な断面形状を有する単結晶を製造する引下げ方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１下部の原材料融液９の漏出孔開口が形成される面を傾斜面とし、開口を傾斜面上部に配置する。単結晶の断面形状に対応するパターンを傾斜面に形成する。また、シード７は融液９との接触面に単結晶の断面形状に対応するパターンを形成し且つ接触面を坩堝１１側の傾斜面と同じ傾斜を有した面とする。シードタッチではシード７最上部と坩堝１１のパターン最下部とを接触させた後シード７を傾斜面に沿って平行移動させ、最終的に各々のパターンを相対するように配置させることでパターン全域のシードタッチを完了する。 （もっと読む）

【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】単結晶引き上げ時の熱膨張が少なく、高い単結晶歩留りを得ることができる石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボは、アルゴン雰囲気２０torr下において温度１５００℃で１０時間加熱する基準加熱条件下でのルツボの壁部、コーナ部及びボトム部の各部位の膨張率が何れも８％以下であり、ルツボ各部位相互の膨張率差が５.５％以下であり、ルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率が０.０５％以上〜０.４％以下であることを特徴とし、例えば、石英粉を加熱溶融して石英ガラスルツボを製造する際に、１８００℃以上で５分以上加熱してガラス化し、かつルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率を０.０５％以上〜０.４％以下に調整することによって、ルツボ各部位の熱膨張を抑制する。 （もっと読む）

【課題】特に大直径の単結晶を引き上げて製造する際に、有転位化を効果的に抑制することができ、高品質の単結晶を歩留まり良く製造することができる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶原料をルツボ１６内でヒーター１４により加熱溶融して溶融液１５を生成する工程と、溶融液１５を放置して熟成させる工程と、熟成後の溶融液１５に種結晶を浸漬して単結晶を育成する工程とを含む、チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法であって、熟成工程において、ヒーター１４とルツボ１６を相対的に上下動させる。このとき、ヒーターのヒータースリット下端の移動下限位置が、前記ルツボ内の溶融液の最下端から５ｃｍ上より下の位置となるようにすることが好ましい。万遍無くルツボ内の融液全体を加熱できるので、溶融液中のドーパント等の溶け残りを溶かしたり、ルツボ表面のヒーター熱による局所的な変質を均一にする等の効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】表層のＳｉＣとの熱膨張差によって生じる割れやクラックを防止でき、しかも急速な昇温にも耐えることができるよう熱的特性が改良されたシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ８は、下記条件を満たす黒鉛材料からなる。（イ）２９３〜６７３Ｋでの熱膨張係数が３．０〜４．０×１０^−６／Ｋ（ロ）２９３Ｋでの熱伝導率が１２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上（ハ）耐熱衝撃係数＝（引っ張り強度×熱伝導率）／（熱膨張係数×弾性係数）が８０ｋＷ／ｍ以上（ニ）かさ密度が１．７０Ｍｇ／ｃｍ^３以上（ホ）熱膨張係数の異方比が１．１以下であり、また、前記シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ８は、２分割または３分割ルツボであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ルツボ原料粉のルツボ内面への侵入までを回避できる方途を与えることによって、石英ガラスルツボ内への異物侵入を、ルツボの実際の使用時期まで確実に回避し、汚染されない状態でのルツボの取り扱いを可能にする方法を提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１の開口部２に装着する栓３であって、開口部２の内周端２ａに密着する周縁取付け部４を有する栓３を、ルツボ１に装着する。また、栓３において、少なくとも内面の金属成分の付着量は0.05ng／cm^２以下である。 （もっと読む）