【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。結晶欠陥１１のある部分は、レジスト膜１２は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜１２を除去することで、半導体装置を形成することができるＳｉＣ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】ナノおよびマイクロマシン（Ｎ／ＭＥＭＳ）デバイスに単結晶ダイヤモンドを利用することは困難であり、報告例がなかった。それは、犠牲層である酸化物上に単結晶ダイヤモンドを成長させることが困難なためである。従来技術では、犠牲層酸化物上に多結晶或いはナノダイヤモンドを作製することによって、カンチレバー等を作製しているが、機械性能、振動特性、安定性及び再現性は不十分であった。
【解決手段】本発明は、ダイヤモンド基板１０１内の高濃度イオン注入領域がグラファイトに改質されることを利用し、改質されたグラファイト層１０４を犠牲層として電気化学エッチング除去し、その上に遺されたダイヤモンド層を可動構造体とする。作製されたカンチレバー１０６は高い周波数の共鳴振動を示した。単結晶ダイヤモンドを使用することによって、Ｎ／ＭＥＭＳデバイスの機械性能、安定性および電気特性を改良することができる。 （もっと読む）

【課題】加工しろが小さく一様な加工が容易なＧａＮ基板およびその製造方法、かかるＧａＮ基板を用いたＧａＮ層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板２０は、第１領域２０ｊと、第１領域２０ｊに比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域２０ｉとを含み、第２領域２０ｉは、一方の主面２０ｍから所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり、深さＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差が、深さＤ＋ΔＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差の３倍であり、第２領域２０ｉのＧａ／Ｎ組成比が、第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上であるので、外部から加えられるエネルギーにより、第２領域２０ｉで容易に分離される。 （もっと読む）

【課題】光加熱式のアニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れ、ウェーハ表面のボイド欠陥を消滅させ、ウェーハの表面粗さを小さく可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表層にイオン注入して形成されたアモルファスシリコン領域部が、単結晶シリコンに比べて吸光係数が高いので、シリコンウェーハより低い加熱温度で、アモルファスシリコン領域部のみを溶融できる。その結果、仮にウェーハ表面にボイド欠陥が存在しても、ウェーハより低温でボイド欠陥を消滅させ、その表面粗さを小さくできる。しかも、従来より低出力の光加熱式のアニール炉でこれらの効果が得られ、アニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れる。 （もっと読む）

本発明は、出発基板の自由面に沿って広がる少なくとも１つの厚い表面領域がＧａＮからなる出発基板からＧａＮ薄層を作製するための方法に関する。上記方法は、以下のステップ：ヘリウムおよび水素原子を用いて基板の上記自由面に衝撃を与えるステップであって、第一にヘリウムが上記厚い表面領域の厚さに注入され、その後水素が注入され、ヘリウムドーズ量および水素ドーズ量がそれぞれ１．１０^１７原子／ｃｍ^２〜４．１０^１７原子／ｃｍ^２で変化するステップと、出発基板の残余部に対して、自由面とヘリウムおよび水素注入深さとの間に位置する厚い領域の部分全体の分離を誘発するために、出発基板に破断プロセスを施すステップと、を含む。このヘリウムは、有利に少なくとも水素のドーズ量と等しいドーズ量で注入されるが、単独注入することもできる。
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【課題】ウェーハ表層部に厚い無欠陥層を有し強力なゲッタリング能力を備えたアニールウェーハを低コストに製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、窒素をドープしたシリコン単結晶ウェーハ１１に、該ウェーハの表面から１．５μｍ以上の深さに炭素イオン濃度のピークを有するように炭素イオン１４をイオン注入した後、該イオン注入したウェーハ１１に、非酸化性雰囲気下で１０００℃以上シリコンの融点未満の温度で１秒以上熱処理を行うことを特徴とするアニールウェーハの製造方法。 （もっと読む）

マスクされ制御されたイオン注入を、アニーリングもしくはエッチングと併せて、CVDで形成した単結晶ダイヤモンドに使用し、光学用途にも、ナノ電子機械装置形成にも、医療装置形成にも使えるような構造を作成できる。イオン注入法は、ダイヤモンドの成長表面下に一種類もしくは複数種類の原子を入れ込む際に使われる手法であって、ダイヤモンドの成長表面下の所定の深さに、ピーク濃度の原子を有する被注入層を形成するために用いられる。この組成物を、適切な条件の非酸化環境下で加熱して、ダイヤモンド基層と被注入層とを分離する。剥がれた構造に対してさらにイオン注入を行って、望みのままに構造をまっすぐに伸ばしたり曲げたりすることもできる。また、硼素添加を用いて、導電性ダイヤモンド構造を作成することも可能である。 （もっと読む）