【課題】半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層の形成に用いられるホウ素（Ｂ）原子上に異なる置換基が導入されたＢ−アルキルボラジンを、選択的に合成しうる手段を提供する。
【解決手段】Ｂ−アルキルボラジンを合成する際に、化学式１で表されるボラジン化合物と、アルケン化合物とを、触媒存在下で反応させる。これにより、Ｈ−Ｂ結合が、アルキル−Ｂ結合に変換された、Ｂ−アルキルボラジンを合成する。
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【課題】ホウ素原子および窒素原子の双方にアルキル基が結合しているヘキサアルキルボラジンを製造する過程において、大量合成の場合においても高い選択性で生成物を得る方法を提供する。
【解決手段】ボラジン化合物と、アルケン化合物とを、触媒存在下で反応させて、化学式２で表されるヘキサアルキルボラジンを合成する段階を有し、前記触媒および／または前記ボラジン化合物を徐々に反応系へ供給する、ヘキサアルキルボラジンの製造方法である。
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【課題】高級トリアルキルアルミニウムを簡便に製造でき、かつ高純度で得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】低級トリアルキルアルミニウムに対して、炭素数６〜１８の１−アルケンを５０〜１５０℃の温度に加熱して常圧で反応させることにより、相当する高級トリアルキルアルミニウムが高純度で得られる。 （もっと読む）

【課題】 ホウ素原子および窒素原子の双方にアルキル基が結合しているヘキサアルキルボラジンを製造する過程において、トリアルキルボランが副生しない方法を提供する。
【解決手段】 化学式１で表されるボラジン化合物と、アルケン化合物とを、触媒存在下で反応させて、化学式２で表されるヘキサアルキルボラジンを製造する。式中、Ｒ^１は、同一または異なっていてもよく、アルキル基であり、Ｒ^２は、水素原子またはアルキル基であり、少なくとも１つのＲ^２が水素原子であり、Ｒ^３は、同一または異なっていてもよく、アルキル基である。
【化１】
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