【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶の基板からの剥離の成功率を高め、クラックの発生を抑制することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶の複数の帯状の種結晶膜３を形成し、この際基板に非育成面１ｂを形成する。複数の種結晶膜３上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。複数の種結晶膜３が互いに非育成面１ｂによって分けられており、複数の種結晶膜３が、それぞれ、一方の端部３ａ、他方の端部３ｂおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部３ｃを備えている。種結晶膜３の一方の端部３ａの幅Ｗａが他方の端部３ｂの幅Ｗｂよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶を得ると共に、その基板からの自然剥離を促進することで、クラックを更に低減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物からなるバッファ層２およびこのバッファ層２上に形成されたＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜３を備える複数の育成部９とを備えており、隣り合う複数の育成部９の間に基板１の表面１ｂが露出している育成用部材７を使用する。育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法において、簡便な方法によりテンプレート基板のサファイア基板を分離すること。
【解決手段】ＧａとＮａの混合融液中にサファイア基板１００とＧａＮ層１０１とからなるテンプレート基板１０２を置き、混合融液の温度を８５０℃、窒素の圧力を２．５ＭＰａとして、ＧａＮ層１０１の一部をサファイア基板１００が露出するまでメルトバックし、ＧａＮ層１０１を複数の立設した柱状に残した。次に、圧力を３ＭＰａに加圧し、ＧａＮ層１０１上にＧａＮ層１０３を結晶成長させた。次に、降温によってサファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差による応力を生じさせ、ＧａＮ層１０１にクラックを発生させた。これにより、ＧａＮ層１０３とサファイア基板１００とを分離させた。 （もっと読む）

【課題】フラックス法によりＧａＮ基板を得る際に種結晶との界面の応力を低減する。
【解決手段】サファイアから成る異種基板１を用いてＨＶＰＥ法により、種結晶となるＧａＮ自立基板２１を作製する。この際、窒化ガリウム層２の表面２ｆが、サファイア基板の主面と平行となる部分が少なくなるようにＨＶＰＥ条件を設定して窒化ガリウム層２を厚膜に形成し、異種基板１を分離する（１．Ａ〜１．Ｄ）。表面２１ｓはｃ面に平行ではないが、種結晶となるＧａＮ自立基板２１は実質的にｃ面に平行な板状である。ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。ＧａＮ自立基板２１を研磨により除去した。フラックス法により結晶成長した窒化ガリウム単結晶基板３１には、クラックがほとんど生じていなかった（１．Ｆ）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア基板の厚みに関係なく、ＧａＮ結晶のクラックを抑制し、結晶品質を向上させることができるテンプレートの提供を目的とするものである。
【解決手段】板状の結晶基板２２と、前記結晶基板２２の表面に格子定数または熱膨張係数の異なる結晶薄膜２３と、を備え、前記結晶薄膜２３に前記結晶基板２２を露出させる第１の溝２４を設け、前記露出した前記結晶基板の第２の溝２５を設けることで、所期の目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造１２を有するエピタキシャルウエハ１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板１１を準備する。基板１１上に第１導電型の第１の層を形成する。第１の層にメサ構造を形成する。第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ１０を製造する。エピタキシャルウエハ１０上に、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】溶液法により、転位密度の低い炭化硅素単結晶を製造する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１と加熱装置２は断熱材３で覆われている。原料のシリコンを黒鉛るつぼ１に充填し、加熱して溶融する。黒鉛るつぼ１から供給された炭素はシリコン溶融液６に溶解する。引き上げ棒４を下げて先端の種結晶５を、炭素が溶解した溶液６の表面に接触し、次いでこの棒４を徐々に引き上げながら種結晶５表面に炭化硅素単結晶を析出させ、成長させる。種結晶５として、表面粗さＲｍｓを０．９nm以下に研磨処理した炭化硅素単結晶を用いる。これにより、炭化硅素単結晶成長層の転位の起点となる、種結晶５表面の凹凸が極めて小さくなり、成長層の転位の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶Ａ’によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）