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Fターム[4G146MA01]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 炭化物、炭素・硫黄含有化合物−種類 (374) | 炭素及び硫黄を含有するもの (4)

Fターム[4G146MA01]の下位に属するFターム

二硫化炭素(CS2)
炭素オキシ硫化物
チオフォスゲン(CSCl2)

Fターム[4G146MA01]に分類される特許

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【課題】有機系反射防止膜のプラズマによる高異方性および高選択性エッチング用のエッチングガスとして注目される重要な化合物である硫化カルボニルを効率よく簡便にかつ安価に製造する方法を提供すること。
【解決手段】有機溶媒中、塩基性有機化合物を触媒として用いて、一酸化炭素と硫黄とを反応することにより、硫化カルボニルを製造する。塩基性有機化合物として、アミジン塩基、フォスファゼン塩基、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン(TBD)、7−メチル−1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン(MTBD)、アルキル基もしくはアラルキル基で置換された4級アンモニウムハイドロオキサイド、脂肪族環状2級アミンまたは脂肪族2級アミンを用いる。 (もっと読む)


炭素及び硫黄を有する電極材料が提供される。炭素は、ナノ多孔性を有する多孔質マトリックス状であり、硫黄は、炭素のマトリックスのナノ多孔性内に吸着されている。炭素マトリックスが、10〜99%のナノ多孔性の体積を有することができる。さらに、硫黄が、ナノ多孔性の少なくとも5%〜99%を占めることができる。硫黄で部分的にのみ充填された炭素構造の一部が、電解質の放出を可能とする空隙を保持する。いくつかの例において、ナノ多孔性が、1ナノメートル〜999ナノメートルの平均直径を有するナノ細孔及びナノチャネルを有する。電子導電性の炭素構造と電気活性な硫黄との間の密接な接触を有する材料を提供する液体輸送または他のメカニズムを用いて、硫黄がナノ多孔性内に吸着される。
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【課題】反応系に硫黄粉末を存在させることにより、自己伝播高温合成反応を促進させ(Ti、Nb、Zr)−C−S又は(Ti、Nb、Zr)−S系無機化合物を短時間で合成する。
【解決手段】(Ti、Nb、Zr)−C−S又は(Ti、Nb、Zr)−S系を、好ましくはモル比2:(0.5〜1.0):(1〜3)又はモル比2:(1〜3)で配合した粉末混合物を圧粉成形し、反応装置1にセットした圧粉体3の一端に、電流を通したコイル4で着火し、他端に向けて燃焼(自己伝播高温合成反応)を進行させることにより、(Ti、Nb、Zr)−C−S系又は(Ti、Nb、Zr)−S系無機化合物を合成する。 (もっと読む)


式Mn+1AXnの前駆体を提供する工程、およびMn+1AXnを提供するためにMn+1XnをAと反応させる工程を含む、Mn+1AXnを形成する方法であって、式中、Mは早期遷移金属(Tiなど)またはその混合物であり、AはIII族もしくはIV族の元素(Siなど)またはその混合物であり、かつXはC、N、またはそれらの混合物である。Mn+1Xnは、Aと反応させる前に、MおよびXからのMn+1Xnの形成の間に、規則化および/または双晶化されてもよい(例えば、機械的合金化、熱処理などによって)。Aは、MおよびXからのMn+1Xnの形成の間に、または不規則型Mn+1Xnの規則化および/もしくは双晶化の間に存在してもよい。生成したMn+1AXnは、MXおよび/または他の残渣相を実質的に含まない。

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