【課題】被処理体のエッチング量をより正確に把握することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理槽１１では、ＡＴカットの水晶からなる被処理体９をエッチング溶液でエッチングする処理が行われ、ＡＴカットの水晶片３１の両面に互いに対向するように励振電極３２、３３を設けると共に、これらの面の少なくとも一部に露出領域を設けたエッチングセンサ３は、この露出領域の水晶がエッチングされるように前記処理槽１１に配置される。発振回路２２は、このエッチングセンサ３の励振電極３２、３３に接続され、前記露出領域の水晶片の厚さに対応する周波数信号を取得し、演算部４は発振回路２２から取得した周波数信号の周波数の変化に基づき、前記処理槽１１内の被処理体９のエッチング量を算出する。 （もっと読む）

【課題】複数のダイヤモンド層をより高速に分離するダイヤモンドの剥離方法及び、高速分離を実現するダイヤモンドの剥離装置の提供。
【解決手段】ダイヤモンドにイオン注入をすることにより得られた導電性の非ダイヤモンド層がダイヤモンド層に挟まれた構造を有する構造体をエッチング液に浸漬して直流電圧を印加し、非ダイヤモンド層を電気化学的にエッチングすることで、ダイヤモンド層を分離するダイヤモンドの剥離方法であって、エッチング液としてｐＨが８．０より大きく且つ導電率が３００μＳ／ｃｍ以下のエッチング液を使用することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】複数のダイヤモンド層をより高速に分離するダイヤモンドの剥離方法及び、高速分離を実現するダイヤモンドの剥離装置の提供。
【解決手段】ダイヤモンドにイオン注入をすることにより得られた導電性の非ダイヤモンド層がダイヤモンド層に挟まれた構造を有する構造体をエッチング液に浸漬して直流電圧を印加し、非ダイヤモンド層を電気化学的にエッチングすることで、ダイヤモンド層を分離するダイヤモンドの剥離方法であって、エッチング液としてｐＨが６．０未満且つ導電率が３００μＳ／ｃｍ以下のエッチング液を使用することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの表面を任意の形状に加工できるダイヤモンドの表層加工方法であって、比較的簡易な方法によって、平坦性に優れた加工部分を形成できる方法を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（３）の工程を含むダイヤモンドの表層加工方法：
（１） 処理対象のダイヤモンドの表面に、目的とするダイヤモンド加工面の凸部に対応する形状の遮蔽層を形成する工程、
（２） 上記（１）工程で遮蔽層を形成したダイヤモンドの表面からイオン注入を行い、その後、加熱してダイヤモンドの表面近傍にグラファイト化した非ダイヤモンド層を形成する工程、
（３） グラファイト化した非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より表層部分を分離する工程。 （もっと読む）

リチウムに基づく出発基板から薄層を転写させる方法であって：１０％から８０％の割合で基板のリチウムイオンをプロトンで交換するために、この基板の遊離面を通り深さｅ１にわたる、この基板と酸である第１の電解質との間でのプロトン交換工程；第１の深さｅ１より浅い第２の深さｅ２にわたる、少なくとも実際にはすべてのプロトンをリチウムイオンで交換し、深さｅ１と深さｅ２との間に中間層を残すために、遊離面を通る、この基板と第２の電解質との間の逆プロトン交換工程であって、この中間層には、プロトン交換工程の間に組み込まれたプロトンが依然として存在し、この深さｅ２が前記遊離面と中間層との間の薄層を規定する工程；中間層の脆化に好適な条件下で行われる熱処理工程；および中間層にて、基板の残存部分から薄膜を分離するのに好適な分離工程を含む、方法。
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【課題】ダイヤモンドを低コストで精度良く加工する方法を提供する。
【解決手段】加工を施したい導電性ダイヤモンドを陽極１にして、陰極３との間で、導電率が１１．５Ｓｍ^−１以下である濃硫酸溶液２０を介して通電することによって陽極１と陰極３との間に電位差を生じさせて電解反応により導電性ダイヤモンドを電気化学的に加工する。濃硫酸溶液２０としては硫酸濃度８０〜９６質量％が好適であり、電解温度を５〜４０℃にして、電流密度６０〜１，０００Ａ／ｄｍ^２により通電を行うのが望ましい。導電性ダイヤモンドは、通電に際しマスク材で表面の一部を覆っておくことで、所望の形状に加工を行うことができる。 （もっと読む）

層状半導体デバイスの製造方法であって、（ａ）複数の半導体ナノ構造を含む基体を用意する工程と、（ｂ）エピタキシャル成長法によって前記ナノ構造上に半導体材料を成長させる工程と、（ｃ）エピタキシャル成長法によって前記半導体材料上に前記半導体デバイスの層を成長させる工程と、を含む方法。
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互いに向かい合う一の面と他の面とを有し、且つ分極方向が一方向に揃った状態で一の面のエッチングレートが他の面のエッチングレートよりも大きい強誘電体結晶を用い、この強誘電体結晶の一の面に対してエッチングを行う。エッチングを行うと同時に、この強誘電体結晶に所定の電圧を印加する。これにより、エッチングが進行して、強誘電体結晶の厚さが目的厚さに達すると、強誘電体結晶の分極方向が反転し、エッチングの進行が自動的に停止する。この結果、きわめて薄く、かつ広い面積において均一な厚さを有する強誘電体結晶薄膜を製造することができる。
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窒化物半導体単結晶ウエハを研磨すると加工変質層ができる。加工変質層を除去するためのエッチングが必要である。しかし窒化物半導体は化学的に不活性であって適当なエッチャントがない。水酸化カリウムとか燐酸がＧａＮのエッチャントとして提案されているがＧａ面を腐食する力は弱い。 加工変質層を除去するためにハロンゲンプラズマを用いたドライエッチを行う。ハロゲンプラズマでＧａ面をも削り取る事ができる。しかしドライエッチによって新たに金属粒子による表面汚染の問題が生ずる。そこで選択性がなく腐食性があって酸化還元電位が１．２Ｖ以上であるＨＦ＋Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２ＳＯ_４＋Ｈ_２Ｏ_２、ＨＣｌ＋Ｈ_２Ｏ_２、ＨＮＯ_３等をエッチャントとしてウエットエッチングする。
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