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Fターム[4G146NB01]の内容

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【課題】 高温で安定なナノスケール寸法の階層的規則性セラミック材料及びその製造方法の提供。
【解決手段】 ナノスケールセラミック複合材(100)の製造方法は、一般に、ポリマーセラミック前駆体を改質する段階、改質ポリマーセラミック前駆体をブロック共重合体と混合して混合物を形成する段階、混合物から規則構造体を形成する段階であって、改質ポリマーセラミック前駆体がブロック共重合体の特定の種類のブロックと選択的に会合する段階、及びナノスケールセラミック複合材(100)の形成に有効な時間及び温度で規則構造体を加熱する段階を含む。 (もっと読む)


ケイ素炭素化合物を形成する方法。ケイ素源が環境に導入される。ケイ素粒子がケイ素源から形成される。1つ又は複数の炭化水素がケイ素源とは別々に環境に導入され、それにより1つ又は複数のケイ素炭素化合物が形成される。ケイ素粒子が炭化水素源と一緒になる前にケイ素粒子のサイズを最小にするために、解離エンハンサーを環境に導入することができる。
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【課題】触媒や超音波照射を用いることなく、高純度の炭化ケイ素粉末、および、炭化ケ
イ素と炭素が均質に混合分散された不純物の少ない混合粉末を、簡便に製造する方法を提
供すること。
【解決手段】加熱して炭化ケイ素を生成する前駆体の製造方法として、有機ケイ素化合物
のオリゴマー、炭素または炭素化合物、および、水を混合し、かつ、触媒を添加しないこ
とを特徴とする液状前駆体物質の製造方法。この液状前駆体物質またそれを加熱して得ら
れるゲル状前駆体物質を1000℃以上の温度で熱分解することによって炭化ケイ素、ま
たは、炭化ケイ素と炭素の混合物を製造する。
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【課題】
現状では、壁厚が10μm以下の任意の壁厚に制御してSiCマイクロチューブを製造することが困難であり、工業的に量産されている直径15μmのSiC繊維を、用途に適した任意の壁厚に制御して中空化することは不可能である。
【解決手段】
ケイ素系高分子繊維を冷却しながら電離放射線を照射することにより表面のみ酸化し、酸化部分を熱処理により架橋した後、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出して中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成して、壁厚(チューブの肉厚)SiCが2〜10μmの炭化ケイ素(SiC)マイクロチューブを製造する。 (もっと読む)


【課題】切削工具用材料の原料等として取扱い性に優れ、かつ切削工具用材料等の特性の向上を図ることを可能にした炭化タングステン粉末を再現性よくかつ容易に得ることを可能にした炭化タングステン粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化タングステン粉末の製造方法は、タングステン粉末と、一次粒子径が0.1μm以下でかつ二次粒子径が5〜10μmの範囲の二次粒子を有する炭素粉末とを混合する工程を具備する。さらに、上記混合粉末を真空または非酸化性雰囲気中で加熱して炭化タングステン粉末を生成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】
従来、ポリカルボシラン繊維に空気中で放射線を照射して表面のみを酸化させ、繊維表面を架橋させた後、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出し、中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成することにより、マイクロSiCチューブとする。しかし、壁厚が10ミクロン以下のセラミックチューブを製造することが困難である。
【解決手段】
ポリカルボシランとポリビニルシランからなるポリマーブレンド繊維を電離放射線により表面のみ酸化架橋し、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出して中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成して、壁厚が5ミクロン以下のマイクロ炭化ケイ素セラミックチューブを製造する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置部品用のSiC焼結体に用いられる高純度SiC微粉末あるいはSiCとC
が混合した微粉末を、安価なSiO2をCと均一に混合し、高温で反応させて、安価に製造す
る方法を提供する。
【解決手段】SiO2原料に微粒子シリカとC源に熱分解して炭素を生じる液状の熱硬化性樹
脂を用い、両者を溶媒下でゾル−ゲル反応で均一に混合させる。固化させた後に不活性ガ
ス中で熱処理し、SiC単体あるいはSiCとCが混合した高純度SiC粉末を合成する方法。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物からカーボン−シリカ生成物を生成する方法であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。本発明のカーボン−シリカ生成物から作られる高純度のシリコン含有物もまた開示される。 (もっと読む)


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