【課題】エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板、半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。これにより、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 （もっと読む）

【課題】１×１０^-4Ωｃｍ未満の抵抗率を有する低抵抗ＩＴＯ薄膜とその製造方法等を提供する。
【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ−原子層積層法、及びＭＢＥ（分子線エピタキシー）法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法であって、
結晶性基板の最表面の結晶性配列が、Ｉｎ₂Ｏ₃の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に形成する薄膜に混入する還元作用を有するガスの量を抑制するとともに、基板の表面または基板の表面に形成する薄膜に与える損傷を抑制して基板の表面に結晶性の高い薄膜を形成することができる分子線エピタキシャル成長装置および分子線エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 成長室１３の収容空間１２には、ウエハ１８を保持するマニピュレータ２１、分子線を発生する分子線源２２および液体窒素によって冷却されるシュラウド２３が設けられる。収容空間１２には、ウエハ１８が直接見込めない位置から、分子状態の水素ガスが導入される。収容空間１２に導入された水素ガスの分子は、シュラウド２３の表面に衝突しながら拡散する。収容空間１２に拡散された水素ガスを含む雰囲気において、分子線エピタキシャル成長を行い、ウエハ１８の表面に高品質な薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低密度の結晶欠陥と高品質の結晶性を有する窒化ガリウム系半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

Ｇｅリッチな含有率（Ｇｅ＞５０原子％）および正確な化学量論的ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅ_２、ＳｉＧｅ_３およびＳｉＧｅ_４を有するＳｉ−Ｇｅ材料をＳｉ（１００）上に成長させる方法が提供される。化合物（Ｈ_３Ｇｅ）_ｘＳｉＨ_４−ｘ（ｘ＝１〜４）の群から得られる直接Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する新たな水素化物を用いて、約３００〜４５０℃という前例のない低温で、欠陥密度の低い均一でリレーされた（relayed）高度に平面状の膜を成長させることで、厚い組成勾配のある緩衝層およびリフトオフ法を用いる必要が全くなくなる。約５００〜７００℃では、ＳｉＧｅ_ｘ量子ドットが、狭い径分布、無欠陥微細構造および原子レベルで高度に均質な元素含有率にて成長する。その方法は、気体前駆体の全Ｓｉ／Ｇｅ骨格の膜への組み込みを介して、形態、組成、構造および歪みの正確な制御を提供するものである。成長した材料は、高周波数電子および光学システム、ならびに高移動度ＳｉおよびＧｅチャネルに基づく商業的デバイスの開発のための鋳型および緩衝層での利用に必要な形態的および微細構造的特徴を有している。
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