本発明は、金属材料を気化させた後、電子ビームまたは高周波を加えてプラズマ状態にした後、そこから金属イオンを抽出して加速してサファイア表面に注入させる工程（工程１）及び前記工程１のイオンが注入されたサファイアを酸素が豊富な気体雰囲気または空気中で熱処理する工程（工程２）を含む工程を数回反復して行なって発色調節されたサファイアを製造する方法に関するものである。
本発明の発色調節されたサファイアの製造方法は、サファイアに光学的バンドギャップ変化を誘発することができるイオンを注入することで、多様な発色をするサファイアを製造することができ、酸素雰囲気で熱処理を行なうことで照射損傷がなく、均一に発色調節されたサファイアを製造することができる。また、前記の過程を反復することで、照射損傷がなく、高濃度かつ均一な発色が可能なサファイアを製造することができる。
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【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、透明絶縁性基板に集電電極パターンを形成する工程と、前記集電電極パターンを埋め込むように透明樹脂層を形成する工程と、前記集電電極パターンを露出させ、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明樹脂層の表面とを、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン基板と接触するようにして密着させる工程と、前記透明樹脂層を硬化させて両基板を貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カット面を着色したダイヤモンド粒子の製造方法、およびカット面に文様を描画したダイヤモンド粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】着色しようとするダイヤモンド粒子１２のカット面に、常温〜約２００℃の温度範囲、１０^−３〜１０^−４Ｐａの真空雰囲気下、イオン加速器によって、加速エネルギーを１〜５ＭｅＶの範囲、イオンの照射量を1×１０^１２〜１×１０^１５ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の範囲の高エネルギーイオン１３を照射することを特徴とする。また、カット面に文字またはマークなどの形に加工し穴を穿孔したマスクまたはフォトレジストによるマスクによって被覆した後に、高エネルギーイオン１３を照射する。 （もっと読む）