【課題】低コストで製造工程が平易であり、しかもコア部とクラッド部の屈折率差が大きく、小型の集積回路に好適な光導波路及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
下記の（Ａ）工程乃至（Ｅ）工程を含む光導波路の製造方法：（Ａ）工程：ベースの表面上に、互いに或る間隔の空間を形成するパターンを為すクラッド型材を配置する工程、（Ｂ）工程：配置されたクラッド型材の上側及びクラッド型材が配置されていないベース表面上に、チタン原子とケイ素原子を含む酸化物前駆物質を含有する液を用いて塗膜を形成する工程、（Ｃ）工程：前記塗膜に、所定のパターンを有するフォトマスクを通して放射線を照射し、続いて加熱処理し、これにより放射線照射された屈折率のより高いコア部を形成する工程、（Ｄ）工程：放射線未照射又は低放射線照射の領域を現像により溶解・除去する工程、及び（Ｅ）工程：クラッド型材をベース表面より除去し、オールエアクラッド光導波路の構造に作り上げる工程。 （もっと読む）

【課題】水酸基含有率の高いアルコキシドの加水分解物を用いたガスバリア性組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】前記アルコキシドと水と反応触媒とからなる原料を、複数のスタティックミキサーと前記複数のスタティックミキサーを連設する配管とからなる所定構造の加水分解物製造装置に導入して前記アルコキシドの加水分解物を得て、これをポリビニルアルコール系樹脂及び／又はエチレン・ビニルアルコール共重合体とを含有させ、ゾルゲル法によって重縮合すること特徴とする。効率的な加水分解反応の進行と、重縮合反応の抑制とによって、水酸基含有率の高いアルコキシドの加水分解物を製造することができ、これを用いて、ガスバリア性積層フィルムを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化および／または電磁放射による分解に敏感な化合物の、酸化および／または任意の電磁放射、特にＵＶ放射による分解に対する敏感性を克服する。
【解決手段】本発明では、酸化および／または電磁放射に敏感な化合物の、酸化および／または電磁放射からの保護のための、以下の式ＩおよびＩＩ
式Ｉ ：Ｒ_４Ｓｉ_４Ａｌ_２Ｏ_８（ＯＨ）_ｘ
式ＩＩ：Ｒ_８Ｓｉ_８Ｍ_６Ｏ_１６（ＯＨ）_ｙ
のうちの１つを有する、粒子形態での少なくとも１種の金属有機シリケートポリマーが使用される。
本発明は、特に、様々な材料の酸化および光老化からの保護の分野で用途がある。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有のシラン系化合物を用いて有機薄膜トランジスタの電荷移動度およびヒステリシスを改善させ、スレショルド電圧および電荷移動度などの物性を向上させて液晶ディスプレイ、光電変換素子などの各種電子素子の製造に有用に活用することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極２、有機絶縁膜３、有機半導体層６、およびソース／ドレイン電極４、５を含む有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機絶縁膜３が有機絶縁体組成物から形成されることを特徴とする、有機薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】 温度感応性及び生体適合性を有する有機ホスファゼン系高分子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 化学式１：
【化１４】


（式中、Ｒはメチル又はエチル、Ｒ′はＣＯＯＲ、ＣＨ₂ＣＯＯＲ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯＲ、ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂、ＣＨ₂Ｃ₆Ｈ₅、ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃又はＣＨ₃、Ｒ″はＣＨ₂ＣＯＯＲ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯＲ、ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂、ＣＨ₂Ｃ₆Ｈ₅、ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃又はＣＨ₃、Ｒ″′はＣＨ₂ＣＯＯＲ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯＲ又はＨ、ｎは３０〜１００、ｘは３、４、７、１２又は１６、ｙは０．５〜１．５、ａ＝１、ｂ及びｃはそれぞれ０又は１である）で示される有機ホスファゼン系高分子。 （もっと読む）