【課題】ＬＥＤ用の基板として用いられるＳｉ添加ＧａＰ単結晶をＬＥＣ法により製造するに際して、得られる単結晶の結晶成長軸方向におけるキャリア濃度の変化を低減させる。
【解決手段】Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶を製造する方法において、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の引き上げ速度を、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の固化率が０．１５〜０．３の範囲で切り換えると共に、切換前の平均引き上げ速度が、５ｍｍ／ｈｒ〜１２ｍｍ／ｈｒの範囲となり、かつ、切換後の平均引き上げ速度が、前記切換前の平均引き上げ速度に対して０．２〜０．９の範囲となるように、前記引き上げ速度を制御する。好ましくは、Ｂ₂Ｏ₃の水分量を２００ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件を、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積がシリコンウェーハの面積の１％以上５％以下となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法によりシリコン単結晶を引上げる際に、ギャップの制御とともにシリコン単結晶の育成速度をより高精度に制御し得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボの内径データＲ₁と熱遮蔽板２３の下端とシリコン融液１３の液面との間のギャップの所定値を入力する。単位時間当りで引上げた単結晶１５の体積を算出し、石英ルツボの内径データＲ₁と単位時間当りで引上げた単結晶１５の体積に相当するシリコン融液１３の減少量ΔＭｗから石英ルツボの上昇量ΔＣを算出する。石英ルツボ１２を上昇させた後のギャップを測定しギャップの所定値と比較し、ギャップの所定値と一致しないとき石英ルツボ１２の上昇量を補正する。この補正量から石英ルツボの内径データＲ₂を算出する。石英ルツボの内径データＲ₁を算出した内径データＲ₂を考慮して補正し、補正した石英ルツボの内径データに基づいて単結晶１５を引上げる。 （もっと読む）

【課題】停電時や機械故障発生時などの異常発生時でも、ワイヤーロープの素線切れや破断の発生を防止しつつ、育成した結晶の回転を安全に停止することができる単結晶製造装置および単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】第１の動力源の回転出力を利用して、先端に種結晶１７を有するワイヤーロープ１９を回転させるための第１の回転手段と、ワイヤーロープ１９の回転を減速して停止させるための第１の回転停止手段と、ワイヤーロープ１９の回転時に異常の発生を検出する異常発生検出手段と、第２の動力源の回転出力を利用してワイヤーロープ１９を回転させるための第２の回転手段と、ワイヤーロープ１９の回転を減速して停止させるための第２の回転停止手段と、異常を検出したとき、ワイヤーロープ１９を回転させるために利用する回転出力を、第１の動力源の回転出力から第２の動力源の回転出力へと切り替える切替手段とを備える単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成で直径制御を行う際に、育成中の単結晶の直径を正確に計測することができる単結晶直径の制御方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法（ＣＺ法）により原料融液６から単結晶９を引き上げ育成する際に、単結晶９と原料融液６との境界部を光学センサ１１で撮像するとともに、単結晶９の重量を重量センサ１２で測定し、光学センサ１１で取得した画像データから導出される単結晶直径の第１計測値と、重量センサ１２で取得した重量データから導出される単結晶直径の第２計測値と、に基づいて単結晶９の直径値を演算し、演算した直径値に基づき単結晶９の引き上げ速度および原料融液の温度を調整して、単結晶の直径制御を行う。 （もっと読む）

【課題】全面ＯＳＦ領域のサブストレートが容易に製造でき、かつ１０μｍ以上のＤＺ層を持つアニールウェハが安定的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶を引上げる炉内の圧力を４０〜２５０ｍｂａｒにして、前記炉内の雰囲気中に水素を体積比で１％〜３．８％導入する工程と、前記シリコン単結晶内にＶ領域とＩ領域を含まないように前記シリコン単結晶を引上げる炉内に窒素を添加し、かつ結晶引上速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）と結晶成長軸方向の平均温度勾配（℃／ｍｍ）との比であるＶ／Ｇを制御して、かつ前記シリコン単結晶の中心の結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇ_Ｃと外周部Ｇ_Ｅとの比率Ｇ_Ｅ／Ｇ_Ｃが１．４以上であるようなシリコン単結晶を作成する工程と、当該シリコン単結晶から切り出したシリコンサブストレートを非酸化性雰囲気下で１１５０〜１２５０℃、１０分以上２時間以下の条件で熱処理する工程と、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を成長させる際に、サファイア単結晶の尾部における凸状部の形成をより抑制する。
【解決手段】るつぼ中の酸化アルミニウムを溶融させてアルミナ融液を得る溶融工程と、アルミナ融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、種結晶の下方に肩部を形成する肩部形成工程と、融液からサファイア単結晶を引き上げて直胴部を形成する直胴部形成工程と、酸素と不活性ガスとを含み、酸素の濃度が１．０体積％以上且つ５．０体積％以下に設定された混合ガスを供給するとともに、融液からサファイア単結晶を引き離して尾部を形成する尾部形成工程とを実行する。 （もっと読む）

ｒ平面単結晶サファイアを生産するための方法および装置が開示される。この方法および装置はリネージの不在を示す単結晶材料の生産のための縁端限定膜供給成長技術を使用し得る。
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【課題】Ｃｅ：ＧＧＡＧやＮｄ：ＹＡＧなど、発光元素を添加したガーネット型酸化物単結晶の育成において、生産効率を低下させることなく、Ｃｅリッチ相やＮｄリッチ相などの異相析出を防止できる方法を提供する。
【解決手段】単結晶引上げ中における坩堝４に収納された原料融液２の液面降下速度と単結晶１の引上げ速度との和が引上げ中において常に一定となるように単結晶１を引上る。原料融液２の液面の高さの計測、または、単結晶１の重量の計測を行い、その変化に基づいて原料融液の降下速度を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの製造にあたり、凝集した空格子点欠陥を除去しなければならないという必要性ひいてはそれに付随する困難を回避し、それにもかかわらずこのような欠陥タイプの現存が、以降のプロセスステップで半導体ウェハを後続処理して形成される電子コンポーネントの機能に対しリスクとはならないようにする。
【解決手段】シリコンから成る単結晶をチョクラルスキー法により引き出し、処理を施して半導体ウェハを形成する。単結晶引き上げ中、引き上げ速度Ｖと成長フロントにおける軸線方向温度勾配Ｇとの比Ｖ／Ｇを、臨界サイズを超えた大きさの凝集した空格子欠陥が単結晶中に生成されるようコントロールする。電子コンポーネント製造中、それに関連する半導体ウェハ領域内の凝集した空格子点欠陥を、その領域内のサイズが臨界サイズを超えないよう収縮させる。 （もっと読む）

【課題】
A₂B₆型、A₂B₅型等の種々の化学組成や、またサファイア等の耐熱性酸化物などに対し、汎用性の高い単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】
以下の方法で、高性能、かつ仕上がり構造が改良された結晶が得られる。その方法は、結晶化熱の除去を制御し、出発材料を溶融し、種結晶に溶融物を結晶化することで単結晶を引き上げる工程から成る。その方法で、独立の熱源が、２つの同サイズで同軸に配置された熱帯域を構成する。出発材料の溶融のため上部ヒーターに、溶融物を得るための電力の３０〜５０％を供給し、種結晶の安定した固相状態を確保する最大温度に達するまで上部帯域を加熱する。それから、残りの電力を、下部ヒーターに供給する。単結晶の拡大と成長は、上部加熱域において制御された温度低下と、一定に保たれている下部加熱域に供給された電力量で行われる。 （もっと読む）

融液から単結晶半導体を引上げ成長させる過程で、単結晶半導体に不純物が、より均一に取り込まれるようにすることで、半導体ウェーハの面内での不純物濃度ムラを小さくさせ、もってウェーハの平坦度を向上させることを目的とする単結晶半導体の製造方法であり、単結晶半導体（６）を引き上げる過程で、引上げ速度の変動を抑制することにより、単結晶半導体（６）内の不純物の濃度ムラを小さくする。特に、引上げ速度の１０秒間の速度変動幅（ΔＶ）を０．０２５ｍｍ/ｍｉｎ未満に調整する。更には、単結晶半導体（６）の直径が所望の直径となるように引上げ速度を調整する制御を行うに際して、融液（５）に１５００ガウス以上の強度の磁場を印加する。 （もっと読む）