【課題】 レーザを照射することによって形成されるリッジに伴う太陽電池の性能の低下を軽減させるレーザドーピング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面にドーパントを接触させる接触工程と、半導体基板の表面の第１照射領域にレーザ光を照射する第１照射工程と、第１照射領域に形成されたリッジを含んだ第２照射領域を定め、当該第２照射領域にレーザ光を照射する第２照射工程とを有する、レーザ光を照射してドーパントをドープするレーザドーピング方法により解決する。 （もっと読む）

切断されたまま、又は一部工程の終了した、多結晶シリコンウェハなどのバンドギャップ材料からルミネセンス画像を撮影する（２）一方法（１）が開示される。この画像は次に処理されて（３）、バンドギャップ材料中にある転位などの欠陥に関する情報を提供する。得られた情報は、バンドギャップ材料から製造される太陽電池の、開放電圧、及び短絡電流のような、種々の主要パラメータの予測に利用される（４）。この情報は、バンドギャップ材料の分類へも利用することが可能である。この方法は、バンドギャップ材料中の欠陥密度の低減を目的とする、アニールなどの追加プロセス工程の調整又は効果の評価に利用することも可能である。
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【課題】活性種等を含むプロセスガスの使用効率を向上させることができると共に、被処理体に対するプラズマ処理の面間均一性及び面内均一性の向上及びスループットの向上を図ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してプラズマにより発生した活性種によって所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、筒体状の処理容器１４と、被処理体を複数枚保持する保持手段２２と、処理容器の側壁に設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室５８と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段３８と、プラズマを立てるためのプラズマ形成手段６０と、処理容器内の上部空間部及び／又は下部空間部に臨ませたガス噴射孔を有する不活性ガス供給手段４２と、上部空間部及び／又は下部空間部に不活性ガスを供給するように制御する制御手段９４とを備える。 （もっと読む）

本発明は半導体材料のドーピング方法に関する。基本的には、該方法は一定量の粒状半導体材料とイオン性塩またはイオン性塩の調製物を混合することを含む。好ましくは、粒状半導体材料は1 nm ないし100 μmの範囲のサイズを有する粒子を含む。特に好ましくは、粒子サイズは50 nmないし500 nmの範囲である。好ましい半導体材料は真性および金属級シリコンである。本発明はバインダーおよび溶媒と同様、ドープした半導体材料を含む印刷可能組成物にまで及ぶ。本発明はさらに、pおよびn型特性を有する印刷可能組成物層から形成される半導体デバイスに及ぶ。
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本発明は、線形焦点式レーザビームを用いた固形物のレーザドーピング方法、および該方法に基づいて製造された太陽電池エミッタである。本発明に係るレーザドーピング方法では、まず第１に、ドーパントを含む媒体を、固体材料の表面に接触させる。そして、レーザパルスを照射することによって、媒体と接触する固体材料の表面下の領域を溶解させる。その結果、ドーパントが、溶解した領域に拡散し、また、冷却されて、該溶解した領域が再結晶する。レーザビームの焦点は、固体材料上に線形的に合わせられ、その線形焦点の幅は、１０μｍよりも小さいことが好ましい。
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