【課題】β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶２０の引き上げ方向に対するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第１ステップと、第１ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶２０の引き上げ速度を制御して、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶を成長させる第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】従来の粒状多結晶シリコンは、用途によっては、粒状物を再装填するのに用いられる工程に関わりなく、純度が低すぎる。
【解決手段】本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 （もっと読む）

ｒ平面単結晶サファイアを生産するための方法および装置が開示される。この方法および装置はリネージの不在を示す単結晶材料の生産のための縁端限定膜供給成長技術を使用し得る。
（もっと読む）

【課題】結晶欠陥がなく、高品質かつ大型の板状であり、半導体レーザ励起固体レーザ用途等に好適な希土類バナデイト単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】縁部限定薄膜供給結晶成長法（ＥＦＧ法）による希土類バナデイト単結晶の製造方法において、方位［１１０］の種結晶４を用いて、［１１０］方位に結晶を育成することにより、結晶幅が緩やかに広がった肩部６を有する板状の希土類添加希土類バナデイト単結晶を作製する。 （もっと読む）

【課題】育成された光学的二軸性単結晶の加工が煩雑でなく、育成された光学的二軸性単結晶のうち実際に素子に使用できる割合が高い光学的二軸性単結晶の育成方法及びこの方法を用いて製造された光学的二軸性単結晶を提供する。
【解決手段】加熱溶融した原料融液に種結晶２０を付けて単結晶２１を薄板状に成長させるＥＦＧ法を用いた光学的二軸性単結晶２１の育成方法において、加熱溶融した原料融液の液だまりを形成する短冊形ダイの長手方向の稜線Ｄと種結晶２０の光軸Ｌ₂₀とのなす角度θ２を８５度以上かつ９５度以下の範囲になし、かつ種結晶２０の光軸Ｌ₂₀と種結晶２０を引上げる引上げ軸方向Ｚとのなす角θ１を８５度以上かつ９５度以下の範囲になして、単結晶２１を薄板状に成長させる。 （もっと読む）