【課題】大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。
【解決手段】炉内に原料フッ化金属と固体含金属スカベンジャとを収容し、炉内を昇温し原料フッ化金属を溶融させ、次いで溶融したフッ化金属を単結晶化するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記固体含金属スカベンジャを、原料フッ化金属の融点以上の温度に保持される炉内の高温部位と、溶融したフッ化金属を単結晶化する工程を通じて、固体含金属スカベンジャの融点以上乃至原料フッ化金属の融点未満、例えば「原料フッ化金属の融点−１５０℃」以下の保持される炉内の低温部位とに分割して収容、好ましくは、低温部位／高温部位の質量比率が０．３〜１．０となるように収容することを特徴とするフッ化金属単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 単結晶の育成速度の優れた坩堝および単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】 坩堝１０は、単結晶育成装置に配置されるものである。坩堝１０は、収容体１１と、中空体１２とを含む。収容体１１は、開口を有し、原材料を収容する。中空体１２は、収容体１１の内に収容され、収容体１１の開口側に向かって径が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】気体スカベンジャー（スカベンジャーガス）の利点を生かして高いレーザー耐性を有する、ステッパーの光学系レンズとして有用なフッ化金属単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン製の断熱材壁８を有するフッ化金属単結晶育成炉を使用して、単結晶引上げ法により、フッ化カルシウムやフッ化マグネシウムなどのフッ化金属単結晶を育成するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記フッ化金属単結晶育成炉内をアルゴンやヘリウムなどの不活性ガス雰囲気とし、具体的には育成炉内の底部より不活性ガスを炉内に導入しつつ、テトラフルオロメタンなどのスカベンジャーガスを前記フッ化金属の融液１２中に供給するか或いは該融液１２の液面に吹き付けて、フッ化金属単結晶１３を成長せしめる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってフッ化金属の単結晶体を製造する方法に使用され、散乱体の発生がさらに抑制されたアズグロウン単結晶体を製造することが可能な二重坩堝構造を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶育成炉内に配置される外坩堝１と内坩堝３とからなる二重坩堝構造において、外坩堝１は、原料フッ化金属及びその融液を収容、保持するものであって、上下動可能に且つ内坩堝３と同軸上に設けられており、内坩堝３は、外坩堝１の上部に位置固定されていると共に、下方中心に向かって縮径した傾斜壁２１を備え、傾斜壁２１の中心には、外坩堝１に保持されている原料フッ化金属の融液が流通し得る貫通孔Ａが形成されており、傾斜壁２１には、その上端径をＬで表して、径が（２／３）×Ｌとなるよりも上方の位置に複数の貫通孔Ｂが回転対称に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学部材等に使用するフッ化金属単結晶の内部透過率の悪化の１つの要因である、固体スカベンジャーを構成する金属成分の、結晶内への取込・残留を軽減する方法を提供する。
【解決手段】用いる固体スカベンジャー又はその溶融液と、原料フッ化金属１９又はその溶融液２３とが、互いに接触しないようにスカベンジ反応、原料溶融及び結晶化を行う。例えば、二重構造坩堝を用い、内坩堝２の外壁に取り付けた開口部遮蔽部材１５の下に設けた凹部を有する部材２２に固体スカベンジャーを収容する。これにより外坩堝１に収容された原料フッ化金属１９と直接接触することがなく、かつガス化したスカベンジャーは外坩堝１、内坩堝２及び開口部遮蔽部材１５により形成される半密閉空間に充満し、滞留時間が長くなるためスカベンジ反応の効率が低下することはない。さらに溶融・結晶化工程でも、原料フッ化金属溶融液２３と接触しないようにできる。 （もっと読む）

【課題】二重ルツボ法によるＬｉＮｂＯ₃、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂、Ｌｕ₂ＳｉＯ₅、Ｇｄ₂ＳｉＯ₅、ＹＶＯ₄等の酸化物、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体等の単結晶引き上げにおいて、簡単な装置構成で、単結晶の組成制御操作性に優れ、メンテナンスも容易であり、高品質の単結晶を低コストで効率的に得られる製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】側面に孔１ａが形成された内ルツボ１と外ルツボ２とかならなる二重ルツボを用い、前記内ルツボ１と外ルツボ２に、異なる組成の原料融液４，５をそれぞれ充填し、前記孔１ａを外ルツボ２内の原料融液５の液面より高い位置に保持して、内ルツボ１内の原料融液４と外ルツボ２内の原料融液５とを分離し、単結晶６引き上げ開始後、前記孔１ａを外ルツボ２内の原料融液５の液面より低い位置にして、内ルツボ１内に外ルツボ２内の原料融液５を流入させて、内ルツボ１内の原料融液４の組成制御を行う。 （もっと読む）

【課題】浮遊坩堝法で単結晶体を引き上げる際に、内坩堝を効率的かつ簡便に回転できる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】内坩堝２を、所定の位置よりは下方へ移動させないが、上方へは浮力によって離脱可能に支持する垂直位置支持機構と、内坩堝２を外坩堝１の回転に同期して回転させるが、外坩堝１と内坩堝２の垂直方向の相対的な位置変化は妨げない回転伝達機構と、内坩堝２の中心軸を結晶引き上げ軸と同じ軸上に保持する水平位置保持機構とを備える引き上げ装置とする。代表的態様では、回転伝達機構兼水平位置保持機構として、内坩堝２外壁に、外端縁が外坩堝１内壁とわずかに隙間を有する位置まで延び、かつ外端縁に上下に貫通した溝部１９を有する円環板状の突出部２０、外坩堝１内壁に、突出部２０の有する溝部２１と嵌合することにより、外坩堝１の回転に同期して内坩堝２を回転させる突起部２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に内坩堝に上方向の応力が作用した場合であっても好適に単結晶の引上げを再開することができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】二重構造坩堝を有する単結晶引上げ装置に内坩堝５を上下方向所定の位置に支持しており、かつ内坩堝５に対して上方向への応力が作用した時には内坩堝５を上方向へ位置変化させ、応力が作用しなくなった時には、自重により上下方向の所定の位置に戻ることが可能なように支持している支持機構と、内坩堝５を水平方向所定の位置に支持しており、かつ内坩堝５が、上方向への応力によって位置変化した後、応力が作用しなくなって上下方向の所定の位置に戻った際には、水平方向所定の位置の同周円上に戻ることが可能なように支持しているガイド機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法でのフッ化金属単結晶体の引き上げに際して、その引き上げ中の熱衝撃による割れや、原料溶融液表面の凍結などを防止し、長尺の単結晶体を安定的に製造する。
【解決手段】坩堝を外坩堝２と内坩堝４とからなる二重構造坩堝とし、二重構造坩堝における内坩堝４上に、引き上げられた単結晶体１５の肩部が最終的に到達する付近までの高さを有する断熱材製の筒状部材１８を、内坩堝４の上端部１９との間に空隙を有さないように接触した状態で配置する。筒状部材１８が外部からの輻射熱を防止し、かつ、筒状部材１８が断熱材により構成されているため、坩堝自体を背の高いものとした場合に問題となる上部坩堝壁からの放熱が大幅に減少し、放熱を原因とする原料溶融液の凍結を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】二重るつぼ法を用いたタンタル酸リチウム単結晶のようなアルカリ金属酸化物単結晶の製造装置において、作製される単結晶に気泡が発生しない条件を提供する。
【解決手段】外側容器５の周壁３の内径をＲ[ｍｍ]、内側隔壁６の内径をｒ[ｍｍ]、単結晶棒１０の直径をＢ[ｍｍ]、外側容器５内の原料融液４の深さをＤ[ｍｍ]、導通通路７の合計断面積をＳ[ｍｍ^２]、原料融液４中の単結晶成分のモル数をＭ１、および原料融液４中の溶媒成分のモル数をＭ２としたとき、ｒ≧１．４×Ｂ、およびＲ≧ｒ＋４０の各条件を満足するとともに、Ｓ≦｛（Ｍ１＋Ｍ２）／Ｍ１｝×｛１／（２Ｄ＋Ｒ）｝×４．０５×１００００の条件を満足するように設計する。 （もっと読む）

【課題】散乱体の形成が抑制される溶融液が浅い状態を維持しながら、引上げられる単結晶体への輻射状態の変動を抑制することにより安定的な育成が可能なフッ化金属単結晶体の引上げ装置および製造方法を提供する。
【解決手段】外坩堝（４）と内坩堝（５）とからなる二重構造坩堝を用いて、その下端部が内坩堝（５）の上端部よりも下方に位置するように配置された円筒部材(25)によりフッ化金属単結晶体(10)がその上端部まで囲まれた状態を維持しながら単結晶体(10)を引き上げてゆき、内坩堝（５）内に収容された原料フッ化金属の溶融液（７）の育成に伴う減少に応じて、外坩堝（４）に対する内坩堝（５）の収納深さを深くしてゆき、これにより、内坩堝（５）内の溶融液の液量が一定範囲に維持されるように、外坩堝内（４）に収容された溶融液（７）を内坩堝（５）内に補給する。 （もっと読む）

【課題】分極制御特性や非線形光学特性および電気光学特性に優れた光学用途のニオブ酸リチウム単結晶と、その単結晶を用いた光素子、およびニオブ酸リチウム単結晶を安定に成長させる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率が０．５６〜０．６０である、Ｌｉが定比組成よりも過剰な組成の融液から育成されたニオブ酸リチウム単結晶であって、融液は、Ｍｇ元素を含み、ニオブ酸リチウム単結晶は、Ｍｇ元素をニオブ酸リチウム単結晶に対して０．１〜３．０ｍｏｌ％含み、ニオブ酸リチウム単結晶におけるＬｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率は、０．４９０以上０．５００未満の間にあり、室温で分極反転するために必要な印加電圧が３．７ｋＶ／ｍｍ未満であり、ニオブ酸リチウム単結晶は、分極反転構造を利用した光素子用である。 （もっと読む）

【課題】 光リソグラフィー技術における光学材料等として用いることのできる物性を有する、フッ化カルシウムなどのフッ化金属大型単結晶の製造を、結晶引上げ中の結晶切れや気泡の混入を抑制して安定的に製造する。
【解決手段】 坩堝内のフッ化金属の溶融液に種結晶を接触させて単結晶体を引上げる結晶引上げ装置において、該坩堝が、外坩堝（４）と、該外坩堝内に収納されてなる内坩堝（５）とからなる二重構造坩堝であり、該二重構造坩堝における外坩堝内面と内坩堝外面とにより形成される間隙空間の開口部(20)には、開口部遮蔽部材(21)が設けられた単結晶体引上げ装置。間隙空間(20)からのフッ化金属の揮発を抑制できるため、該揮発に伴う溶融液の温度変化や、揮発成分が炉内の低温部分に接触して固化後、再度溶融液中に落下することに伴うトラブルを大幅に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 次世代光リソグラフィー技術用の光学材料として有用である、ＶＵＶ透過率が良好なフッ化金属単結晶を容易かつ安定的に製造する
【解決手段】 フッ化金属単結晶を結晶引上げ法（チョクラルスキー法）などの融液成長法で製造するに際し、単結晶成長炉にフッ化金属原料を投入する前に、用いる炉の内部を、電気陰性度が対象となるフッ化金属を構成する金属元素よりも大きくかつ酸素よりも小さい元素のフッ化物であって、水と反応し得るフッ化物の存在下に加熱する工程を設ける。例えば、フッ化カルシウムの単結晶を製造する場合、Ｃａの電気陰性度が１．０、酸素の電気陰性度は３．５であるから、電気陰性度が１．６の亜鉛、１．８の鉛、２．５の炭素などのフッ化物の存在下に炉を加熱する。該加熱による生成物は減圧排気などで系外へ排出することが好ましい。その後、フッ化カルシウム原料を炉内に投入し単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 その有する歪み等を除去するために、高温状態からゆっくりと冷却した場合でも微細ボイドの発生が少なく、よって、光リソグラフィー用などの光学材料としての物性に優れたフッ化金属単結晶を効率的に得る。
【解決手段】 原料フッ化金属の溶融液面に種結晶を接触させ引き上げることによりフッ化金属の単結晶体を成長させるフッ化金属単結晶体の製造方法を、該成長を、成長炉内の圧力が０．５〜７０ｋＰａ、好ましくは５〜５０ｋＰａの圧力となる減圧下、より好ましくは１０〜３０ｋＰａの圧力となる減圧下に行う。結晶成長中は、成長炉を外部と遮断して気密化することにより該圧力を維持するとよい。 （もっと読む）

【課題】フッ化金属単結晶体の口径にかかわらず、単結晶体内部に存在する散乱体の数が極めて少ないフッ化金属単結晶体を製造することが容易な引上げ装置、および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ化金属単結晶育成炉を形成するチャンバー内に、外坩堝と該外坩堝内に収納されてなる内坩堝とからなる二重構造坩堝が設けられてなり、該二重構造坩堝における外坩堝と内坩堝の両内空部は一部連通しており、さらに、該二重構造坩堝は外坩堝に対する内坩堝の収納深さを連続的に変化させることが可能な構造の引上げ装置において、該単結晶体の育成に伴う内坩堝内の原料溶融液の減少に応じて、外坩堝に対する内坩堝の収納深さを深くしていき、引上げの開始当初から終了までを、内坩堝内の原料溶融液の液量を一定範囲の浅い状態に維持して引上げをおこなう。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で坩堝内の融液面の波立ちを効果的に抑制できる結晶成長装置提供すること。
【解決手段】結晶成長装置は、半導体材料を収容する第１坩堝と、第１坩堝を収容する第２坩堝と、第２坩堝の外周に配設された加熱部とを備え、第１および第２坩堝はそれぞれ底壁と側壁を有し、第１坩堝の側壁と第２坩堝の側壁との間には所定の間隔が空けられ、第１坩堝内の溶融した半導体材料の液面に波が発生した際に、溶融した半導体材料が第１坩堝の側壁から溢れ第１坩堝の側壁と第２坩堝の側壁との間で波のエネルギーが減衰されることにより、第１坩堝内の溶融した半導体材料の液面の波立ちが抑制されるよう構成されてなる。 （もっと読む）