【課題】固着、熱歪、転位の発生を抑制して、高品質で均一な単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】カーボン原料または単結晶炭化珪素基板の片面にシリコン薄膜を形成する工程、カーボン原料と単結晶炭化珪素基板との間にシリコン薄膜が配置されて所定の式を満たすように、坩堝内に下からシリコン基板、支持台、単結晶炭化珪素基板を積層して配置すると共に、坩堝蓋側からカーボン原料支持台、カーボン原料を接合して配置する工程、坩堝蓋をかぶせた坩堝をシリコンの融点温度以上に加熱してシリコン基板およびシリコン薄膜を融解させると共に坩堝蓋を坩堝の内壁高さまで下降させる工程、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の成長温度以上に加熱してシリコン融液の表面張力により懸垂保持された単結晶炭化珪素基板上に単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成させる工程を備えている単結晶炭化珪素基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察され、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１未満である。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、Ｔ０ピーク及びＬ０ピーク以外のピークが観察される。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Åより大きい。 （もっと読む）

【課題】安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１以上である。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストの低減が可能な単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長用のシード材とフィード材のユニットを提供する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれの表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。フィード材１１の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、シード材１２の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察される。表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が８０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶の基板からの剥離の成功率を高め、クラックの発生を抑制することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶の複数の帯状の種結晶膜３を形成し、この際基板に非育成面１ｂを形成する。複数の種結晶膜３上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。複数の種結晶膜３が互いに非育成面１ｂによって分けられており、複数の種結晶膜３が、それぞれ、一方の端部３ａ、他方の端部３ｂおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部３ｃを備えている。種結晶膜３の一方の端部３ａの幅Ｗａが他方の端部３ｂの幅Ｗｂよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】表面加工を施したテンプレート基板を種基板に用い、フラックス法で結晶成長を実施するに際して、クラックのない窒化物結晶を再現性よく高い歩留まりで得る方法を提供することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶からなる種結晶膜を成膜し、この際基板に種結晶膜によって被覆されていない非育成面１ｂを形成する。種結晶膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。基板１が、基板の外縁に沿って全周にわたって設けられた外縁部１３と、外縁部１３の内側に設けられた中央部１２とを含む。中央部の全体にわたって種結晶膜からなる複数の帯状部１９が配列されており、外縁部の全周にわたって種結晶膜からなる複数の分離部２５が配列されている。外縁部１３の種結晶面積比率が中央部１２の種結晶面積比率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶を得ると共に、その基板からの自然剥離を促進することで、クラックを更に低減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物からなるバッファ層２およびこのバッファ層２上に形成されたＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜３を備える複数の育成部９とを備えており、隣り合う複数の育成部９の間に基板１の表面１ｂが露出している育成用部材７を使用する。育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 （もっと読む）

【課題】 常圧窒素環境下で新規の薄膜成長技術を確立し、該技術に基づいて高純度な窒化アルミニウム材料を製造する新規の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム製造方法は、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウムおよびアルミニウムから成る原料混合物を、第１図（a）に示す窒化リチウムおよびアルミニウムに関する二元系状態図における斜線領域内の組成および温度で少なくとも２時間保持する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法において、簡便な方法によりテンプレート基板のサファイア基板を分離すること。
【解決手段】ＧａとＮａの混合融液中にサファイア基板１００とＧａＮ層１０１とからなるテンプレート基板１０２を置き、混合融液の温度を８５０℃、窒素の圧力を２．５ＭＰａとして、ＧａＮ層１０１の一部をサファイア基板１００が露出するまでメルトバックし、ＧａＮ層１０１を複数の立設した柱状に残した。次に、圧力を３ＭＰａに加圧し、ＧａＮ層１０１上にＧａＮ層１０３を結晶成長させた。次に、降温によってサファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差による応力を生じさせ、ＧａＮ層１０１にクラックを発生させた。これにより、ＧａＮ層１０３とサファイア基板１００とを分離させた。 （もっと読む）

【課題】フラックス法によりＧａＮ基板を得る際に種結晶との界面の応力を低減する。
【解決手段】サファイアから成る異種基板１を用いてＨＶＰＥ法により、種結晶となるＧａＮ自立基板２１を作製する。この際、窒化ガリウム層２の表面２ｆが、サファイア基板の主面と平行となる部分が少なくなるようにＨＶＰＥ条件を設定して窒化ガリウム層２を厚膜に形成し、異種基板１を分離する（１．Ａ〜１．Ｄ）。表面２１ｓはｃ面に平行ではないが、種結晶となるＧａＮ自立基板２１は実質的にｃ面に平行な板状である。ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。ＧａＮ自立基板２１を研磨により除去した。フラックス法により結晶成長した窒化ガリウム単結晶基板３１には、クラックがほとんど生じていなかった（１．Ｆ）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア基板の厚みに関係なく、ＧａＮ結晶のクラックを抑制し、結晶品質を向上させることができるテンプレートの提供を目的とするものである。
【解決手段】板状の結晶基板２２と、前記結晶基板２２の表面に格子定数または熱膨張係数の異なる結晶薄膜２３と、を備え、前記結晶薄膜２３に前記結晶基板２２を露出させる第１の溝２４を設け、前記露出した前記結晶基板の第２の溝２５を設けることで、所期の目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りの改善したテンプレートを得ることと共に、テンプレート上に成長させた結晶のクラックを抑制し、結晶の品質を向上することを目的とするものである。
【解決手段】テンプレート１の基板の上面にマスク材を設ける第1の工程と、前記基板の上面に結晶薄膜を成長させる第２の工程と、によりテンプレートを製造する。結晶薄膜は、マスク材の上には成長しないため、基板に溝を形成せずに結晶薄膜を分割することができ、反りの改善したテンプレートを得ることができる。さらに、このテンプレート上に、厚膜のＧａＮ結晶を育成させた場合、テンプレートの基板に溝を有していないため、基板にＧａＮ結晶が嵌合されるように形成されないため、テンプレート上に成長させたＧａＮ結晶のクラックを抑制することができ、ＧａＮ結晶の品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】核発生防止および高品質無極性面の成長の少なくとも一方を実現可能なＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともアルカリ金属とガリウムとを含む融液中において、ＧａＮ結晶を製造する方法であって、融液中の炭素の含有量を調整する調整工程と、ガリウムと窒素とが反応する反応工程とを包含する。アルカリ金属としては、Ｎａを用いる。この製造方法により、核発生を防止し、無極性面を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造１２を有するエピタキシャルウエハ１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板１１を準備する。基板１１上に第１導電型の第１の層を形成する。第１の層にメサ構造を形成する。第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ１０を製造する。エピタキシャルウエハ１０上に、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。ここで、下地基板１０上に、第１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２１としてＡｌＮ結晶、第２層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２２としてＡｌ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０＜ｘ２＜１）結晶、第３層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２３としてＧａＮ結晶を順次成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】成長速度が高く、安価で結晶性に優れたＧａＮ単結晶等の窒化物単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ボロンから成る容器２に、窒素源であるＮａ3Ｎ粉末のほか、ナトリウム、ガリウムの混合物、さらに、ＮａＦ粉末を収容し、圧力容器５内に雰囲気ガス６として窒素ガスを供給し、圧力を４ＭＰａとしたあと、ヒーター１に通電することにより、容器２内の原料を７８０℃の温度になるまで昇温し、原料融液３を形成した。つづいて、ＧａＮ単結晶から成る円板状の種結晶４を、液面を封止材７で覆った原料融液３中に浸漬して、種結晶４上にＧａＮ単結晶体９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】各種単結晶基板上で表面モフォロジーに優れかつ単相の高品質なＫＮｂＯ_３単結晶薄膜を製造する方法と、この方法で得られた薄膜を備えることによって、ｋ^２（電気機械結合係数）が高く広帯域化、小型化、及び省電力化に優れる表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。
【解決手段】所定の酸素分圧におけるＫＮｂＯ_３と３Ｋ_２Ｏ・Ｎｂ_２Ｏ_５との共晶点Ｅにおける温度及びモル組成比をＴ_Ｅ、ｘ_Ｅとするとき（ｘは、Ｋ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙで表現されるときのカリウム（Ｋ）とニオブ（Ｎｂ）とのモル比）、０．５≦ｘ≦ｘ_Ｅの範囲となるＫ、Ｎｂ、Ｏからなるプラズマプルームを基板１１に供給する。そして、この状態における完全溶融温度をＴ_ｍとし、基板１１の温度Ｔ_ｓをＴ_Ｅ≦Ｔ_ｓ≦Ｔ_ｍの範囲に保持して基板１１上に堆積したＫ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙからＫＮｂＯ_３単結晶１２を析出させ、残った液相部２７を蒸発させる。 （もっと読む）