【課題】良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III−Ｎバルク結晶を製造する方法であって、IIIは、周期表のIII族のうちＡｌ、Ｇａ及びＩｎから選択された少なくとも１つの元素を指し、前記III−Ｎバルク結晶を、気相エピタキシーによって基板又はテンプレート上に成長させ、前記III−Ｎバルク結晶の成長速度を、リアルタイムで測定するIII−Ｎバルク結晶の製造方法である。エピタキシャル成長の間、成長速度のその場での測定及び動的制御によって、実際の成長速度を本質的に一定に維持する。その結果、良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶及びそれに付随して分離され個別化された単一のIII−Ｎ結晶基板の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】無機材料よりなる多孔質担体の表面に触媒を設けるにあたって、触媒のシンタリングを防止し、触媒量の低減が図れるような触媒体を提供する。
【解決手段】触媒体１００は、コーディエライトよりなる多孔質担体１０を有し、この多孔質担体１０の表面において、当該多孔質担体１０の構成元素であるＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂を種として、シリカライトなどの少なくとも１種のゼオライトの単結晶２０が直接生成されており、このゼオライトの単結晶２０に、Ｐｔなどの貴金属などからなる触媒３０が担持されている。 （もっと読む）

【課題】厚いエピタキシャル層を形成する場合でも、平坦性に優れ、かつ抵抗率の均一性にも優れたエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハを容易にかつ低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、少なくとも、裏面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を用い、該基板の表面にシリコンからなるエピタキシャル層を成長させる工程と、スピンエッチャーを用い、前記シリコン基板を回転させるとともに該基板の裏面に、前記シリコン酸化膜よりもシリコンに対するエッチング速度が大きいエッチング液を供給することにより、前記エピタキシャル層の成長の際に前記基板の裏面及び面取り部に形成されたシリコンをエッチングして除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 医薬品の添加剤やキャリアなどの機能材料素材として利用可能なダイヤモンド微粉を提供する。
【解決手段】 単結晶質ダイヤモンド粒子を粉砕・分級してＤ₅₀平均粒度1μｍ以下の出発ダイヤモンド微粉とし、封鎖された容器に入れて150〜500℃に保持し、塩素ガスを流入させダイヤモンド粒子と接触させて粒子の表面に塩素を化学吸着させ、ダイヤモンドに対して0.2質量％以上の塩素が吸着したダイヤモンド微粉塩素終端ダイヤモンド微粉とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥クラスタを有する基板内に形成された薄い層を転写するための方法を提供する。
【解決手段】半導体材の薄い層と支持基板とを含み、この薄い層は欠陥クラスタを第一の密度にて有するドナー基板の一部を転写した結果として得られる基板であり、ドナー基板の支持基板上への転写の後の、この部分内に存在するこれら欠陥クラスタの、第一の密度を第二の密度に低減されるために、キュアするステップと、キュアするステップの前の、ドナー基板のこの部分内に第一の密度にて存在する欠陥クラスタを増加させないようにする１つ又は複数のステップを含むことを特徴とする。 本発明は、さらに、この方法にて得られるSeOI基板と、欠陥クラスタを有する基板であって、既にドナー基板として用いられ、それから薄い層が剥離され、それが支持基板上に転写された基板をリサイクリングする。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの均一な加熱が可能で、III族窒化物半導体デバイスの製造に有用なIII族窒化物単結晶ウエハを提供する。
【解決手段】 ウエハ状に加工したIII族窒化物単結晶１１のIII族窒化物結晶層形成面とは反対側の面に、例えば、カーボン（Ｃ）膜、半導体膜および金属膜からなる群から選択される赤外線吸収層１２を形成する。このように赤外線吸収層１２が形成されているため、この赤外線吸収層１２が赤外線光を均一に吸収することができる。その結果、ウエハ１１を均一に加熱可能となり、高品質な半導体デバイスを、安定して高い歩留まりで容易に製造できる。 （もっと読む）

化学蒸着法プロセスを使用するなど、ナノチューブがナノワイヤテンプレート上のシースとして合成される、均一なナノチューブの製造方法が記載される。例えば、単結晶酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノワイヤは、窒化ガリウム（ＧａＮ）がその上にエピタキシャル成長されるテンプレートとして利用される。ＺｎＯテンプレートは、次に、熱還元および蒸発によってなど除去される。完成された単結晶ＧａＮナノチューブは、好ましくは３０ｎｍから２００ｎｍの範囲の内径、および５ｎｍから５０ｎｍの壁厚みを有する。透過電子顕微鏡研究は、結果としてのナノチューブが、ウルツ鉱構造を有する単結晶であり、＜００１＞方向に沿って配向されていることを示す。本発明は、層状ではない結晶構造を有する材料の単結晶ナノチューブを例示する。同様に「エピタキシャルキャスティング」アプローチは、他の固体材料および半導体の列および単結晶ナノチューブを作るために使用されることができる。さらに、複数シースならびに複数の長手方向セグメントを有するナノチューブの製造が記載される。 （もっと読む）