少なくとも5.5eVのエネルギーを有する放射線(典型的にUV線)への曝露及び525℃(798K)での熱処理後にその吸収特性に差異を示すダイヤモンド材料から出発し、ダイヤモンド材料内に欠陥を導入するように制御された照射を施す。制御された照射後、少なくとも5.5eVのエネルギーを有する放射線への曝露及び525℃(798K)での熱処理後の吸収特性の差異が減少する。孤立空孔の特性を示す吸収特徴を有するダイヤモンド材料をも開示する。 （もっと読む）

高温高圧プロセスによって成長させた、窒素で置換され、窒素が孤立して存在しているダイヤモンドから、窒素空孔中心を含むダイヤモンドを製造する方法であって、
−照射線量が１ｃｍ^２当たり１０^１７個から１０^１９個の電子になるように、前記ダイヤモンドに電子ビームを照射するステップ（１２）と、
−電子ビームを照射したダイヤモンドを、真空中または不活性雰囲気中で、７００℃を超える温度で少なくとも１時間アニールするステップ（１４）とを含み、
前記電子ビームが、７ＭｅＶを超える加速エネルギーを有することを特徴とする方法。
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【課題】 紫外線光によって透過率の低下しない水晶体が求められていた。
【解決手段】 本発明は、Ａｌ（アルミニウム）とＯＨ基を含む水晶体であって、前記Ａｌの濃度値と前記ＯＨ基の濃度値とが、（ＯＨ基濃度／Ａｌ濃度値）＝２となる直線と、Ａｌ濃度値が１ｐｐｍ以下となるＡｌ濃度許容範囲とＯＨ基濃度値が６０ｐｐｍ以下となるＯＨ基濃度許容範囲とで囲まれた領域にあり、この状態で前記Ａｌと前記とが結合している水晶体により、紫外線光により透過率低下しない水晶体を実現している。またその製造方法を提供している。 （もっと読む）

【課題】 急激な温度変化が与えられても、ウェハの両面において、デバイスを形成する領域にスリップラインが発生しない構造の化合物半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体ウェハは、化合物半導体結晶を切断して得られる化合物半導体ウェハで、ウェハ両面におけるウェハ外周縁３からウェハ中心方向に向かって距離Ｄまでの領域が、転位密度が１００，０００ｃｍ^-2以上の高転位密度領域２となっているものである。 （もっと読む）

本発明は、ｎ−型ダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明の方法は、ｎ−ドーピングステップを含み、その間において、アクセプタとドナー種との間に形成された錯体の解離温度以下、またはその温度と等しい温度で、ドナー種を含んだドナー基を形成するために、ドナー種が、最初にアクセプタ（１２）でドーピングされたダイヤモンド中で真空拡散される。
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