【課題】１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法は、Ｓｉウェーハをスピンさせ、スピン中の前記Ｓｉウェーハにノズルから薬液を吐出させることで、砥石による加工処理によって生じるＳｉウェーハのマイクロクラックや欠陥などの加工ダメージを除去し、薬液が、４．４５ｗｔ％から２４．５ｗｔ％の弗化水素と、３１．５ｗｔ％から５４．０９ｗｔ％の硝酸と、５ｗｔ％から１３．６４ｗｔ％の酢酸とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固形物の物質除去方法、特に、液体ジェット誘導レーザーエッチングによる微細構造化あるいは切削に関する。
【解決手段】反応していないエッチング成分としての除去された物質は、高度に再循環される。このように、高純度のシリコンが、同じ処理連鎖内で、基板上に多結晶の態様で回収されるか、あるいはエピタキシャルに蒸着され得る。 （もっと読む）

本発明は、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）からなる少なくとも１つの表面層２１と、ＳｉＧｅ層の下にある歪みシリコン層２２とを有するウェーハ２０を処理する方法に関する。回転するウェーハ上にエッチング液１１を供給することによるＳｉＧｅ層の選択エッチングの工程によって、歪みシリコン層２２が露出させられる。ついで、選択エッチングの後に、回転するウェーハ２０上に供給されるオゾン水溶液１２で歪みシリコン層２２の表面を洗浄する工程が続く。
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