【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体封止剤を用いた縦型ボート法によるＳｉドープＧａＡｓ単結晶の製造方法による結晶育成過程において、適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】液体封止チョクラルスキー法によるＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の製造方法において、転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】容器内に原料融液Ｌと封止剤Ｍを収納し、その原料融液Ｌに種結晶Ｃを接触させ、容器あるいは種結晶Ｓを移動し、種結晶Ｓに化合物半導体の単結晶Ｃを成長させる製造方法において、少なくとも結晶成長初期に固液界面Ｆが原料融液側Ｌに凸化するように、種結晶Ｓの頭部を強制冷却手段１２により強制冷却する。 （もっと読む）

【課題】結晶中の炭素濃度として、高い炭素濃度が要求される場合であっても、結晶上端部で炭素濃度が目標値に設定されたＧａＡｓ単結晶を短時間に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶原料が融解した後、ＧａＡｓ単結晶を引き上げる前に、高圧引上げ炉１１内にＣ０ガスを供給し、るつぼ１２を回転することにより収容された液体原料と液体封止剤とを回転させ、攪拌治具２１によって封止剤融液を攪拌することにより、封止剤融液に対するＣＯの混入を促進する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。
【解決手段】ドライエッチングによりＧａＡｓ単結晶基板８にビアホール１０を形成するに際し、エッチング残留物が生成されない程度に酸素不純物の含有量が十分少ないＧａＡｓ単結晶基板８を用い、このＧａＡｓ単結晶基板８に対してドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】縦型ボート法による結晶育成過程において、液体封止剤層中に含まれるＳｉの濃度が液体封止剤層とＧａＡｓ原料融液層との界面近傍の下部で高く、この界面から離れて上部にいくにしたがって急激に低くなる性質を利用し、結晶育成過程の適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓウェハの面内転位密度（ＥＰＤ値）及び残留応力を一定範囲に絞り込むことにより、イオン注入後の活性化アニールの如き熱処理においてスリップ転位の発生をなくした半絶縁性ＧａＡｓウェハの提供。
【解決手段】ＬＥＣ法又は縦型融液法（ＶＢ法、ＶＧＦ法）によりＧａＡｓ単結晶１０を成長させる際の結晶中の温度勾配を２０℃／ｃｍ以上１５０℃／ｃｍ以下とすることにより、ウェハ面内の転位密度（ＥＰＤ）を、３０，０００個／ｃｍ^２以上１００，０００個／ｃｍ^２以下とする。ＧａＡｓ単結晶１０を成長させた後、ＧａＡｓ単結晶１０にアニールを実施する際に、アニール時の最高到達温度を９００℃以上１１５０℃以下とし、かつＧａＡｓ単結晶１０中の温度勾配を０℃／ｃｍ以上１２．５℃／ｃｍ以下とすることにより、光弾性測定で得たウェハ面内残留歪値（｜Ｓｒ-Ｓｔ｜）を、１．８×１０^-５以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を製造するに際し、液体封止剤の直上の温度を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化と結晶表面の組成比の不良を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上することを可能にする。
【解決手段】 ＬＥＣ法における化合物半導体単結晶の製造中に、液体封止剤（三酸化硼素）直上の温度、より好ましくは液体封止剤の直上で且つ単結晶の表面近傍Ａにおける温度を測定し、測定された実際温度が目標とする所定温度範囲、例えば９００℃以上１０００℃以下に入るように規定することにより、固液界面を原料融液側に凸の最適な形状とし、多結晶化を防ぎ、単結晶収率を高める。 （もっと読む）

【課題】 チャンバー内の温度の揺らぎに原因して固液界面の形状が不安定になるのを防止し、ひいては結晶の多結晶化を防止するＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 引上軸１の周囲に、下端が引き上げ開始前にルツボ３上端よりも上側に在り、上端がチャンバー１２の上壁に接し又は上壁付近に位置し、かつチャンバー１２の上壁近傍の位置に排気口８を具備する熱誘導用筒状部材７を、引上軸１を取り巻くように設置し、単結晶２を引き上げる際に、この熱誘導用筒状部材７中を通して、下方の熱をチャンバー１２内の上部の温度の低い範囲へ効率よく誘導する。 （もっと読む）

【課題】常温のガスが炉内に入り、一時的にヒータ内周囲に較べヒータ外周囲の雰囲気ガスが温度低下しても、これに敏感に反応しない熱電対及び半導体結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】ＬＥＣ法による半導体結晶製造装置において、耐圧容器３０内に配置され原料融液を収容するルツボ５４の外周に該ルツボを囲んで設けられた円筒形のヒータ３８と、前記ヒータの内部に設けられた熱電対４０と、前記熱電対により計測される実測温度に基づいて前記ヒータ３８の温度を制御する温度制御系４１とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で製造歩留りが向上する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶原料を収容するるつぼ１２の底部に支持軸１３を接合し、そのるつぼ１２の周囲にヒータ１４を配置し、そのヒータ１４でるつぼ１２内の原料を溶融加熱させ、かつるつぼを回転させて単結晶２０を成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、るつぼ１２の底部と支持軸１３との接合部３１に雰囲気ガスを流通させてるつぼ１２底部の温度低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】 炉内上部のガス対流の影響によるメインヒーターの加熱変動を抑止し、三酸化硼素とＧａＡｓ融液との間にある気泡を取り込まない半導体単結晶製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー９内に設けられた坩堝７と、坩堝７の外周に配置されたメインヒーター５と、坩堝７の下方に配置されたサブヒーター６と、メインヒーター５を制御するためのメインヒーター熱電対１１とを備えたＬＥＣ法による半導体単結晶製造装置１において、メインヒーター５の長さをＡとし、メインヒーター５の最下部からメインヒーター熱電対１１までの取り付け位置の距離をａとしたとき、上記距離ａの範囲が下式（１） ０≦ａ≦１／４ × Ａ ・・・（１）
を満たすことを特徴とする半導体単結晶製造装置１及び製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法において結晶中に取り込まれる不活性ガスを軽減する化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 不活性ガス側から液体封止剤２を貫き原料融液３中に達するように、高温耐熱性物質からなる円筒材８を、引き上げる化合物半導体単結晶１の周囲に設置し、該円筒材８でるつぼ５と単結晶１との間における液体封止剤２及び原料融液３を内外の領域に仕切り、これにより単結晶成長中に取り込まれる不活性ガスの気泡を減らした環境下で、化合物半導体単結晶１を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 液体封止チヨクラルスキー法（ＬＥＣ法）による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶側面から液体封止剤への放熱を抑制し、結晶側面付近の固液界面形状の凹面化を無くすことで、多結晶化の発生を効果的に抑制することを可能にする。
【解決手段】 成長結晶径よりも大きな内径を有する高温耐熱性物質からなる筒９を、引き上げる成長結晶２と同軸に設置し、その筒の一端を液体封止剤４中に浸漬し、他端を液体封止剤４と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にあるように位置させることを前提とし、その液体封止剤４中にある一端の内径を、液体封止剤４と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にある他端の内径よりも大きく設定した筒を用いて成長する。 （もっと読む）

【課題】垂直温度勾配法あるいは垂直ブリッジマン法による結晶育成時に、原料結晶の融液が種結晶とルツボとの隙間に入り込まないようにして多結晶化、結晶性悪化を生じさせずにＧａＡｓ、ＩｎＰなどの良質な単結晶を育成できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供。
【解決手段】その表面が予め空気中で高温に加熱処理して形成される酸化ホウ素薄膜で被覆された熱分解窒化ホウ素製のルツボを用いて垂直温度勾配法または垂直ブリッジマン法によって化合物半導体単結晶を製造する方法において、ルツボ種結晶保持部に酸化ホウ素封止剤および種結晶を順次設置するとともに、ルツボ直胴部に原料結晶を設置し、かつ、その際、酸化ホウ素封止剤の使用量は、単結晶育成時に溶融する酸化ホウ素封止剤が種結晶を実質的に覆い、原料結晶の融液が種結晶とルツボ種結晶保持部とで形成される隙間に入り込むのを阻止するに十分な量とすることによって提供。 （もっと読む）

【課題】 液体封止引き上げ法により、直径が６３．５ｍｍ以上のリン化ガリウム単結晶を育成する製造方法において、製造するリン化ガリウム単結晶中のボイドの発生を抑制するとともに、リン化ガリウム単結晶中の双晶の発生も抑制する。
【解決手段】 育成する結晶の直径をｄ、ルツボ内径をＤとした場合に、ｄ／Ｄを０．７以下とし、かつ、結晶の回転速度を２〜５ｒｐｍ、結晶の回転とルツボの回転を同方向とする。
これにより、得られるＧａＰ単結晶において、結晶頭部側でボイドが発生することを抑制できるとともに、双晶の発生も抑制することができる。したがって、本発明の方法により製造されたＧａＰ単結晶を用いることで、発光ダイオードの生産歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造において、ヒータの発熱領域長さと製造しようとする最終的な単結晶の結晶長さとの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化と結晶表面の組成比不良を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上すること。
【解決手段】ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を引き上げ育成するに際し、ヒータの発熱部の上下方向長さをＬ、製造しようとする最終的な単結晶の上下方向長さをＴとしたとき、Ｔ／３≦Ｌ＜Ｔ／２の関係となるヒータを用いて製造する。 （もっと読む）

【課題】 固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 原料及び液体封止剤１９を入れたるつぼ１２を加熱して原料及び液体封止剤１９を融解し、融解した原料融液１８に接触させた種結晶１６を引き上げることにより、単結晶１７を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、
始めに、所定の初期引き上げ速度で単結晶１７の引き上げを行い、単結晶１７の体積がるつぼ内１２に投入した原料融液１８の体積の所定の割合に達した時点で、単結晶１７の引き上げ速度を減速することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 （もっと読む）

本発明は、溶融物（１３）を加熱する抵抗ヒーターと、るつぼ（１１）内で交番磁界を生じさせる電界コイル（導体）とを通常備え、それによって電流を溶融物に通電させる液晶成長ユニットに関するものである。本発明によると、抵抗ヒーターが磁界コイルとして組み込まれ、言い換えると中空円筒体（１）によって形成され、その中に螺旋状で単一層の電流路が周縁スロット（２）によって形成される。本発明はユニットを加熱するために必要な電流を、移動磁界を発生させるためにも使用される。そのために、分離電界コイルまたは磁界用の分離電力供給部が必要である。コイル構成部として組み込まれる電界コイルのようにも作用する抵抗ヒーターは、高温抵抗であり、ユニットの熱コア、すなわち溶融領域を直接囲む。従って磁界を発生させるのに必要な寸法は、最小になる。磁界は結晶成長ユニットの外板壁を越えて広がることはなく、前記外板壁が通常の鉄外板として組み込みできる。

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