【課題】所望のサイズや形状の熱電変換材料を安定して得ることができる熱電変換材料製造装置及び熱電変換材料製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換材料の溶融された原料である溶融原料を収納する原料収納部と、前記原料収納部から流入した溶融原料を冷却して凝固させる凝固部と、原料収納部に収納された溶融原料を加圧しながら凝固部に流入させる加圧構造と、を含む。 （もっと読む）

【課題】育成容器内で窒化物単結晶を育成するのに際して、単結晶成長に直接必要な時間以外の時間を削減し、単結晶を効率よく育成する単結晶育成装置を提供することである。
【解決手段】窒化物単結晶育成装置は、予熱ゾーン３、結晶育成ゾーン４および冷却ゾーン５を備えている主部、予熱ゾーン３の上流側に設けられた第一の圧力調整室２Ａ、予熱ゾーンと第一の圧力調整室との間に設けられた第一の耐圧仕切り弁９Ａ、冷却ゾーン５の下流側に設けられた第二の圧力調整室２Ｂ、冷却ゾーンと第二の圧力調整室との間に設けられた第二の耐圧仕切り弁９Ｂ、主部内を加熱するマルチゾーンヒーター、および第一の圧力調整室から主部を通って第二の圧力調整室まで育成容器を移送する移送機構を備えている。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】原料メルト内の温度を均一にして対流の発生を防止でき、これにより、ウェハ面内の膜厚を均一に成長できるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料メルト２を収容する溶液溜め３を有する原料ホルダー４と、基板５を収容する基板ホルダー部６を有すると共に、基板５を溶液溜め３の底部に位置させるように、原料ホルダー４に対して相対的にスライド自在なスライダー７と、を備えたグラファイト製のグラファイト治具１を用いて、基板５上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、溶液溜め３内の中央部に、溶液溜め３内の原料メルト２に浸るように対流防止部材８を設け、溶液溜め３内の原料メルト２の対流を防止し、原料メルト２内の温度を均一にして、ウェハ面内の膜厚を均一に成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】輝度低下要因の一つである不要な不純物の混入を低減させ、高輝度な発光素子が得られるエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、半導体層を液相エピタキシャル法により順次形成するエピタキシャルウエハの製造方法において、基板２を収納するための成長治具３と原料溶液Ｌを収納するための溶液フォルダ５との互いに接触する面３ｕ，５ｄを、予め鏡面研磨加工しておく方法である。 （もっと読む）

【課題】原料溶液中の酸化物を減少して、作製されるエピタキシャルウェハの上記酸化物起因の欠陥を低減させること。
【解決手段】溶液ホルダ１２と基板ホルダ１３とを備えた成長治具１１の上記溶液ホルダ１２には、原料溶液１９Ａ、１９Ｂを収容する溶液溜１５Ａ、１５Ｂが設けられ、上記基板ホルダ１３には、上記溶液溜１５Ａ、１５Ｂ内の原料溶液１９Ａ、１９Ｂに接触可能に基板１６を載置する基板載置部１７が設けられ、上記溶液ホルダ１２と上記基板ホルダ１３をスライドさせて上記原料溶液を上記基板１６に接触させることにより、当該基板１６にエピタキシャル層を成長させる液相成長装置１０であって、上記溶液溜１５Ａ、１５Ｂの内壁面２０の表面粗さが、Ｒａ＝１．０〜３．０μｍに設定されて構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】原料融液溜と融液中心部側との熱交換を促進する。
【解決手段】 原料融液溜８（９，１０）にエピタキシャル成長原料を投入してこの原料融液溜８（９，１０）の加熱により溶融した後、原料融液溜８（９，１０）の融液に基板７の成長面を接触させてエピタキシャル成長させるようにしたエピタキシャルウエハの製造方法において、前記原料融液溜８（９，１０）の融液に接する表面を原料融液溜の中心部側に拡大して、融液中心部側と前記原料融液溜との熱交換を促進する。 （もっと読む）

【課題】 基板を水平面内で回転させることにより、液相エピタキシャル成長におけるウェハ面内の特性の均一性を向上させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 円形基板４を水平面内で回転しながら、上方のメルト部５に貯留されている原料融液６又は上方から供給される原料融液に接触させることにより、目的とするＡｌＧａＡｓ層、ＧａＰ層、ＧａＡｓＰ層などの化合物半導体層を液相で成長する。 （もっと読む）

【課題】 冷却過程において原料溶液を撹拌する機構を備えることによって原料溶液の温度を均質化し、これにより、大面積の基板上でも、その上に成長されるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにした液相成長装置を提供することにある。
【解決手段】 基板ホルダ１を有するスライダー２と、原料溶液溜を形成する原料溶液ホルダ３を有する原料溶液ホルダ保持体１１とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、所定の温度から冷却しながら原料溶液６又は７に基板５を接触させて、基板５上に半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長装置において、上記原料溶液ホルダ３に、原料溶液を基板５に接触させた後の冷却過程において原料溶液６、７を撹拌する羽根９を原料溶液溜中に有する撹拌機構１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 ガリウム砒素からなる基板の裏面からの砒素が抜けることを防止して、不良発生率の少ない発光ダイオードを製造することができる液相成長装置を提供すること。
【解決手段】 ガリウム砒素からなる基板を収容するための基板収納載置凹部１６を設けたスライダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、原料溶液に基板１を接触させて基板１上に化合物半導体からなる半導体層を成長する液相成長装置において、上記スライダ１２の基板収納載置凹部１６の底面に、基板１の底面を下方から部分的に支持する基板ホルダ部１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成長させるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにする。
【解決手段】 液相エピタキシャル成長装置は、基板ホルダとしてのスライダー２と溶液ホルダ８とを備え、スライダー２と溶液ホルダ８とを相対移動させて、スライダー２の基板載置部１に載置されるＧａＡｓ基板５の真上に、溶液ホルダ８の溶液溜３を位置させ、溶液溜３に収容した成長溶液６、７をＧａＡｓ基板５と接触させ、ＧａＡｓ基板５上にエピタキシャル層を成長させる。上記溶液溜３は、その溶液溜３の天井の高さが、ＧａＡｓ基板５の真上に溶液溜３を位置させたときに、ＧａＡｓ基板５の周辺の真上に位置する部分の高さをａとし、ＧａＡｓ基板５の中心の真上に位置する部分の高さをｂとしたとき、
１．５ａ≦ｂ≦３ａ
の関係式を満たすように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 昇温時のＺｎドーパントのＺｎ拡散を防止し、安定したＺｎドーパントを供給すること及びｎ型層への飛入を防止することで、従来よりも少ないＺｎチャージ量で結晶性のよい発光ダイオードを製造することを可能にする。
【解決手段】 成長用基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、上記原料溶液溜１５の一つに仕切板２０、３０を挿入して原料溶液を上下三層に区切り、この仕切板２０、３０を引き抜くことで、各室の原料溶液を下層に落としてエピタキシャル成長に使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体物質を溶解させた溶液中に発生する再結晶化物などの固形物を成長室に流入するのを防止して、異常成長を防止する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置は、基板４を格納して基板４に液相エピタキシャル成長させる成長室２と、半導体物質を溶解させた溶液６を格納する溶液室３と、溶液室３から成長室２に溶液６が流れる経路と、溶液６を溶液室３から前記経路を通して成長室２に送り込む溶液送り手段７、８とを有する成長ボート１を備える。さらに、溶液室３内に溶液６中に発生する結晶化した固形物が溶液６とともに越流部１３に流れ出るのを防ぐ仕切り板９を越流部１３に近接して設けている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板裏面からのＡｓ抜けを防止して特性不良の少ない発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長方法において、所定の温度から冷却しながら成長用原料溶液にＧａＡｓ基板１を接触させて基板上にエピタキシャル層を成長するに際し、前記ＧａＡｓ基板１の裏面に予めＳｉＯ₂膜５を設けておき、成長中におけるＧａＡｓ基板１の裏面からのＡｓ抜けを防止する。 （もっと読む）