【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝１に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝１ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 （もっと読む）

【課題】炭素基材に炭化金属層が形成されていない部分が生じるのを抑制することにより、被膜にむらが生じたり、被膜の密着性が低下するのを抑えることができる炭素材を提供する。
【解決手段】結着剤であるポリビニルアルコールと金属粉末とを含むスラリーを、炭素基材に塗布することにより炭素基材に金属粉末を付着させる第１ステップと、上記金属粉末が付着された炭素基材を、塩化水素ガスの雰囲気となっている容器内で熱処理する第２ステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化アルミニウムの水和反応が進まないように、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたことを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムであり、また、金属アルミニウム粉末と炭素粉末とを用いて、所定の雰囲気下で加熱処理することで、炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウムを得ることを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【課題】 新規耐熱材料として期待されるＡｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物は地殻に多く存在するＡｌ、Ｓｉからなり資源の有効活用の観点から幅広い利用が望まれるが、高純度の複合炭化物を得るために高純度の原料を使用しているのが現状で、高価な高品位原料に選択肢が限定される課題がある。従って本発明の目的は、広範な組成の天然原料を使用して合成する高純度Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物およびその合成方法を提供することにある。
【解決手段】 アルミナ成分またはシリカ成分を含有し、更にカルシウム化合物またはナトリウム化合物の含有率が酸化物換算で３０質量％以下の天然原料と炭素原料とを含む混合物を、不活性雰囲気中で焼成して得ることを特徴とするＡｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物およびその合成方法。 （もっと読む）

【課題】窒化ホウ素と炭化ケイ素の複合材料であって、より微細な窒化ホウ素が前記複合材料中に均一に分散している複合材料、およびそのような複合材料の原料である窒化ホウ素と炭化ケイ素の複合粉末の提供を目的とする。
【解決手段】炭化ケイ素と窒化ホウ素とが複合化されている複合粉末であって、前記複合粉末が、下記式（Ｉ）を満たす複合粉末により解決される。
６２．１＜Ｘ＋０．１０１×Ｙ （Ｉ）
前記式中、ＸおよびＹは明細書中で定義のとおりである。
また、炭化ケイ素と窒化ホウ素とが複合化されている複合材料であって、前記複合材料が、本発明の複合粉末を焼結して得られた複合材料であり、前記複合材料が、下記式（ＩＩ）を満たす複合材料により解決される。
Ｓ＞５．５６Ｙ−６７０ （ＩＩ）
前記式中、ＳおよびＹは明細書中で定義のとおりである。 （もっと読む）

【課題】 コイルのピッチが実質的に０である中空状カーボンマイクロコイル、及び、これらを金属化処理等をしてなる中空状セラミックマイクロコイル又は中空状セラミックマイクロファイバーを提供する。
【解決手段】本発明は、アセチレンの触媒活性化熱分解によりマイクロコイル状炭素を合成する際、反応条件を厳密に制御し、ファイバーの成長につれて基板を下げてゆくことを特徴とする、コイルが極めて密に規則正しく巻いた中空状カーボンマイクロコイルに関する。また、本発明は、これらを原料として、種々の金属成分、ケイ素、ホウ素、炭素、窒素及び／又は酸素原子などを含むガス中、８００〜１７００℃で高温反応／拡散処理を行うと、原料ガス成分が炭素と反応あるいは置換し、一方繊維軸中の空洞は完全に保持された中空状のセラミックス系マイクロコイル又はマイクロファイバーに関する。
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【課題】
従来、ポリカルボシラン繊維に空気中で放射線を照射して表面のみを酸化させ、繊維表面を架橋させた後、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出し、中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成することにより、マイクロＳｉＣチューブとする。しかし、壁厚が１０ミクロン以下のセラミックチューブを製造することが困難である。
【解決手段】
ポリカルボシランとポリビニルシランからなるポリマーブレンド繊維を電離放射線により表面のみ酸化架橋し、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出して中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成して、壁厚が５ミクロン以下のマイクロ炭化ケイ素セラミックチューブを製造する。 （もっと読む）